公开(公告)号：CN108615786B

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201810538191.5

申请日：2018-05-30

Applicant: 上海大学

Inventor： 王处泽 ,  张继军 ,  闵嘉华 ,  薛瑶 ,  王林军 ,  梁小燕 ,  师好智 ,  黄健 ,  唐可 ,  凌立文

IPC: H01L31/119 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种碲锌镉辐射敏感场效应晶体管及其制备方法，在碲锌镉衬底上形成辐射敏感场效应晶体管，该器件的栅极绝缘层为高阻碲锌镉薄膜，加强了探测器对于高能射线的捕获能力和灵敏度。低阻碲锌镉衬底作为沟道层，与绝缘层晶格常数匹配，增加了器件的稳定性。对于低阻碲锌镉衬底进行离子注入工艺，引入高浓度的杂质陷阱，可以有效调节器件的阈值电压，减小源漏接触电阻，增加器件灵敏度。该RadFET结构探测器工艺简单，对于碲锌镉晶体要求较低，适用于辐射剂量的探测，具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN108615786A

公开(公告)日：2018-10-02

申请号：CN201810538191.5

申请日：2018-05-30

Applicant: 上海大学

Inventor： 王处泽 ,  张继军 ,  闵嘉华 ,  薛瑶 ,  王林军 ,  梁小燕 ,  师好智 ,  黄健 ,  唐可 ,  凌立文

IPC: H01L31/119 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种碲锌镉辐射敏感场效应晶体管及其制备方法，在碲锌镉衬底上形成辐射敏感场效应晶体管，该器件的栅极绝缘层为高阻碲锌镉薄膜，加强了探测器对于高能射线的捕获能力和灵敏度。低阻碲锌镉衬底作为沟道层，与绝缘层晶格常数匹配，增加了器件的稳定性。对于低阻碲锌镉衬底进行离子注入工艺，引入高浓度的杂质陷阱，可以有效调节器件的阈值电压，减小源漏接触电阻，增加器件灵敏度。该RadFET结构探测器工艺简单，对于碲锌镉晶体要求较低，适用于辐射剂量的探测，具有广泛的应用前景。