公开(公告)号：CN102234111B

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201110087212.4

申请日：2011-04-02

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东国大学校产学协力团

Inventor： 朴京洙 ,  宋仁庸 ,  许成 ,  郭东昱 ,  赵薰英 ,  金翰秀 ,  崔在万 ,  权问奭

IPC: C01B33/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

CPC classification number: H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/125 ,  H01L29/16 ,  H01L29/775

Abstract: 本发明公开了一种硅纳米线及其制造方法。硅纳米线包括以高密度形成在其表面上的金属纳米团簇。金属纳米团簇改善了硅纳米线的电学特性和光学特性，因此，能够有用地使用在诸如锂电池、太阳能电池、生物电池、存储器件等各种电子器件中。

公开(公告)号：CN102234111A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN201110087212.4

申请日：2011-04-02

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东国大学校产学协力团

Inventor： 朴京洙 ,  宋仁庸 ,  许成 ,  郭东昱 ,  赵薰英 ,  金翰秀 ,  崔在万 ,  权问奭

IPC: C01B33/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

CPC classification number: H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/125 ,  H01L29/16 ,  H01L29/775

Abstract: 本发明公开了一种硅纳米线及其制造方法。硅纳米线包括以高密度形成在其表面上的金属纳米团簇。金属纳米团簇改善了硅纳米线的电学特性和光学特性，因此，能够有用地使用在诸如锂电池、太阳能电池、生物电池、存储器件等各种电子器件中。

公开(公告)号：CN104518208B

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201410520065.9

申请日：2014-09-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙寅赫 ,  宋伣在 ,  宋仁庸 ,  崔在万 ,  黄胜湜 ,  丘俊焕 ,  朴钟焕 ,  郑然知

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/583 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01B1/04 ,  H01B13/0016 ,  H01B13/0026 ,  H01M4/0428 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1393 ,  H01M4/366 ,  H01M4/386 ,  H01M4/48 ,  H01M4/587 ,  H01M4/625 ,  Y10T428/292

Abstract: 本发明涉及复合物、其制造方法、碳复合物、及包括它们的器件。所述复合物包括：硅(Si)；式SiOx的硅氧化物，其中0

公开(公告)号：CN104518208A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410520065.9

申请日：2014-09-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙寅赫 ,  宋伣在 ,  宋仁庸 ,  崔在万 ,  黄胜湜 ,  丘俊焕 ,  朴钟焕 ,  郑然知

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/583 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01B1/04 ,  H01B13/0016 ,  H01B13/0026 ,  H01M4/0428 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1393 ,  H01M4/366 ,  H01M4/386 ,  H01M4/48 ,  H01M4/587 ,  H01M4/625 ,  Y10T428/292

Abstract: 本发明涉及复合物、其制造方法、碳复合物、及包括它们的器件。所述复合物包括：硅(Si)；式SiOx的硅氧化物，其中0

公开(公告)号：CN102456428B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201110330845.3

申请日：2011-10-27

Applicant: 三星电子株式会社 ,  延世大学校产学协力团

Inventor： 金世润 ,  李殷成 ,  池尚洙 ,  宋仁庸 ,  李相睦 ,  金道乡 ,  K.R.林

IPC: H01B1/22 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01B1/22 ,  B22F1/0059 ,  B23K35/001 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/3013 ,  B23K35/302 ,  B23K35/3033 ,  C22C1/002 ,  C22C9/00 ,  C22C16/00 ,  C22C30/00 ,  C22C30/02 ,  C22C45/001 ,  C22C45/10 ,  H01L31/022425 ,  Y02E10/50

Abstract: 导电糊可包含导电粉末、包括具有小于0的与所述导电粉末的混合热值的第一元素的金属玻璃、和有机媒介物，且电子器件和太阳能电池可包括使用所述导电糊形成的电极。

公开(公告)号：CN1807232A

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN200510087547.0

申请日：2005-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋仁庸 ,  裵恩珠 ,  高朱惠 ,  朴玩濬

IPC: C01B31/02 ,  B82B3/00

CPC classification number: B82Y30/00

Abstract: 本发明提供一种使用聚焦离子束(FIB)制造碳纳米管的方法。该方法包括：准备基板、用FIB扫描基板、以及在扫描后的基板上生长碳纳米管。

公开(公告)号：CN105590665A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201510770231.5

申请日：2015-11-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵恩亨 ,  宋仁庸 ,  李昌承 ,  郭燦 ,  金材官 ,  李周浩 ,  黄珍荣

IPC: H01B1/22 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

CPC classification number: H01B1/22 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C23F1/32 ,  D06M15/564 ,  D06M23/005 ,  D06M2101/00 ,  G06F3/041 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/044 ,  G06F2203/04103 ,  G06F2203/04112 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/413 ,  H01L31/022491 ,  H01L33/42 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

Abstract: 实例实施方式涉及纳米结构体、其制备方法及包括该纳米结构体的面板单元，所述纳米结构体包括导电区和非导电区，其中所述导电区包括至少一根第一纳米线，和所述非导电区包括至少一根至少部分地截断的第二纳米线。

公开(公告)号：CN102456428A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201110330845.3

申请日：2011-10-27

Applicant: 三星电子株式会社 ,  延世大学校产学协力团

Inventor： 金世润 ,  李殷成 ,  池尚洙 ,  宋仁庸 ,  李相睦 ,  金道乡 ,  K.R.林

IPC: H01B1/22 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01B1/22 ,  B22F1/0059 ,  B23K35/001 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/3013 ,  B23K35/302 ,  B23K35/3033 ,  C22C1/002 ,  C22C9/00 ,  C22C16/00 ,  C22C30/00 ,  C22C30/02 ,  C22C45/001 ,  C22C45/10 ,  H01L31/022425 ,  Y02E10/50

Abstract: 导电糊可包含导电粉末、包括具有小于0的与所述导电粉末的混合热值的第一元素的金属玻璃、和有机媒介物，且电子器件和太阳能电池可包括使用所述导电糊形成的电极。