公开(公告)号：CN118732150A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202310316544.8

申请日：2023-03-28

申请人： 上海曦智科技有限公司

发明人： 徐叶龙 ,  达迪·塞蒂亚迪 ,  彭博 ,  苏森德兰·贾亚钱德兰 ,  苏湛 ,  吴建华 ,  孟怀宇 ,  沈亦晨

IPC分类号： G02B6/12 ,  G02B6/122 ,  G02B6/42 ,  G02B6/43 ,  G02B6/13

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，其提供了一种采用光互连的半导体结构及其制造方法。所述半导体结构包括：光子晶圆，所述光子晶圆上设置有多个光子集成电路芯片；光中介层，其上设置所述光子晶圆；多个模拟电芯片，每一个光子集成电路芯片连接至少一个模拟电芯片；多个数字电芯片，每一个数字电芯片与相应的模拟电芯片电连接；其中，在光中介层上，位于第一方向上的光子集成电路芯片通过各光子集成电路芯片的第一波导光学连接，位于第二方向上的光子集成电路芯片通过光中介层的第二波导光学连接。采用本发明的结构，光电计算系统可集成更多的计算单元和存储单元，利用光互连能保证它们之间有机的信息互连，提供更高的系统能效比。

公开(公告)号：CN116263518A

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN202111516863.0

申请日：2021-12-13

申请人： 上海曦智科技有限公司

发明人： 苏湛 ,  达迪·塞蒂亚迪 ,  徐叶龙 ,  吴建华 ,  柏艳飞 ,  朱云鹏 ,  邹静慧 ,  孟怀宇 ,  沈亦晨

IPC分类号： G02B6/12 ,  G02B6/122 ,  G02B6/136

摘要： 本发明涉及光子集成电路领域，其提供了一种波导结构的制造方法，包括：形成第一材料层；基于所述第一材料层形成第一波导、第二波导，所述第一波导与所述第二波导具有间隔；形成第二材料层；基于所述第二材料层形成波导耦合结构，所述波导耦合结构分别与第一波导、第二波导光学耦合，以使得第一波导与第二波导实现光连接。可以使得波导连接范围不仅局限于一次曝光所限定的区域，将不同曝光区域的波导实现互连，减少波导互连时对准的精度要求，还能够有效避免波导连接时的接合缺陷。

公开(公告)号：CN117008246A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202210466418.6

申请日：2022-04-29

申请人： 上海曦智科技有限公司

发明人： 达迪·塞蒂亚迪 ,  邹静慧 ,  苏湛 ,  柏艳飞 ,  孟怀宇 ,  沈亦晨

IPC分类号： G02B6/12

摘要： 本发明涉及半导体领域，提供封装结构及其制造方法、光子集成电路芯片。其中，封装结构的制造方法包括：提供光子集成结构，所述光子集成结构包括：光栅耦合器；提供第一衬底；在第一衬底上形成反射层；将所述光子集成结构与所述第一衬底键合，使得所述反射层位于所述光栅耦合器与所述第一衬底之间，并且所述反射层与所述光栅耦合器对应。本发明可以优化反射层的制造以及封装结构、相关芯片的制造及结构，避免对光子集成结构及其它结构产生不良影，降低了制造成本。

公开(公告)号：CN116990907A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202210433905.2

申请日：2022-04-24

申请人： 上海曦智科技有限公司

发明人： 达迪·塞蒂亚迪 ,  彭博 ,  苏湛 ,  吴建华 ,  孟怀宇 ,  沈亦晨

IPC分类号： G02B6/13 ,  G02B6/122 ,  G02B6/30

摘要： 本发明涉及半导体领域，其提供了一种光子集成电路芯片及其制造方法，所述方法包括：提供光子集成结构；提供第一衬底，所述第一衬底包括凹槽；将所述光子集成结构与所述第一衬底键合；去除所述光子集成结构的一部分，以形成光耦合端，所光耦合端使得光能够从光子集成电路的侧面耦合进入光子集成电路芯片；其中，所述光子集成结构的所述光耦合端所在的侧面与所述第一衬底的所述凹槽对应。其能够优化光子集成电路芯片的制造工艺以及光耦合方式。

公开(公告)号：CN116699769A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202210189637.4

申请日：2022-02-28

申请人： 上海曦智科技有限公司

发明人： 达迪·塞蒂亚迪 ,  吴建华 ,  苏湛 ,  薛志全 ,  罗伯特·帕蒂

IPC分类号： G02B6/42

摘要： 本发明涉及半导体领域，提供一种封装结构及其制造方法，方法包括：提供光子集成结构，所述光子集成结构包括：第一开孔，以及设置于所述第一开孔中的导电材料；提供第一衬底，所述第一衬底包括：第二开孔，以及设置于所述第二开孔中的导电材料；将所述光子集成结构与所述第一衬底键合，以使得所述第一开孔与所述第二开孔对准，并且所述第一开孔中的所述导电材料与对应的所述第二开孔中的所述导电材料电性连接。本发明还提供了一种光子集成电路芯片。

公开(公告)号：CN116931169A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202210338343.3

申请日：2022-04-01

申请人： 上海曦智科技有限公司

发明人： 达迪·塞蒂亚迪 ,  邹静慧 ,  苏湛 ,  柏艳飞 ,  孟怀宇 ,  沈亦晨

IPC分类号： G02B6/124 ,  G02B6/13

摘要： 本发明涉及半导体领域，提供封装结构及其制造方法、光子集成电路芯片。其中，所述制造方法包括提供光子集成结构，所述光子集成结构包括：光栅耦合器，以及反射层，其中，所述反射层与所述光栅耦合器对应；提供第一衬底；以及将所述光子集成结构与所述第一衬底键合，在所述键合之后，所述反射层位于所述光栅耦合器与所述第一衬底之间。本发明可以优化反射层的制造以及封装结构、相关芯片的制造及结构，避免对光子集成结构中光子器件层及其它结构产生不良影，降低了制造成本。

公开(公告)号：CN114660836A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202210276684.2

申请日：2022-03-21

申请人： 上海曦智科技有限公司

发明人： 苏湛 ,  华士跃 ,  达迪·塞蒂亚迪 ,  彭博 ,  孟怀宇 ,  沈亦晨

IPC分类号： G02F1/035 ,  G02F1/365 ,  G02F1/361 ,  G02B6/12 ,  G02B6/42

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，其提供一种电光调制器及其制造方法。在实施方式中，所述电光调制器包括混合波导和位于混合波导两侧的电极，所述制造方法包括：提供第一部件，所述第一部件中至少包含硅层和位于该硅层两侧的导电布线结构；提供第二部件，所述第二部件中包含非线性光学材料层和位于该非线性光学材料层两侧的导电布线结构；将所述第一部件与所述第二部件键合在一起，其中，所述硅层与所述非线性光学材料层层叠在一起形成所述混合波导，并且，所述位于该硅层两侧的导电布线结构与位于该非线性光学材料层两侧的导电布线结构电连接，以形成所述电极。采用本发明的实施方式，能够将小尺寸、高效率、低功耗的电光调制器集成到硅光芯片中。