公开(公告)号：CN118866679A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410504054.5

申请日：2024-04-25

申请人： ASM IP私人控股有限公司

发明人： T·布兰夸特 ,  C·德泽拉 ,  R·H·J·沃乌尔特

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/02

摘要： 公开了化学蚀刻目标层的方法。具体地，公开了通过循环化学气相蚀刻过程和原子层蚀刻过程蚀刻目标层的方法。还公开了用于执行化学蚀刻过程的示例性设备。

公开(公告)号：CN118859631A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410494609.2

申请日：2024-04-24

申请人： ASM IP私人控股有限公司

发明人： J·R·A·阿丰索 ,  Y·孙 ,  冉凡勇 ,  J·S·尼古拉斯 ,  刘泽铖

IPC分类号： G03F7/16

摘要： 公开了形成包括粘合层的结构的方法和包括粘合层的结构。粘合层可以包括氮。该方法可以包括形成覆盖粘合层并与之接触的金属氧化物抗蚀剂。示例性方法还包括形成光致抗蚀剂底层。

公开(公告)号：CN118773583A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410412575.8

申请日：2024-04-08

申请人： ASM IP私人控股有限公司

发明人： R·H·J·沃乌尔特 ,  T·布兰夸特 ,  J·全 ,  刘龙珉 ,  A·索科洛夫 ,  M·斯托霍夫 ,  S·范阿尔德 ,  D·皮埃罗 ,  H·梅迪

IPC分类号： C23C16/505 ,  C23C16/40 ,  C23C16/34 ,  H01L21/768

摘要： 本公开涉及用于填充衬底上的间隙的方法和设备。该方法包括提供衬底，该衬底包括进入反应室的至少一个间隙；在衬底上沉积含硅的第一层；使第一层经受含磷化合物以形成可流动中间材料，该中间材料至少部分填充衬底上的至少一个间隙；以及形成包含硅的固体材料。

公开(公告)号：CN118726953A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410369402.2

申请日：2024-03-28

申请人： ASM IP私人控股有限公司

发明人： 卢彦夫 ,  A·德莫斯

IPC分类号： C23C16/513 ,  C23C16/46 ,  C23C16/44

摘要： 用于半导体制造系统中的材料层沉积方法的方法和设备。控制器可以将衬底安置在衬底支撑件上。可以将含硅材料层前体提供至远程等离子体单元，远程等离子体单元可以分解至少一部分含硅材料层前体。可以使用分解产物将包含硅的外延材料层沉积到衬底上。在给定的沉积温度下，沉积速率和/或生长速率可以增加。

公开(公告)号：CN118726938A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410369271.8

申请日：2024-03-28

申请人： ASM IP私人控股有限公司

发明人： G·帕萨克 ,  M·罗霍 ,  V·波雷 ,  柳铭

IPC分类号： C23C16/34 ,  C23C16/455

摘要： 提供了在衬底上沉积无定形氮化硼层的方法。示例性方法包括向反应室提供硼前体和向反应室提供氮活性物质。

公开(公告)号：CN113838794B

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202110684508.8

申请日：2021-06-21

申请人： ASM IP私人控股有限公司

发明人： D.皮埃罗 ,  S.范阿尔德 ,  B.琼布罗德 ,  K.胡本 ,  W.科内鹏 ,  W.弗维杰

IPC分类号： H01L21/762

摘要： 公开了一种用于形成具有硅的层的方法，该层可以通过以下来形成：将衬底定位在处理室内；将衬底加热到300至500℃之间的第一温度并且将第一前体引入处理室以沉积第一层。可以将衬底加热到400至600℃之间的第二温度；以及可以将第二前体引入处理室以沉积第二层，第一前体和第二前体可以包括硅原子，并且第一前体可以比第二前体具有每分子更多的硅原子。

公开(公告)号：CN118692990A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410305441.6

申请日：2024-03-18

申请人： ASM IP私人控股有限公司

发明人： D·乔杜里 ,  J·L·温克勒 ,  K·穆拉普迪 ,  M·巴尔西努 ,  M·施莫策

IPC分类号： H01L21/82 ,  H01L21/8238 ,  C23C16/40 ,  C23C16/56 ,  C23C16/04 ,  C23C16/455

摘要： 公开了用于形成半导体结构的方法。该方法包括通过在包括第一区域和第二区域的衬底上沉积第一硬掩模层和第二硬掩模层来形成双层硬掩模。形成的示例性结构可以包括CMOS器件结构。

公开(公告)号：CN118629938A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410257261.5

申请日：2024-03-07

申请人： ASM IP私人控股有限公司

发明人： 须佐圭雄 ,  石钵德彦 ,  菊地良幸

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3105 ,  C23C16/515 ,  C23C16/48

摘要： 提供了一种在衬底表面上形成介电材料层的方法。该方法可包括以下步骤：沉积步骤，包括：在第一反应室内提供衬底；向第一反应室提供乙烯基取代的环硅氧烷前体；向第一反应室提供反应物；以及向第一反应室提供脉冲等离子体功率；和固化步骤，包括：向衬底提供固化气体；以及用UV光照射衬底。

公开(公告)号：CN118407016A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202410101661.7

申请日：2024-01-24

申请人： ASM IP私人控股有限公司

发明人： S·龙 ,  H·金 ,  朴柱赫 ,  S·崔 ,  K·H·金 ,  J·杨

IPC分类号： C23C16/04 ,  C23C16/505 ,  C23C16/40 ,  C23C16/52 ,  C23C16/34 ,  H01L21/02

摘要： 一种衬底处理方法包括：将具有间隙结构的衬底提供到反应空间中；将前体和反应物气体供应到反应空间中；以及在衬底上沉积可流动膜以填充衬底间隙的至少一部分。

公开(公告)号：CN113957410B

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202110804662.4

申请日：2021-07-16

申请人： ASM IP私人控股有限公司

发明人： P.马 ,  R.洛菲 ,  J.李 ,  E.C.史蒂文斯 ,  A.米什拉

IPC分类号： C23C16/14 ,  C23C16/30 ,  C23C16/32 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  C23C16/02 ,  H01L21/768

摘要： 公开了用于在衬底表面上形成钼层的方法和系统以及使用该方法形成的结构和器件。示例性方法包括在形成钼层之前形成底层。底层可用于控制钼层中的应力和/或降低形成钼层的步骤的成核温度和/或沉积温度。