发明授权
- 专利标题： Memory cell system using silicon-rich nitride
- 专利标题（中）： 使用富含硅的氮化物的存储单元系统
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申请号： US11277008申请日： 2006-03-20
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公开(公告)号： US08803216B2公开(公告)日： 2014-08-12
- 发明人: Meng Ding , Lei Xue , Mark Randolph , Chi Chang , Robert Bertram Ogle, Jr.
- 申请人： Meng Ding , Lei Xue , Mark Randolph , Chi Chang , Robert Bertram Ogle, Jr.
- 申请人地址： US CA Sunnyvale US CA Sunnyvale
- 专利权人： Spansion, LLC,Advanced Micro Devices, Inc.
- 当前专利权人： Spansion, LLC,Advanced Micro Devices, Inc.
- 当前专利权人地址： US CA Sunnyvale US CA Sunnyvale
- 代理机构： Farjami & Farjami LLP
- 主分类号： H01L29/788
- IPC分类号： H01L29/788 ; H01L27/115 ; H01L21/28 ; H01L29/792 ; H01L29/51
摘要：
A memory cell system including providing a substrate, forming a charge-storing stack having silicon-rich nitride on the substrate, and forming a gate on the charge-storing stack.
公开/授权文献
- US20070215932A1 MEMORY CELL SYSTEM USING SILICON-RICH NITRIDE 公开/授权日：2007-09-20
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