COMPOSITION AND METHOD FOR LOW TEMPERATURE DEPOSITION OF SILICON-CONTAINING FILMS

发明申请

US20100221914A1 COMPOSITION AND METHOD FOR LOW TEMPERATURE DEPOSITION OF SILICON-CONTAINING FILMS 有权

标题翻译：含硅薄膜低温沉积的组合物和方法

专利标题： COMPOSITION AND METHOD FOR LOW TEMPERATURE DEPOSITION OF SILICON-CONTAINING FILMS
专利标题（中）： 含硅薄膜低温沉积的组合物和方法
申请号： US12777519

申请日： 2010-05-11
公开(公告)号： US20100221914A1

公开(公告)日： 2010-09-02
发明人: Ziyun Wang , Chongying Xu , Thomas H. Baum , Bryan Hendrix , Jeffrey F. Roeder
申请人： Ziyun Wang , Chongying Xu , Thomas H. Baum , Bryan Hendrix , Jeffrey F. Roeder
申请人地址： US CT Danbury
专利权人： ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.
当前专利权人： ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.
当前专利权人地址： US CT Danbury
主分类号： H01L21/283
IPC分类号： H01L21/283 ; C07F7/02 ; C09D7/00

摘要：

This invention relates to silicon precursor compositions for forming silicon-containing films by low temperature (e.g.,

摘要（中）：

本发明涉及通过用于制造ULSI器件和器件结构的低温（例如，<300℃）的化学气相沉积工艺形成含硅膜的硅前体组合物。这种硅前体组合物包含至少一个完全被烷基氨基和/或二烷基氨基官能团取代的二烷基硅烷衍生物化合物。

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28	....用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
H01L21/283	.....用于电极的导电材料或绝缘材料的沉积