公开(公告)号：CN101826556A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN201010124380.1

申请日：2010-02-26

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  梁泰勋 ,  徐晋旭 ,  李基龙 ,  马克西姆·利萨琴科 ,  崔宝京 ,  李大宇 ,  李吉远 ,  李东炫 ,  朴钟力 ,  安志洙 ,  金永大 ,  罗兴烈 ,  郑珉在 ,  郑胤谟 ,  洪钟元 ,  姜有珍 ,  张锡洛 ,  郑在琓 ,  尹祥渊

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/6675 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管(TFT)和有机发光二极管(OLED)显示器装置。所述TFT和OLED显示器装置包括基板；缓冲层，所述缓冲层位于所述基板上；半导体层，所述半导体层位于所述缓冲层上；栅电极，所述栅电极与所述半导体层绝缘；栅绝缘层，所述栅绝缘层将所述半导体层与所述栅电极绝缘；以及源电极和漏电极，所述源电极和漏电极与所述栅电极绝缘，且部分连接所述半导体层，其中所述半导体层由金属催化剂结晶化的多晶硅层形成，且所述金属催化剂通过使用蚀刻剂吸杂来去除。此外，OLED显示器装置包括绝缘层，所述绝缘层位于所述基板的整个表面上；第一电极，所述第一电极位于所述绝缘层上，且电连接所述源电极和漏电极其中之一；有机层；和第二电极。

公开(公告)号：CN101771086B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200910258921.7

申请日：2009-12-30

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  李东炫 ,  李吉远 ,  梁泰勋 ,  徐晋旭 ,  李基龙 ,  安志洙 ,  马克西姆·利萨琴科

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/38 ,  H01L21/336 ,  H01L21/332 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管、制造所述薄膜晶体管的方法和包括所述薄膜晶体管的有机发光二极管(OLED)显示装置，所述薄膜晶体管包括：基板；在所述基板上形成的缓冲层；布置在所述缓冲层上的第一半导体层；布置在所述第一半导体层上的第二半导体层，所述第二半导体层大于所述第一半导体层；与所述第一半导体层和所述第二半导体层绝缘的栅极；使所述栅极与所述第一半导体层和所述第二半导体层绝缘的栅绝缘层；与所述栅极绝缘并与所述第二半导体层连接的源极和漏极；布置在所述源极和漏极上的绝缘层，以及与源极和漏极之一连接的有机发光二极管。

公开(公告)号：CN101771086A

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：CN200910258921.7

申请日：2009-12-30

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  李东炫 ,  李吉远 ,  梁泰勋 ,  徐晋旭 ,  李基龙 ,  安志洙 ,  马克西姆·利萨琴科

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/38 ,  H01L21/336 ,  H01L21/332 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管、制造所述薄膜晶体管的方法和包括所述薄膜晶体管的有机发光二极管(OLED)显示装置，所述薄膜晶体管包括：基板；在所述基板上形成的缓冲层；布置在所述缓冲层上的第一半导体层；布置在所述第一半导体层上的第二半导体层，所述第二半导体层大于所述第一半导体层；与所述第一半导体层和所述第二半导体层绝缘的栅极；使所述栅极与所述第一半导体层和所述第二半导体层绝缘的栅绝缘层；与所述栅极绝缘并与所述第二半导体层连接的源极和漏极；布置在所述源极和漏极上的绝缘层，以及与源极和漏极之一连接的有机发光二极管。

公开(公告)号：CN101740565A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910209384.7

申请日：2009-11-04

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 安志洙 ,  金圣哲 ,  金秉胄

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/786 ,  H01L23/52 ,  H01L21/82 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/1285

Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管及其制造方法和包括该薄膜晶体管的有机发光二极管显示装置。一种用于有机发光二极管装置的薄膜晶体管包括：包括像素部分和互连部分的基板；在基板上的缓冲层；在缓冲层上的栅电极和栅极互连件，其中，栅电极位于像素部分，栅极互连件位于互连部分；在基板上的栅极绝缘层；在栅电极上的半导体层；电连接到半导体层的源电极和漏电极；在栅极互连件上的金属图案。

公开(公告)号：CN101494242A

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200910001981.0

申请日：2009-01-24

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 安志洙 ,  朴炳建 ,  梁泰勋 ,  徐晋旭 ,  李吉远 ,  李基龙 ,  金圣哲

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/43 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管(TFT)及其制备方法，以及包含所述TFT的有机发光二极管(OLED)显示装置；所述TFT包括衬底、布置在衬底上的栅极、布置在栅极上的栅绝缘层、布置在栅绝缘层上并使用金属催化剂结晶的半导体层，以及布置在半导体层上并电连接到半导体层的源区和漏区的源极和漏极。将第二金属扩散到所述半导体层的表面区域里，以吸除所述半导体层的沟道区中的金属催化剂。第二金属在硅中的扩散系数比上述金属催化剂更低。