发明申请
- 专利标题： 1P1N 2T gain cell
- 专利标题（中）： 1P1N 2T增益电池
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申请号： US10749734申请日： 2003-12-30
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公开(公告)号： US20050146921A1公开(公告)日： 2005-07-07
- 发明人: Yibin Ye , Dinesh Somasekhar , Muhammad Khellah , Fabrice Paillet , Stephen Tang , Ali Keshavarzi , Shih-Lien Lu , Vivek De
- 申请人： Yibin Ye , Dinesh Somasekhar , Muhammad Khellah , Fabrice Paillet , Stephen Tang , Ali Keshavarzi , Shih-Lien Lu , Vivek De
- 主分类号： G11C11/24
- IPC分类号： G11C11/24 ; G11C11/405
摘要：
A two-transistor DRAM cell includes an NMOS device and a PMOS device coupled to the NMOS device.
公开/授权文献
- US07123500B2 1P1N 2T gain cell 公开/授权日：2006-10-17
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