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公开(公告)号：CN113658964A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110458032.6
申请日：2021-04-27
Applicant: 三星电子株式会社 , 韩国航空大学校产学协力团
IPC: H01L27/146 , H04N3/14 , H04N5/335
Abstract: 公开了滤光器、图像传感器、相机和电子装置。该滤光器包括包含第一材料的近红外吸收层，第一材料配置为吸收属于近红外波长谱的第一波长谱中的光。该滤光器包括与近红外吸收层相邻的补偿层，补偿层包括与第一材料不同的第二材料。该滤光器包括通过补偿层与近红外吸收层间隔开的超材料结构，超材料结构配置为吸收或反射与第一波长谱至少部分地重叠的第二波长谱中的光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107039101B
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201610851418.2
申请日：2016-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开电导体、一维‑二维混杂结构体、和包括其的电子器件。所述电导体包括：包括多个金属纳米线的第一导电层；和设置在第一导电层的表面上的第二导电层，其中第二导电层包括多个金属氧化物纳米片；其中在第一导电层中的所述多个金属纳米线的金属纳米线接触所述多个金属氧化物纳米片的至少两个金属氧化物纳米片；和其中所述多个金属氧化物纳米片的至少两个金属氧化物纳米片彼此接触以提供电连接。
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公开(公告)号：CN107039101A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201610851418.2
申请日：2016-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开电导体、一维‑二维混杂结构体、和包括其的电子器件。所述电导体包括：包括多个金属纳米线的第一导电层；和设置在第一导电层的表面上的第二导电层，其中第二导电层包括多个金属氧化物纳米片；其中在第一导电层中的所述多个金属纳米线的金属纳米线接触所述多个金属氧化物纳米片的至少两个金属氧化物纳米片；和其中所述多个金属氧化物纳米片的至少两个金属氧化物纳米片彼此接触以提供电连接。
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公开(公告)号：CN105590665A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201510770231.5
申请日：2015-11-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01B1/22 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C23F1/32 , D06M15/564 , D06M23/005 , D06M2101/00 , G06F3/041 , G06F3/0412 , G06F3/044 , G06F2203/04103 , G06F2203/04112 , H01L29/0673 , H01L29/413 , H01L31/022491 , H01L33/42 , H01B5/14 , H01B13/00
Abstract: 实例实施方式涉及纳米结构体、其制备方法及包括该纳米结构体的面板单元，所述纳米结构体包括导电区和非导电区，其中所述导电区包括至少一根第一纳米线，和所述非导电区包括至少一根至少部分地截断的第二纳米线。
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