公开(公告)号：CN101577283A

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200910138623.4

申请日：2009-05-06

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 权度县 ,  任忠烈 ,  卢大铉 ,  李一正 ,  刘喆浩

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/528 ,  H01L29/92 ,  H01L23/32 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L21/027 ,  G09F9/33

CPC classification number: H01L27/1255 ,  H01L27/1288 ,  H01L2227/323

Abstract: 一种薄膜晶体管(TFT)阵列构件和有机发光显示装置及其制造方法。该方法通过采用由两步蚀刻工艺紧随的半色调掩膜，并通过与源电极、漏电极和像素电极的各层的形成同时形成电容器的各层，来寻求减少TFT阵列构件的制造中所使用的掩膜的数目。结果，电容器的各层与源电极、漏电极和像素电极的各层中的相应层位于相同的水平并且由相同材料的制成。电容器具有由两个分开的介电层隔开的三个电极，从而在不增加电容器尺寸的情况下得到具有增加的电容的电容器。

公开(公告)号：CN102280488A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN201110113640.X

申请日：2011-04-28

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 卢大铉 ,  金成虎

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/78618 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/13685 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757

Abstract: 一种薄膜晶体管(TFT)、包括TFT的阵列基板及制造TFT和阵列基板的方法。所述TFT包括有源层和金属构件，所述金属构件与所述有源层的源区和漏区中的每一个的部分对应，并且被布置在所述有源层上，所述金属构件的部分接触所述有源层的所述源区和所述漏区以及源电极和漏电极，并且所述有源层的与在所述有源层的金属构件下面的部分对应的部分并不被掺杂。

公开(公告)号：CN101567380A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200910127597.5

申请日：2009-03-23

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 权度县 ,  李一正 ,  任忠烈 ,  卢大铉 ,  余钟模 ,  刘喆浩

IPC: H01L27/32 ,  H01L21/84 ,  H01L29/423 ,  H01L51/52 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L27/3248 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/4908 ,  H01L2227/323

Abstract: 本发明提供一种有机发光显示装置及其制造方法。所述有机发光显示装置包括：薄膜晶体管(TFT)，具有栅电极、源电极、漏电极和半导体层，源电极和漏电极与栅电极绝缘，半导体层与栅电极绝缘并接触源电极和漏电极中的每个；像素电极，电连接到源电极和漏电极中的一个。栅电极由第一导电层和第一导电层上的第二导电层制成，像素电极和栅电极的第一导电层由相同的材料形成，并且像素电极和栅电极的第一导电层形成在相同的层上。