发明授权
- 专利标题： Floating-body DRAM with two-phase write
- 专利标题（中）： 具有两相写入的浮体DRAM
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申请号： US10716755申请日： 2003-11-19
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公开(公告)号： US07072205B2公开(公告)日： 2006-07-04
- 发明人: Stephen H. Tang , Ali Keshavarzi , Dinesh Somasekhar , Fabrice Paillet , Muhammad M. Khellah , Yibin Ye , Shih-Lien L. Lu , Vivek K. De
- 申请人： Stephen H. Tang , Ali Keshavarzi , Dinesh Somasekhar , Fabrice Paillet , Muhammad M. Khellah , Yibin Ye , Shih-Lien L. Lu , Vivek K. De
- 申请人地址： US CA Santa Clara
- 专利权人： Intel Corporation
- 当前专利权人： Intel Corporation
- 当前专利权人地址： US CA Santa Clara
- 代理机构： LeMoine Patent Services, PLLC
- 主分类号： G11C11/24
- IPC分类号： G11C11/24 ; G11C11/34
摘要：
A row of floating-body single transistor memory cells is written to in two phases.
公开/授权文献
- US20050105342A1 Floating-body dram with two-phase write 公开/授权日：2005-05-19
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