公开(公告)号：CN106448733B

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN201610665846.6

申请日：2016-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林惠镇 ,  尹盛远 ,  朴一汉

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/06 ,  G11C16/34

Abstract: 本发明公开了非易失性存储器设备和编程方法和其编程验证方法。一种用于非易失性存储器设备的编程验证方法，包括：关于第一级执行第一失败位计数操作以生成第一失败位累积值，并且将第一失败位累积值与第一失败参考值相比较以确定编程失败。当第一失败位累积值小于第一失败参考值时，执行用于第二阶段的第二失败位计数操作以生成第二失败位累积值。将第二失败位累积值与第二参考值相比较以确定编程失败。第二失败参考值不同于第一失败参考值。

公开(公告)号：CN107422982B

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN201710236665.6

申请日：2017-04-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林惠镇 ,  李真烨 ,  姜京花 ,  金珉奭 ,  金敏洙 ,  尹盛远

IPC: G06F3/06

Abstract: 本发明涉及一种包括非易失性存储器和控制器的存储装置，所述控制器配置为根据外部主机装置的请求生成读取命令并传输读取命令至非易失性存储器。非易失性存储器配置为响应读取命令执行读取操作，输出读取数据至控制器，并储存读取操作的信息在内部寄存器中。

公开(公告)号：CN107017028A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201611168375.4

申请日：2016-12-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣民 ,  朴一汉 ,  尹盛远 ,  林惠镇

IPC: G11C16/34

CPC classification number: G11C16/3459 ,  G11C11/5671 ,  G11C16/08 ,  G11C16/10 ,  G11C16/3481 ,  G11C2211/562 ,  G11C2211/5621 ,  G11C2211/5644 ,  G11C16/3454

Abstract: 提供了一种非易失性存储器设备。存储单元阵列包括多个存储单元。地址译码器在第一编程循环中将第一验证电压提供至多个存储单元当中的所选择的存储单元，并且在第二编程循环中将第二验证电压提供至所选择的存储单元。控制逻辑基于第一编程循环的验证操作的结果，将第二编程循环确定为验证电压偏移点，在验证电压偏移点中将第一验证电压改变为第二验证电压。

公开(公告)号：CN107919147B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN201710883574.1

申请日：2017-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林惠镇 ,  朴一汉 ,  朴贤国 ,  尹盛远

IPC: G11C7/10 ,  G11C7/12

Abstract: 用于对非易失性存储器进行编程的方法包括：对在非易失性存储器中包含的存储单元中的低位进行编程，在对存储单元中的高位进行编程之前读取存储单元中编程的低位，根据读取低位的结果确定存储单元的阈值电压，使用所述阈值电压确定存储单元的类型，并根据所确定的存储单元的类型将多个脉冲之一供应给连接到存储单元的位线。

公开(公告)号：CN107017028B

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN201611168375.4

申请日：2016-12-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣民 ,  朴一汉 ,  尹盛远 ,  林惠镇

IPC: G11C16/34

Abstract: 提供了一种非易失性存储器设备。存储单元阵列包括多个存储单元。地址译码器在第一编程循环中将第一验证电压提供至多个存储单元当中的所选择的存储单元，并且在第二编程循环中将第二验证电压提供至所选择的存储单元。控制逻辑基于第一编程循环的验证操作的结果，将第二编程循环确定为验证电压偏移点，在验证电压偏移点中将第一验证电压改变为第二验证电压。

公开(公告)号：CN109841254B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN201811406794.6

申请日：2018-11-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹盛远 ,  林惠镇

IPC: G11C16/24 ,  G11C16/08 ,  G11C7/12 ,  G11C8/08

Abstract: 一种非易失性存储设备包含多个存储单元，所述存储单元包含第一存储单元和第二存储单元。一种对非易失性存储设备进行编程的方法，包含：执行第一编程，以将编程强制电压施加到每个第一存储单元的位线；并且在执行第一编程之后基于第二存储单元的阈值电压，将第二存储单元划分为第一单元组、第二单元组和第三单元组。所述方法还包含执行第二编程，以将编程禁止电压施加到每个第一存储单元的位线和第一单元组的每个存储单元的位线。所述编程强制电压的电平低于编程禁止电压的电平。

公开(公告)号：CN107919147A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201710883574.1

申请日：2017-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林惠镇 ,  朴一汉 ,  朴贤国 ,  尹盛远

IPC: G11C7/10 ,  G11C7/12

CPC classification number: G11C11/5628 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/08 ,  G11C16/3459 ,  G11C2211/5648 ,  G11C7/1051 ,  G11C7/12

Abstract: 用于对非易失性存储器件进行编程的方法包括：对在非易失性存储器件中包含的存储单元中的低位进行编程，在对存储单元中的高位进行编程之前读取存储单元中编程的低位，根据读取低位的结果确定存储单元的阈值电压，使用所述阈值电压确定存储单元的类型，并根据所确定的存储单元的类型将多个脉冲之一供应给连接到存储单元的位线。

公开(公告)号：CN106448733A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610665846.6

申请日：2016-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林惠镇 ,  尹盛远 ,  朴一汉

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/06 ,  G11C16/34

CPC classification number: G11C11/5628 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/10 ,  G11C16/3459 ,  G11C16/06 ,  G11C16/3436

Abstract: 本发明公开了非易失性存储器设备和编程方法和其编程验证方法。一种用于非易失性存储器设备的编程验证方法，包括：关于第一级执行第一失败位计数操作以生成第一失败位累积值，并且将第一失败位累积值与第一失败参考值相比较以确定编程失败。当第一失败位累积值小于第一失败参考值时，执行用于第二阶段的第二失败位计数操作以生成第二失败位累积值。将第二失败位累积值与第二参考值相比较以确定编程失败。第二失败参考值不同于第一失败参考值。

公开(公告)号：CN107305791B

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN201710096000.X

申请日：2017-02-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林惠镇 ,  李承宰 ,  朴一汉 ,  李康斌

IPC: G11C29/44 ,  G11C16/34

Abstract: 提供了存储装置和存储系统。所述存储装置包括：存储单元阵列，包括多个存储单元；计数电路，配置为通过对从所述多个存储单元读取的数据执行计数操作获得计数结果；以及控制逻辑，配置为在不涉及存储控制器的情况下基于计数结果执行数据恢复操作。

公开(公告)号：CN109841254A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201811406794.6

申请日：2018-11-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹盛远 ,  林惠镇

IPC: G11C16/24 ,  G11C16/08 ,  G11C7/12 ,  G11C8/08

Abstract: 一种非易失性存储设备包含多个存储单元，所述存储单元包含第一存储单元和第二存储单元。一种对非易失性存储设备进行编程的方法，包含：执行第一编程，以将编程强制电压施加到每个第一存储单元的位线；并且在执行第一编程之后基于第二存储单元的阈值电压，将第二存储单元划分为第一单元组、第二单元组和第三单元组。所述方法还包含执行第二编程，以将编程禁止电压施加到每个第一存储单元的位线和第一单元组的每个存储单元的位线。所述编程强制电压的电平低于编程禁止电压的电平。