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公开(公告)号:CN102191467A
公开(公告)日:2011-09-21
申请号:CN201110034991.1
申请日:2011-02-09
申请人: 三星电子株式会社
IPC分类号: C23C14/34 , C23C14/18 , H01L23/532 , H01L29/786 , H01L29/45 , H01L21/77
CPC分类号: H01L27/124 , C23C14/14 , C23C14/34 , H01L23/4827 , H01L23/52 , H01L29/786 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要: 本发明涉及金属布线、薄膜制造方法、TFT阵列面板及其制造方法。一种根据本发明示例性实施例的形成薄膜的方法包括以范围在大约1.5W/cm2至大约3W/cm2的功率密度以及以范围在大约0.2Pa至大约0.3Pa的惰性气体的压力形成薄膜。即使当该阻挡层比许多传统的阻挡层薄时,该工艺也获得了防止不期望的来自相邻层的扩散的非晶金属薄膜阻挡层。
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公开(公告)号:CN102104049A
公开(公告)日:2011-06-22
申请号:CN201010570119.4
申请日:2010-12-02
申请人: 三星电子株式会社
发明人: 宋溱镐 , 崔新逸 , 洪瑄英 , 金时烈 , 李基晔 , 尹在亨 , 金成烈 , 徐五成 , 裴良浩 , 郑钟铉 , 杨东周 , 金俸均 , 吴和烈 , 洪泌荀 , 金柄范 , 朴帝亨 , 丁有光 , 金钟仁 , 徐南锡
IPC分类号: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L29/49 , H01L23/52 , H01L21/77
CPC分类号: H01L27/124 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/1288 , H01L29/42368 , H01L29/458 , H01L29/78669
摘要: 本发明提供一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。薄膜晶体管阵列面板包括:栅极线;栅极绝缘层,覆盖栅极线;半导体层,设置在栅极绝缘层上;数据线和漏极,设置在半导体层上;钝化层,覆盖数据线和漏极,并具有暴露漏极的一部分的接触孔;像素电极,通过接触孔电连接到漏极。数据线和漏极均具有包括钛的下层和铜的上层的双层,下层比上层宽,且下层具有暴露的区域。栅极绝缘层可具有台阶形状。
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