发明申请
- 专利标题： Efficient light emitting diodes and lasers
- 专利标题（中）： 高效发光二极管和激光器
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申请号： US11005505申请日： 2004-12-06
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公开(公告)号： US20050161689A1公开(公告)日： 2005-07-28
- 发明人: Jagdish Narayan , Jinlin Ye , Schang-Jing Hon , Ken Fox , Jyh Chen , Hong Choi , John Fan
- 申请人： Jagdish Narayan , Jinlin Ye , Schang-Jing Hon , Ken Fox , Jyh Chen , Hong Choi , John Fan
- 申请人地址： US MA Taunton
- 专利权人： Kopin Corporation
- 当前专利权人： Kopin Corporation
- 当前专利权人地址： US MA Taunton
- 主分类号： H01L33/06
- IPC分类号： H01L33/06 ; H01L33/32 ; H01S5/10 ; H01S5/34 ; H01S5/343 ; H01L29/225 ; H01L33/00
摘要：
An optoelectronic device such as an LED or laser which produces spontaneous emission by recombination of carriers (electrons and holes) trapped in Quantum Confinement Regions formed by transverse thickness variations in Quantum Well layers of group III nitrides.
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