公开(公告)号：CN101630693B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200910159484.3

申请日：2009-07-14

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  徐晋旭 ,  梁泰勋 ,  李吉远

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明公开一种薄膜晶体管(TFT)、其制造方法及有机发光二极管(OLED)显示装置。所述TFT包括：基板；布置在所述基板上的多晶硅(poly-Si)半导体层，包括：源区、漏区和沟道区，结晶诱导金属，布置在所述半导体层的相对边缘上的第一吸除部位，以及与所述第一吸除部位分隔开的第二吸除部位；布置在所述半导体层上的栅绝缘层；布置在所述栅绝缘层上的栅极；布置在所述栅极上的层间绝缘层；以及布置在所述层间绝缘层上并且电连接至所述半导体层的源区和漏区的源极和漏极。

公开(公告)号：CN102312218A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110006623.6

申请日：2011-01-10

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 郑珉在 ,  李基龙 ,  洪钟元 ,  罗兴烈 ,  姜有珍 ,  张锡洛 ,  徐晋旭 ,  梁泰勋 ,  郑胤谟 ,  苏炳洙 ,  朴炳建 ,  李东炫 ,  李吉远 ,  白原奉 ,  朴钟力 ,  崔宝京 ,  伊凡·马伊达楚克 ,  郑在琓

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/455 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/4481 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/52

Abstract: 一种用于沉积装置的罐和使用罐的沉积装置，并且更为具体地，一种能够提供包含在供应到沉积室中的反应气体中的均匀量的原材料并且提高原材料供应的安全性的沉积装置的罐，以及使用罐的沉积装置。该沉积装置包括：沉积室；将反应气体供应到该沉积室的罐；以及用于将载气供应到罐的载气供应器，其中该罐包括主体、加热该主体的加热单元以及布置在该主体下方的温度测量单元。

公开(公告)号：CN102082077A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN201010517117.9

申请日：2010-10-15

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 李东炫 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  梁泰勋 ,  郑胤谟 ,  朴炳建 ,  李吉远 ,  朴钟力 ,  崔宝京 ,  苏炳洙

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明提供了一种制造多晶硅层的方法、一种使用该多晶硅层的薄膜晶体管、一种包括该多晶硅层的有机发光二极管显示装置及它们的制造方法。制造多晶硅层的方法包括：将缓冲层形成在基底上；将金属催化剂层形成在缓冲层上；使金属催化剂层中的金属催化剂扩散到缓冲层中；去除金属催化剂层；将非晶硅层形成在缓冲层上；对基底进行退火以使非晶硅层结晶成多晶硅层。薄膜晶体管包括：基底；缓冲层，设置在基底上；半导体层，设置在缓冲层上；栅绝缘层，设置在基底的上方并设置在半导体层上；栅电极，设置在栅绝缘层上；源电极和漏电极，均电连接到半导体层；金属硅化物，设置在缓冲层和半导体层之间。

公开(公告)号：CN101252150B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200710307439.9

申请日：2007-12-27

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 徐晋旭 ,  朴炳建 ,  梁泰勋 ,  李基龙

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/78675 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757

Abstract: 一种薄膜晶体管，包括：衬底；设置在衬底上的半导体层，包括源极区域、漏极区域和沟道区域，并且由多晶硅层构成；设置成与半导体层的沟道区域对应的栅极电极；设置在半导体层和栅极电极之间的栅极绝缘层；以及分别电连接到半导体层的源极区域和漏极区域的源极电极和漏极电极，其中，多晶硅层包括相互具有不同拉曼谱峰值的多个区域。

公开(公告)号：CN101826556A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN201010124380.1

申请日：2010-02-26

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  梁泰勋 ,  徐晋旭 ,  李基龙 ,  马克西姆·利萨琴科 ,  崔宝京 ,  李大宇 ,  李吉远 ,  李东炫 ,  朴钟力 ,  安志洙 ,  金永大 ,  罗兴烈 ,  郑珉在 ,  郑胤谟 ,  洪钟元 ,  姜有珍 ,  张锡洛 ,  郑在琓 ,  尹祥渊

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/6675 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管(TFT)和有机发光二极管(OLED)显示器装置。所述TFT和OLED显示器装置包括基板；缓冲层，所述缓冲层位于所述基板上；半导体层，所述半导体层位于所述缓冲层上；栅电极，所述栅电极与所述半导体层绝缘；栅绝缘层，所述栅绝缘层将所述半导体层与所述栅电极绝缘；以及源电极和漏电极，所述源电极和漏电极与所述栅电极绝缘，且部分连接所述半导体层，其中所述半导体层由金属催化剂结晶化的多晶硅层形成，且所述金属催化剂通过使用蚀刻剂吸杂来去除。此外，OLED显示器装置包括绝缘层，所述绝缘层位于所述基板的整个表面上；第一电极，所述第一电极位于所述绝缘层上，且电连接所述源电极和漏电极其中之一；有机层；和第二电极。

