公开(公告)号：CN119277952A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202310831203.4

申请日：2023-07-07

Applicant: 上海师范大学

Inventor： 赵祥永 ,  刘亚琦 ,  周迅 ,  岳晴雯 ,  张巧珍 ,  王飞飞 ,  唐艳学

IPC: H10N30/85 ,  H10N30/853

Abstract: 本发明公开了一种压电复合材料，属于功能材料技术领域。该压电复合材料由基于(1‑x)Na0.5Bi0.5TiO3‑xBaTiO3的无铅压电晶体的压电相材料和基于环氧树脂的非压电相材料组成；NBBT单晶为均匀切割成网格状晶柱的四棱柱，环氧树脂填充在其网格的切割槽中；所述压电复合材料的高度为85～95μm，每个所述晶柱的边长为45～55μm，所述切割槽的宽度为18～22μm，其工作频率为10～20MHz。本发明的压电复合材料具有高于80％的机电耦合系数，达到了基于PMN‑PT等含铅压电晶体的压电复合材料的性能水平，可以代替目前使用的含铅的压电复合材料而广泛使用，且安全环保。

公开(公告)号：CN114171672A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202111461560.3

申请日：2021-12-02

Applicant: 上海师范大学

Inventor： 赵祥永 ,  周迅 ,  岳晴雯 ,  王飞飞 ,  唐艳学 ,  张巧珍

IPC: H01L41/18 ,  H01L41/187 ,  H01L41/37

Abstract: 本发明涉及一种高频高机电耦合系数的无铅压电单晶复合材料及制备方法，属于复合材料制备技术领域，其特征在于：由无铅压电材料和非压电相材料组成，无铅压电材料为上半部被均匀切割成网格状晶柱的四棱柱，非压电相材料填充在其网格的切割槽中。本发明克服现有复合材料中铅基压电材料在制备、使用、回收和废弃的过程中所带来的对环境与人体的危害，并提供了相应的制备方法以克服无铅压电单晶易碎易裂，切割小尺寸晶柱易倒塌的问题。

公开(公告)号：CN109868502A

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：CN201910320298.7

申请日：2019-04-19

Applicant: 上海师范大学

Inventor： 赵祥永 ,  薛赛东 ,  罗豪甦 ,  邓昊 ,  王飞飞 ,  其他发明人请求不公开姓名

IPC: C30B15/00 ,  C30B29/30 ,  C30B33/02

Abstract: 本发明一种稀土掺杂铌酸盐单晶上转换发光材料及其制备方法，涉及上转换发光材料技术领域，包括步骤：A按照摩尔比配制理论组分为yEr-KxNa1-xNbO3的多晶料；B按照摩尔比配制晶体生长起始用料；C将晶体生长起始用料放入生长坩埚中，在温度1000～1400℃下用顶部籽晶生长法生长Er-KNN单晶；D对Er-KNN单晶进行退火；E测试制品的上转换发光性能。本发明可以生长大尺寸Er-KNN单晶。特别，制品在温度400～600℃真空退火之后上转换发光特性消失，在温度700～800℃氧气退火后制品上转换发光强度增强近20倍。因此，Er-KNN单晶为氧气传感器、光波导等领域提供坚实的技术物质基础。

公开(公告)号：CN106328803A

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201610889349.4

申请日：2016-10-12

Applicant: 上海师范大学

Inventor： 王飞飞 ,  陆斌 ,  施盛杰 ,  徐磊 ,  刘雲 ,  石旺舟

IPC: H01L41/113 ,  H01L41/187 ,  H01L41/053 ,  H01L41/39

CPC classification number: H01L41/113 ,  H01L41/053 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/39

Abstract: 本发明公开了一种压电能量回收器件，包括压电纳米纤维材料、聚二甲基硅氧烷、输出端电极及导线、金叉指电极和柔性基底板，且金叉指电极镀设于柔性基底板的一侧，且输出端电极及导线与金叉指电极电性连接，压电纳米纤维材料和聚二甲基硅氧烷的混合层设于柔性基底板上设有金叉指电极的一侧，压电纳米纤维材料、柔性基底板上和金叉指电极通过聚二甲基硅氧烷进行封装固定。本发明是一种具有小体积、轻质量、绿色环保、柔韧性好、综合性能优良的压电能量回收器件。可为微型化集成化领域的能源问题提供新的解决方案，也可对整个智能穿戴行业及智能城市的发展产生一定影响，随之将会带来良好的经济和社会效益。

公开(公告)号：CN102718479A

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201210240525.3

申请日：2012-07-12

Applicant: 上海师范大学

Inventor： 王飞飞 ,  石旺舟 ,  徐敏 ,  金成超 ,  姚其容

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 一种具有高电致伸缩系数的钛酸铋钠基无铅陶瓷，所述的钛酸铋钠基无铅体系的组成成分为(0.935-x)Bi0.5Na0.5TiO3-0.065BaTiO3-xSrTiO3，其中0.26≤x≤0.34。采用两步烧结法制备而成，将烧结后的陶瓷片用磨片机磨至1mm左右，利用丝网印刷双面刷上银电极，在650℃空气中烧银。对烧制电极的陶瓷片测试其XRD、电滞回线和场致应变。这种环境友好的高电致伸缩系数材料应用于位移控制领域。本发明的效果在于：与当前的电致伸缩体系相比，本发明具有环境友好、制备简单、高电致伸缩响应等优点。

