发明申请
US20170025414A1 Thyristor Volatile Random Access Memory and Methods of Manufacture
有权
晶闸管易失性随机存取存储器及其制造方法
- 专利标题： Thyristor Volatile Random Access Memory and Methods of Manufacture
- 专利标题（中）： 晶闸管易失性随机存取存储器及其制造方法
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申请号： US15283085申请日： 2016-09-30
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公开(公告)号： US20170025414A1公开(公告)日： 2017-01-26
- 发明人: Harry Luan , Bruce L. Bateman , Valery Axelrad , Charlie Cheng
- 申请人： Kilopass Technology, Inc.
- 主分类号： H01L27/102
- IPC分类号： H01L27/102 ; H01L21/762 ; H01L29/45 ; G11C11/39 ; H01L21/321 ; H01L29/06 ; H01L29/10 ; H01L29/749 ; H01L29/66 ; H01L21/28
摘要：
A volatile memory array using vertical thyristors is disclosed together with methods of fabricating the array.
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