公开(公告)号：CN101826548B

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201010123974.0

申请日：2010-02-26

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  梁泰勋 ,  徐晋旭 ,  赵秀范 ,  李东炫 ,  李吉远 ,  马克西姆·莉萨契克 ,  郑胤谟 ,  崔宝京 ,  朴钟力 ,  李基龙

IPC: H01L27/32 ,  H01L21/82 ,  H01L29/92 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L51/52 ,  H01L27/3265 ,  H01L2227/323

Abstract: 本发明提供了一种有机发光二极管(OLED)显示装置及其制造方法。所述OLED显示装置包括：基底，具有薄膜晶体管区域和电容器区域；缓冲层，设置在所述基底上；栅极绝缘层，设置在基底上；下电容器电极，设置在电容器区域中的栅极绝缘层上；层间绝缘层，设置在基底上；上电容器电极，设置在层间绝缘层上并且面对下电容器电极，其中，缓冲层、栅极绝缘层、层间绝缘层、下电容器电极和上电容器电极中的每个的区域具有这样的表面，在这些表面中形成形状与半导体层的晶界的形状相同的突起。所得电容器具有增加的表面面积，因此增大了电容。

公开(公告)号：CN102386090A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110235311.2

申请日：2011-08-16

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  李卓泳 ,  朴钟力 ,  郑胤谟 ,  徐晋旭 ,  李基龙 ,  郑珉在 ,  孙榕德 ,  苏炳洙 ,  朴承圭 ,  李吉远 ,  李东炫 ,  郑在琓 ,  伊凡·马伊达楚克

IPC: H01L21/324 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L29/78675 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/66757

Abstract: 一种形成多晶硅层的方法，包括：在基板上形成非晶硅层；在所述非晶硅层上形成金属催化剂；在形成所述金属催化剂的所述非晶硅层的整个表面上形成吸杂金属层；以及执行热处理。一种薄膜晶体管包括所述多晶硅层，并且一种有机发光器件包括所述薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN101373792B

公开(公告)日：2012-03-07

申请号：CN200810212607.0

申请日：2008-08-21

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  徐晋旭 ,  梁泰勋 ,  李吉远

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L29/43 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管(TFT)、一种具有该TFT的有机发光二极管显示装置及其制造方法。该TFT包括：基底；半导体层，设置在基底上并包括沟道区、源区和漏区；栅电极，设置在与半导体层的沟道区对应的位置处；栅极绝缘层，置于栅电极和半导体层之间，以使半导体层与栅电极电绝缘；金属结构，由金属层、金属硅化物层、或者金属层和金属硅化物层的双层组成，所述金属结构与栅电极分隔开，并在半导体层的上方或下方设置在与半导体层的除了沟道区的区域对应的位置处，所述金属结构由与栅电极的材料相同的材料形成；源电极和漏电极，电连接到半导体层的源区和漏区。

公开(公告)号：CN1983571B

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200610166982.7

申请日：2006-12-13

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 梁泰勋 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  朴炳建

IPC: H01L23/00 ,  H01L29/786 ,  H01L27/32 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  C30B29/06

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L27/1277

Abstract: 本发明公开了一种多晶硅层，一种使用所述多晶硅层的平板显示器及其制造方法。所述多晶硅层通过使用超晶粒硅结晶(SGS)技术结晶非晶硅层的籽晶区而形成。所述籽晶区的结晶度扩散入籽晶区之外的结晶区。所述结晶区形成为可以被结合以制成驱动平板显示器的薄膜晶体管的半导体层。用本发明的方法制成的所述半导体层提供了一致的晶界的生长，并且改善了由所述半导体层制成的薄膜晶体管的特性。

公开(公告)号：CN101942640A

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN201010224415.9

申请日：2010-07-07

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 罗兴烈 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  郑珉在 ,  洪钟元 ,  姜有珍 ,  张锡洛 ,  梁泰勋 ,  郑胤谟 ,  苏炳洙 ,  朴炳建 ,  伊凡·马伊达楚克 ,  李东炫 ,  李吉远 ,  白原奉 ,  朴钟力 ,  崔宝京 ,  郑在琓

IPC: C23C14/24 ,  C23C16/448 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45525 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/52 ,  Y10T137/6416

Abstract: 本发明公开一种用于沉积装置的罐和一种利用该罐的沉积装置和方法，所述罐在原料通过原子层沉积被沉积在基板上时能够保持包含在供应到沉积室的反应气体中的原料的预定量，该罐包括：主体、被配置为存储原料的原料存储器、设置在所述主体的外侧的加热器以及被配置为控制所述原料从所述原料存储器供应到所述主体的第一供给控制器。