公开(公告)号：CN119110666A

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202411078574.0

申请日：2024-08-07

Applicant: 上海师范大学

Inventor： 赵祥永 ,  杨继业 ,  段志华 ,  王飞飞

IPC: H10N30/086 ,  H10N30/082 ,  B81C1/00 ,  H03H3/00 ,  H03H3/007

Abstract: 本发明涉及压电薄膜晶圆的制备，属于MEMS领域。一种大尺寸压电薄膜晶圆的减薄方法，其特征在于包括如下步骤：首先，通过衬底图形化工艺，在衬底上制备出一个高度略大于或者等于薄膜晶圆目标厚度的限位凹槽，然后将压电晶圆键合在所述限位凹槽内，最后进行化学研磨，当压电晶圆薄膜被研磨到与衬底上所述限位凹槽的周边高度齐平，从而精准控制压电薄膜晶圆的减薄。本发明的方法能够精准控制压电晶圆薄膜的厚度，解决现在减薄工艺中出现的无法精准控制厚度，导致开裂以及破损的问题。本发明还提出了基于本减薄方法的压电薄膜晶圆以及基于本方法制备多种滤波器和谐振器的工艺，新工艺降低了对材料的限制，提高器件的性能，具有较高的应用前景。

公开(公告)号：CN119051621A

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202410983001.6

申请日：2024-07-22

Applicant: 上海师范大学

Inventor： 张巧珍 ,  李绪成 ,  鲍飞鸿 ,  赵祥永 ,  王飞飞 ,  王心怡 ,  陈婕

IPC: H03H9/24 ,  H03H9/02 ,  H03H3/007

Abstract: 本发明公开了一种微机电声波谐振器，属于射频微机电系统领域。包括：支撑台，其中心形成空腔；谐振体，由谐振基底上设置压电薄膜，所述压电薄膜上设有外接输入电极和外接输出电极组成，悬置于所述空腔上方，其上下表面为蝴蝶形结构和鼓形结构相结合的结构；所述外接输入电极贴合压电薄膜、所述外接输出电极贴合压电薄膜分别从所述蝴蝶形结构中的两个翅膀凹陷处向所述支撑台非空腔部分的方向延伸，直至贴合于所述支撑台非空腔部分的上表面，使得所述谐振器悬于所述支撑台的空腔之上。本发明通过设置谐振体形状为蝴蝶形和鼓形结构相结合，相比现有技术中长方体结构能够使谐振体内存储更多的能量，减小谐振器的能量损耗，提高谐振器的品质因数。

公开(公告)号：CN115763597A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211491383.8

申请日：2022-11-25

Applicant: 上海师范大学

Inventor： 李传青 ,  蔡玉 ,  王飞飞 ,  段志华 ,  赵祥永 ,  王涛 ,  唐艳学 ,  石旺舟

IPC: H01L31/0445 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及一种铌镍酸钡‑铌酸钾铁电薄膜材料及其制备方法与应用，该铌镍酸钡‑铌酸钾铁电薄膜材料包括自下而上依次设置的衬底、底电极层、薄膜层和透明顶电极层；所述衬底为无机云母衬底；所述薄膜层为铌镍酸钡‑铌酸钾，化学组成为[KNbO3]0.9[BaNi1/2Nb1/2O3]0.1，制备方法为溶胶凝胶法。与现有技术相比，本发明的制备方法经济环保，制备工艺简单，制备的铌镍酸钡‑铌酸钾铁电薄膜材料为全新柔性全无机薄膜，能实现稳定的光响应输出，有望在光伏器件领域实现应用。

公开(公告)号：CN113774485B

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202110981620.8

申请日：2021-08-25

Applicant: 上海师范大学

Inventor： 王飞飞 ,  杨嘉倩 ,  段志华 ,  李传青 ,  赵祥永 ,  王涛 ,  唐艳学 ,  石旺舟

IPC: C30B29/22

Abstract: 本发明涉及一种铌铟酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅铁电薄膜材料及其制备与应用，所述铁电薄膜材料包含自下而上依次设置的衬底、导电缓冲层和薄膜层，所述薄膜层为铌铟酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅，化学组成为(1‑x‑y)Pb(In1/2Nb1/2)O3‑yPb(Mg1/3Nb2/3)O3‑xPbTiO3，其中，x＝0.20～0.40，y＝0.18～0.60，所述铁电薄膜材料采用溶胶凝胶方法制备。与现有技术相比，本发明制备的薄膜具有纯钙钛矿结构，且具有优异的铁电、压电和热释电性能，以及高的居里温度，适用于新型的压电、热释电集成器件。

公开(公告)号：CN113215538A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202110295109.2

申请日：2021-03-19

Applicant: 上海师范大学

Inventor： 王飞飞 ,  王佳盛 ,  黎梓浩 ,  赵祥永 ,  王涛 ,  唐艳学 ,  段志华 ,  石旺舟

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  C23C14/02 ,  C23C14/58 ,  C04B35/622 ,  C04B35/495 ,  C04B35/472

Abstract: 本发明涉及一种高居里点硅衬底铁电薄膜材料及其制备与应用，所述铁电薄膜材料包括Pt/Ti/SiO2/Si衬底以及自内向外依次沉积在衬底表面的导电缓冲层和薄膜层，所述导电缓冲层为镧锶钴氧，薄膜层为锰掺杂铌铟酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅(简写为Mn‑PIN‑PMN‑PT)，化学组成为zMn‑(1‑x‑y)Pb(In1/2Nb1/2)O3‑yPb(Mg1/3Nb2/3)O3‑xPbTiO3，其中，x＝0.20～0.40，y＝0.20～0.50，z＝0.003～0.01。与现有技术相比，本发明制备的薄膜具有优良的铁电、压电、热释电性能，适用于新型的压电、热释电集成器件。