公开(公告)号：CN101901878A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN201010193908.0

申请日：2010-06-01

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 任忠烈 ,  俞庚辰 ,  刘喆浩

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/54

CPC classification number: H01L51/5218 ,  H01L2251/308

Abstract: 本发明提供了一种有机发光二极管(OLED)，所述有机发光二极管包括基底、第一电极、第二电极和设置在第一电极和第二电极之间的有机层。第一电极包括铝(Al)基反射膜和与Al基反射膜接触的透明导电膜。Al基反射膜包括铝、第一元素和镍(Ni)。在此结构中，不会在Al基反射膜5a和透明导电膜5b之间发生因电极之间的电势差而产生的电偶腐蚀。因而，防止OLED质量的劣化。

公开(公告)号：CN101577283A

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200910138623.4

申请日：2009-05-06

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 权度县 ,  任忠烈 ,  卢大铉 ,  李一正 ,  刘喆浩

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/528 ,  H01L29/92 ,  H01L23/32 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L21/027 ,  G09F9/33

CPC classification number: H01L27/1255 ,  H01L27/1288 ,  H01L2227/323

Abstract: 一种薄膜晶体管(TFT)阵列构件和有机发光显示装置及其制造方法。该方法通过采用由两步蚀刻工艺紧随的半色调掩膜，并通过与源电极、漏电极和像素电极的各层的形成同时形成电容器的各层，来寻求减少TFT阵列构件的制造中所使用的掩膜的数目。结果，电容器的各层与源电极、漏电极和像素电极的各层中的相应层位于相同的水平并且由相同材料的制成。电容器具有由两个分开的介电层隔开的三个电极，从而在不增加电容器尺寸的情况下得到具有增加的电容的电容器。

公开(公告)号：CN101567380A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200910127597.5

申请日：2009-03-23

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 权度县 ,  李一正 ,  任忠烈 ,  卢大铉 ,  余钟模 ,  刘喆浩

IPC: H01L27/32 ,  H01L21/84 ,  H01L29/423 ,  H01L51/52 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L27/3248 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/4908 ,  H01L2227/323

Abstract: 本发明提供一种有机发光显示装置及其制造方法。所述有机发光显示装置包括：薄膜晶体管(TFT)，具有栅电极、源电极、漏电极和半导体层，源电极和漏电极与栅电极绝缘，半导体层与栅电极绝缘并接触源电极和漏电极中的每个；像素电极，电连接到源电极和漏电极中的一个。栅电极由第一导电层和第一导电层上的第二导电层制成，像素电极和栅电极的第一导电层由相同的材料形成，并且像素电极和栅电极的第一导电层形成在相同的层上。

公开(公告)号：CN100481350C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200410103351.1

申请日：2004-12-31

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 李相雄 ,  吴栽荣 ,  梁泰勋 ,  徐晋旭 ,  李基龙 ,  刘喆浩

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/00 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明提供了一种制造薄膜晶体管的方法，其步骤包括：制备绝缘基片；在该基片上形成非晶硅层；在该非晶硅层上形成具有1.78至1.90的折射率的盖层；在该盖层上形成金属催化剂层；通过对该基片的热处理而使非晶硅层晶化成多晶硅层。由于通过控制氮化物膜盖层的折射率到1.78至1.90从而获得大晶粒尺寸的半导体层来使电子迁移率增加并且残余金属催化剂的数量减少，从而降低漏电流，所以这种晶体管具有优良的特性，并能够通过利用盖层的折射率控制多晶硅层的晶粒尺寸来获得具有所希望的晶粒尺寸和均匀性的多晶硅层从而控制其特性。

公开(公告)号：CN101794049A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN201010108451.9

申请日：2010-01-29

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 余钟模 ,  卢大县 ,  权度县 ,  任忠烈 ,  赵秀范 ,  都性沅 ,  李一正 ,  刘喆浩

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1333 ,  G09F9/33 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/3248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3265 ,  H01L29/4908 ,  H01L51/5206 ,  H01L2227/323

Abstract: 本发明公开了一种可以使用掩模利用较少的图案化操作制造的平板显示装置及其制造方法，该平板显示装置包括：基底；薄膜晶体管(TFT)的有源层；电容器的第一底电极和第一顶电极；形成在基底上第一绝缘层；与沟道区对应的栅极底电极和栅极顶电极；电容器的第二底电极和第二顶电极；像素底电极和像素顶电极；形成在栅极顶电极、电容器的第二顶电极和像素顶电极上的第二绝缘层；形成在第二绝缘层上的源电极和漏电极。