- 专利标题： Method of forming pattern for a large area liquid crystal device
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申请号： US16349254申请日： 2017-11-10
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公开(公告)号： US10730147B2公开(公告)日： 2020-08-04
- 发明人: Jeong Ho Park , Jin Soo Lee , Bu Gon Shin
- 申请人： LG CHEM, LTD.
- 申请人地址： KR Seoul
- 专利权人： LG CHEM, LTD.
- 当前专利权人： LG CHEM, LTD.
- 当前专利权人地址： KR Seoul
- 代理机构： Dentons US LLP
- 优先权： com.zzzhc.datahub.patent.etl.us.BibliographicData$PriorityClaim@2a33baba
- 国际申请： PCT/KR2017/012753 WO 20171110
- 国际公布： WO2018/088853 WO 20180517
- 主分类号： B23K26/57
- IPC分类号： B23K26/57 ; B32B9/00 ; B32B27/06 ; B32B38/10 ; B32B43/00 ; G02F1/1333 ; G02F1/1337 ; G02F1/1339 ; B32B27/32 ; H01B5/14 ; B32B27/36 ; G02F1/1343 ; B23K26/351 ; B32B27/28 ; B23K26/364 ; B23K26/36 ; B23K26/362 ; B23K26/359 ; B23K26/352 ; B23K26/356 ; B23K26/55 ; B23K26/0622
摘要：
The present invention relates to a pattern forming method of a liquid crystal device.
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