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公开(公告)号：CN1950162B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200580013569.0
申请日：2005-04-26
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: B22F1/0014 , B22F1/0044 , B22F1/0055 , B22F1/0062 , B22F9/24 , B22F2001/0033 , H01B1/22 , H05K1/095
Abstract: 本发明的目的是提供一种微粒，粒度分布狭窄，微晶大，耐氧化性优良的片状铜粉。为了实现该目的，采用含磷、微晶粒径/DIA为0.01以上的片状铜粉等。为了制造该片状铜粉，采用如下的片状铜粉的制造方法，其具有：配制含铜盐及络合剂的水溶液的第一工序；往该水溶液中添加碱金属氢氧化物，配制含氧化铜的第一浆液的第二工序；在该第一浆液中添加将氧化铜还原为氧化亚铜的第一还原剂，配制含氧化亚铜的第二浆液的第三工序；以及，在该第二浆液中添加将氧化亚铜还原为铜的第二还原剂，制成片状铜粉的第四工序，在上述第一工序～第三工序的至少一个工序中添加磷酸及其盐，及/或在第四工序中，往上述第二浆液中添加磷酸及其盐。
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公开(公告)号：CN1950162A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200580013569.0
申请日：2005-04-26
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: B22F1/0014 , B22F1/0044 , B22F1/0055 , B22F1/0062 , B22F9/24 , B22F2001/0033 , H01B1/22 , H05K1/095
Abstract: 本发明的目的是提供一种微粒，粒度分布狭窄，微晶大，耐氧化性优良的片状铜粉。为了实现该目的，采用含磷、微晶粒径/DIA为0.01以上的片状铜粉等。为了制造该片状铜粉，采用如下的片状铜粉的制造方法，其具有：配制含铜盐及络合剂的水溶液的第一工序；往该水溶液中添加碱金属氢氧化物，配制含氧化铜的第一浆液的第二工序；在该第一浆液中添加将氧化铜还原为氧化亚铜的第一还原剂，配制含氧化亚铜的第二浆液的第三工序；以及，在该第二浆液中添加将氧化亚铜还原为铜的第二还原剂，制成片状铜粉的第四工序，在上述第一工序～第三工序的至少一个工序中添加磷酸及其盐，及/或在第四工序中，往上述第二浆液中添加磷酸及其盐。
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公开(公告)号：CN1942269A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200580011227.5
申请日：2005-04-11
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: B22F1/02 , C23C24/10 , C23C26/02 , H01B1/02 , H01B1/22 , H05K1/095 , H05K3/4069 , Y10T428/12181
Abstract: 本发明的课题是提供一种由覆盖了具有比银的熔点温度低的分解温度的银化合物的银粉能够形成电子电路用导电性配线部的导电性膏用的覆盖有银化合物的银粉及其制造方法。作为为此的解决方式，在含有银化合物覆盖了银粒子表面的覆盖有银化合物的银粒子的覆盖有银化合物的银粉中，在应由含该银粉的导电性膏形成电子电路配线的基板焙烧时，通过具有比银的熔点温度低很多的分解温度的银化合物的热解，银化合物的银与覆盖有银化合物的银粒子彼此发生熔粘。
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公开(公告)号：CN106457382B
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201580024747.3
申请日：2015-05-29
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: B22F1/00 , B22F1/02 , B22F9/04 , H01B1/00 , H01B1/22 , H01B5/00 , H01B13/00
Abstract: 本发明的铜粉由铜颗粒或在铜芯材的表面被覆除了铜以外的金属而成的颗粒形成。对一次颗粒进行图像分析而得到的投影面积圆当量直径为0.1μm以上且4.0μm以下。由[最大直径×最大直径×π÷(4×投影面积)]定义的基于一次颗粒的图像分析所得到的形状系数的值为1.8以上且3.5以下。对一次颗粒进行图像分析而得到的投影面积圆当量直径/周长圆当量直径的值优选为0.40以上且0.65以下。在将对20mmΦ的面积施加了0.63kN的实际负载时的压粉密度设定为ρ0.63、将此时的压粉电阻率设定为R0.63的情况下，ρ0.63的值优选为3.0g/cm3以上且5.0g/cm3以下，R0.63的值优选为9.0×10‑1Ωcm以下。
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公开(公告)号：CN106457382A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580024747.3
申请日：2015-05-29
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: B22F1/00 , B22F1/02 , B22F9/04 , H01B1/00 , H01B1/22 , H01B5/00 , H01B13/00