公开(公告)号：CN101826555A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN201010122246.8

申请日：2010-03-02

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 李东炫 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  梁泰勋 ,  朴炳建 ,  李吉远 ,  马克西姆·莉萨契克 ,  郑在琓

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管、其制造方法及具有其的有机发光二极管显示装置，所述薄膜晶体管包括：基底；硅层，形成在基底上；扩散层，形成在硅层上；利用金属催化剂结晶化的半导体层，形成在扩散层上；栅电极，设置在扩散层上，面对半导体层的沟道区；栅极绝缘层，设置在栅电极和半导体层之间；源电极和漏电极，分别电连接到半导体层的源极区和漏极区。

公开(公告)号：CN100585838C

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200610166981.2

申请日：2006-12-13

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 梁泰勋 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  朴炳建

IPC: H01L23/00 ,  H01L29/786 ,  H01L27/32 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  C30B29/06

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L27/1277

Abstract: 提供了一种多晶硅层、采用所述多晶硅层的平板显示器和制造所述多晶硅层的方法。在基板上形成非晶硅层。在非晶硅层上形成第一图案层、第二图案层和金属催化剂层。形成第一图案层和第二图案层以界定一个至少400μm2的区域，金属催化剂层的金属催化剂在所述区域内扩散到非晶硅层内。通过扩散的金属催化剂使晶种区结晶。在结晶区从晶种区生长之后，在结晶区上形成半导体层，从而制造具有良好特性的薄膜晶体管。采用其制造平板显示器。

公开(公告)号：CN100552976C

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200510082116.5

申请日：2005-06-29

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  徐晋旭 ,  梁泰勋 ,  李基龙

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/02 ,  H01L21/00 ,  H01L21/336 ,  G02F1/136 ,  G09G3/38

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1277

Abstract: 一种半导体器件中的薄膜晶体管的半导体层和电容器的第一电极是由非晶硅形成的，而且半导体层的源/漏极区的整个部分或一部分和电容器的第一电极是通过金属诱导晶化方法晶化的，半导体层的沟道区是通过金属诱导横向晶化方法晶化的。

公开(公告)号：CN100481509C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200410075895.1

申请日：2004-12-31

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 梁泰勋 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  朴炳建

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78654 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管及其制造方法。通过均匀控制晶化催化剂的低浓度和控制晶化位置使得在薄膜晶体管的沟道层中不存在籽晶并且不存在晶界或只存在一个晶界，从而开发出一种具有改进的特性和均匀性的薄膜晶体管。薄膜晶体管包括：衬底；在衬底上形成的半导体层图案，该半导体层图案具有不存在籽晶且不存在晶界的沟道层；在半导体层图案上形成的栅绝缘膜；以及在栅绝缘膜上形成的栅电极。一种用于制造薄膜晶体管的方法包括：在衬底上形成非晶硅层；通过晶化并构图非晶硅层，形成具有其中不存在籽晶且不存在晶界的沟道层的半导体层图案；在半导体层图案上形成栅绝缘膜；以及在栅绝缘膜上形成栅电极。

公开(公告)号：CN101826548B

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201010123974.0

申请日：2010-02-26

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  梁泰勋 ,  徐晋旭 ,  赵秀范 ,  李东炫 ,  李吉远 ,  马克西姆·莉萨契克 ,  郑胤谟 ,  崔宝京 ,  朴钟力 ,  李基龙

IPC: H01L27/32 ,  H01L21/82 ,  H01L29/92 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L51/52 ,  H01L27/3265 ,  H01L2227/323

Abstract: 本发明提供了一种有机发光二极管(OLED)显示装置及其制造方法。所述OLED显示装置包括：基底，具有薄膜晶体管区域和电容器区域；缓冲层，设置在所述基底上；栅极绝缘层，设置在基底上；下电容器电极，设置在电容器区域中的栅极绝缘层上；层间绝缘层，设置在基底上；上电容器电极，设置在层间绝缘层上并且面对下电容器电极，其中，缓冲层、栅极绝缘层、层间绝缘层、下电容器电极和上电容器电极中的每个的区域具有这样的表面，在这些表面中形成形状与半导体层的晶界的形状相同的突起。所得电容器具有增加的表面面积，因此增大了电容。