Method of manufacturing sensor

发明授权

US5616523A Method of manufacturing sensor 失效

标题翻译：制造传感器的方法

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专利标题： Method of manufacturing sensor
专利标题（中）： 制造传感器的方法
申请号： US627819

申请日： 1996-04-02
公开(公告)号： US5616523A

公开(公告)日： 1997-04-01
发明人: Gerhard Benz , Jiri Marek , Frank Bantien , Horst Muenzel , Franz Laermer , Michael Offenberg , Andrea Schilp
申请人： Gerhard Benz , Jiri Marek , Frank Bantien , Horst Muenzel , Franz Laermer , Michael Offenberg , Andrea Schilp
申请人地址： DEX Stuttgart
专利权人： Robert Bosch GmbH
当前专利权人： Robert Bosch GmbH
当前专利权人地址： DEX Stuttgart
优先权： DEX4315012.8 19930506
主分类号： H01L21/306
IPC分类号： H01L21/306 ; G01P15/08 ; G01P15/125 ; H01L29/84

摘要：

A method for manufacturing sensors from a multilayer plate with upper and lower monocrystalline silicon layers and an etching layer between them. The upper silicon layer is structured by the introduction of troughs therein extending down to the etching layer. Sensor structures, such as a bending beam that is used in an acceleration sensor, are created by etching the etching layer beneath a part of the silicon layer structured in this manner.

摘要（中）：

一种从具有上，下单晶硅层的多层板和它们之间的蚀刻层制造传感器的方法。上硅层通过引入其中向下延伸到蚀刻层的槽而构成。传感器结构，例如用于加速度传感器中的弯曲梁，通过蚀刻以这种方式构造的硅层的一部分下方的蚀刻层来产生。

公开/授权文献

US4574458A Roll-capping machine and method 公开/授权日：1986-03-11

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/302	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306	......化学或电处理，例如电解腐蚀（形成绝缘层的入H01L21/31；绝缘层的后处理入H01L21/3105）