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发明申请
US20070117331A1 Reliable high voltage gate dielectric layers using a dual nitridation process 有权
使用双重氮化工艺的可靠的高压栅极电介质层

Reliable high voltage gate dielectric layers using a dual nitridation process
摘要：
Dual gate dielectric layers are formed on a semiconductor substrate for MOS transistor fabrication. A first dielectric layer (30) is formed on a semiconductor substrate (10). A first plasma nitridation process is performed on said first dielectric layer. The first dielectric layer (30) is removed in regions of the substrate and a second dielectric layer (50) is formed in these regions. A second plasma nitridation process is performed on the first dielectric layer and the second dielectric. MOS transistors (160, 170) are then fabricated using the dielectric layers (30, 50).
摘要（中）：

在用于MOS晶体管制造的半导体衬底上形成双栅介质层。 第一电介质层（30）形成在半导体衬底（10）上。 在所述第一介电层上进行第一等离子体氮化处理。 在衬底的区域中去除第一电介质层（30），并且在这些区域中形成第二电介质层（50）。 在第一电介质层和第二电介质上进行第二等离子体氮化处理。 然后使用电介质层（30,50）制造MOS晶体管（160,170）。

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