Abstract: 本发明的铜粉由铜颗粒或在铜芯材的表面被覆除了铜以外的金属而成的颗粒形成。对一次颗粒进行图像分析而得到的投影面积圆当量直径为0.1μm以上且4.0μm以下。由[最大直径×最大直径×π÷(4×投影面积)]定义的基于一次颗粒的图像分析所得到的形状系数的值为1.8以上且3.5以下。对一次颗粒进行图像分析而得到的投影面积圆当量直径/周长圆当量直径的值优选为0.40以上且0.65以下。在将对20mmΦ的面积施加了0.63kN的实际负载时的压粉密度设定为ρ0.63、将此时的压粉电阻率设定为R0.63的情况下，ρ0.63的值优选为3.0g/cm3以上且5.0g/cm3以下，R0.63的值优选为9.0×10-1Ωcm以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101163562A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200680013160.3
申请日：2006-04-27
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: H05K1/097 , B22F1/0048 , B22F1/0055 , B22F9/24 , H05K3/4069
Abstract: 本发明的目的是提供一种，含有易形成精细间距的布线电路、对微细口径针孔的填充性优良、可以发挥低温熔粘性的锡微粒的锡粉。为了达到该目的，把铜粉加入水中搅拌制成铜粉淤浆，在含2价锡盐与硫脲的混合水溶液中加酸制成置换析出锡溶液，把上述铜粉淤浆与上述置换析出锡溶液进行混合，使上述铜粉淤浆中的铜与锡达到规定的比例，搅拌该混合溶液，在铜粉粒子表面上置换析出锡，得到本发明的锡粉。
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公开(公告)号：CN1988973A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200580024434.4
申请日：2005-07-15
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: B22F1/025 , B22F2998/10 , C23C18/1635 , C23C18/1841 , C23C18/34 , H01B1/026 , H05K1/092 , Y10T428/12181 , B22F1/0088 , B22F1/0085
Abstract: 本发明的目的是提供一种能够形成电子电路用的导电性的配线部的导电性膏用耐氧化性的镀镍铜粉及其制造方法。为了达到此目的，本发明采用的镀镍铜粉的特征在于，其含有镀镍铜粒子，该镀镍铜粒子以铜粒子作芯材，通过还原反应在该铜粒子表面固附电镀用催化剂，在最外面实施了非电解镀镍。另外，上述还原反应，用肼作还原剂。
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公开(公告)号：CN1960826A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200580017830.4
申请日：2005-06-17
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: H01B1/22 , B22F1/025 , B22F9/16 , B22F2998/00 , B23K35/025 , B23K35/26 , B23K35/302 , B23K35/40 , C22B3/46 , C22B15/0091 , C22B25/04 , C23C18/1635 , C23C18/31 , C23C18/54 , H05K1/095 , H05K3/4069 , Y02P10/234 , Y02P10/236 , B22F1/0055
Abstract: 本发明的目的是提供一种细小配线电路形成及细小微孔的填平孔眼性优良的、可发挥低温熔着性的含铜锡粉微粒。为了达到该目的，其为以铜粉作为起始原料采用湿式置换法制造的含铜锡粉，未置换的残留铜量为30重量％以下。另外，采用以作为起始原料的铜粉的粉体特性作为基准时所得到的含铜锡粉的平均一次粒径等的变化率为－20～+5％的含铜锡粉。而且，在制造该含铜锡粉时，采用使铜粉与锡置换电镀液接触、使构成铜粉的铜成分溶解而使锡置换析出的湿式置换法。
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公开(公告)号：CN113614894B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202080023485.X
申请日：2020-03-02
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 本发明的接合体是半导体元件与包含Cu的接合层接合而成的。前述接合层具有从前述半导体元件的周缘向侧方伸出的伸出部。在厚度方向的截面视图中，前述伸出部从前述半导体元件的底部的周缘或周缘附近竖起并且与该半导体元件的侧面实质上分离的侧壁面。对于前述伸出部而言，不具有前述侧壁面与前述半导体元件的侧面彼此接触的部位也是适宜的。另外，本发明还提供接合体的制造方法。
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公开(公告)号：CN103680672B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201310400620.X
申请日：2013-09-05
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: H01B1/08 , C01P2002/60 , C01P2004/32 , C01P2004/62 , C01P2006/10 , C01P2006/40 , C01P2006/62 , C01P2006/63 , C01P2006/64 , C09C1/027 , C09C1/3054 , C09C1/3661 , C09C1/407 , C09D5/24 , H01B1/02
Abstract: 本发明的导电性颗粒是在芯颗粒的表面上形成含有氧化锡的包覆层而成的。该氧化锡的微晶粒径为。对于使用包含导电性颗粒的涂覆液而形成的导电膜，使用了进行1小时分散而得到的涂覆液时的表面电阻R1与使用了进行3小时分散而得到的涂覆液时的表面电阻R3的比率R3/R1优选为1～250。包覆层优选由不含有掺杂元素的导电性的氧化锡形成。
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