发明授权
US4654269A Stress relieved intermediate insulating layer for multilayer metalization
失效
应力消除用于多层金属化的中间绝缘层
- 专利标题： Stress relieved intermediate insulating layer for multilayer metalization
- 专利标题（中）： 应力消除用于多层金属化的中间绝缘层
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申请号： US747471申请日： 1985-06-21
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公开(公告)号： US4654269A公开(公告)日： 1987-03-31
- 发明人: William I. Lehrer
- 申请人： William I. Lehrer
- 申请人地址： CA Cupertino
- 专利权人： Fairchild Camera & Instrument Corp.
- 当前专利权人： Fairchild Camera & Instrument Corp.
- 当前专利权人地址： CA Cupertino
- 主分类号： C23C18/12
- IPC分类号： C23C18/12 ; C23C16/40 ; C23C28/04 ; H01L21/31 ; H01L21/3105 ; H01L21/316 ; H01L21/3205 ; H01L21/768 ; H01L23/522 ; H01L23/532 ; B65D5/12
摘要：
There is disclosed herein a stress relieved intermediate insulating layer consisting of one or more layers of spun-on glass lying over a metalization pattern. The spun-on layers are allowed to crack from thermal stress imposed upon the structure. The cracks in the spun-on layers are then filled with a glass layer deposited by CVD or LPCVD.
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