公开(公告)号：CN101771087A

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：CN200910258925.5

申请日：2009-12-30

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 李东炫 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  梁泰勋 ,  马克西姆·利萨琴科 ,  朴炳建 ,  李吉远 ,  郑在琓

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/38 ,  H01L21/336 ,  H01L21/322 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78696

Abstract: 一种薄膜晶体管、制备该薄膜晶体管的方法以及装备有该薄膜晶体管的有机发光二极管(OLED)显示设备，其中该薄膜晶体管包括：基板、置于所述基板上的缓冲层、置于所述缓冲层上的第一半导体层和第二半导体层、与所述第一半导体层和所述第二半导体层绝缘的栅极电极、将所述栅极电极与所述第一半导体层和所述第二半导体层绝缘的栅极绝缘层、以及与所述栅极电极绝缘并且部分连接到所述第二半导体层的源极和漏极电极，其中所述第二半导体层置于所述第一半导体层上。

公开(公告)号：CN101630693A

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200910159484.3

申请日：2009-07-14

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  徐晋旭 ,  梁泰勋 ,  李吉远

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明公开一种薄膜晶体管(TFT)、其制造方法及有机发光二极管(OLED)显示装置。所述TFT包括：基板；布置在所述基板上的多晶硅(poly-Si)半导体层，包括：源区、漏区和沟道区，结晶诱导金属，布置在所述半导体层的相对边缘上的第一吸除部位，以及与所述第一吸除部位分隔开的第二吸除部位；布置在所述半导体层上的栅绝缘层；布置在所述栅绝缘层上的栅极；布置在所述栅极上的层间绝缘层；以及布置在所述层间绝缘层上并且电连接至所述半导体层的源区和漏区的源极和漏极。

公开(公告)号：CN101546782A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200910127094.8

申请日：2009-03-27

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  徐晋旭 ,  梁泰勋 ,  李吉远 ,  李东炫

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/78615 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757

Abstract: 薄膜晶体管、其制造方法及有机发光二极管显示装置。该薄膜晶体管包括：基板；布置在所述基板上的半导体层，包括沟道区、源极区、漏极区和基体接触区；布置在所述半导体层上从而使所述第一基体接触区暴露的栅极绝缘层；布置在所述栅极绝缘层上从而接触所述第一基体接触区的栅电极；布置在所述栅电极上的层间绝缘层；以及布置在所述层间绝缘层上并且被电连接至所述源极区和所述漏极区的源电极和漏电极。所述基体接触区被形成在所述半导体层的边缘中。

公开(公告)号：CN101494242A

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200910001981.0

申请日：2009-01-24

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 安志洙 ,  朴炳建 ,  梁泰勋 ,  徐晋旭 ,  李吉远 ,  李基龙 ,  金圣哲

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/43 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管(TFT)及其制备方法，以及包含所述TFT的有机发光二极管(OLED)显示装置；所述TFT包括衬底、布置在衬底上的栅极、布置在栅极上的栅绝缘层、布置在栅绝缘层上并使用金属催化剂结晶的半导体层，以及布置在半导体层上并电连接到半导体层的源区和漏区的源极和漏极。将第二金属扩散到所述半导体层的表面区域里，以吸除所述半导体层的沟道区中的金属催化剂。第二金属在硅中的扩散系数比上述金属催化剂更低。

公开(公告)号：CN101771087B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200910258925.5

申请日：2009-12-30

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 李东炫 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  梁泰勋 ,  马克西姆·利萨琴科 ,  朴炳建 ,  李吉远 ,  郑在琓

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/38 ,  H01L21/336 ,  H01L21/322 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78696

Abstract: 一种薄膜晶体管、制备该薄膜晶体管的方法以及装备有该薄膜晶体管的有机发光二极管(OLED)显示设备，其中该薄膜晶体管包括：基板、置于所述基板上的缓冲层、置于所述缓冲层上的第一半导体层和第二半导体层、与所述第一半导体层和所述第二半导体层绝缘的栅极电极、将所述栅极电极与所述第一半导体层和所述第二半导体层绝缘的栅极绝缘层、以及与所述栅极电极绝缘并且部分连接到所述第二半导体层的源极和漏极电极，其中所述第二半导体层置于所述第一半导体层上。