公开(公告)号：CN111276443A

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：CN202010084967.8

申请日：2020-02-10

申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所

发明人： 史光华 ,  常青松 ,  徐达 ,  要志宏 ,  王真 ,  闫妍 ,  张延青 ,  王雪敏 ,  杨阳阳 ,  李玲 ,  张慧芳 ,  任淑敏 ,  宋坤 ,  杨会娟

IPC分类号： H01L21/768

摘要： 本发明涉及微电子领域，特别涉及一种微波薄膜混合集成电路的制备方法。该方法包括：在衬底上打孔形成通孔；在器件正面和背面沉积种子层；其中，所述种子层覆盖器件正面、器件背面和通孔；通过临时填充层填充所述通孔；通过真空吸附的方法将器件固定，并在器件正面旋涂光刻胶；对器件正面进行光刻，在器件正面的预设区域形成光刻胶掩膜；其中，所述预设区域以外的区域所对应的种子层为电路图形；去除所述临时填充层；对器件进行电镀加厚处理，使所述电路图形加厚；去除所述光刻胶掩膜；去除预设区域的种子层。上述方法可以在涂覆光刻胶的步骤中使用真空吸附的方法固定器件，降低了工艺难度，且提高了成片的质量。

公开(公告)号：CN111175579A

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201911388522.2

申请日：2019-12-30

申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所

发明人： 厉建国 ,  于亮 ,  李宏军 ,  王胜福 ,  杨亮 ,  王磊 ,  孙磊磊 ,  王伟 ,  任淑敏 ,  张慧芳 ,  宋坤 ,  杨会娟

IPC分类号： G01R27/28 ,  G01R23/02 ,  G01R31/28

摘要： 本发明适用于电感一致性检测技术领域，提供了一种3D集成LC滤波器多层基板制造一致性检测装置及系统，包括：电路板上具有预设图案，预设图案的第一区域中包括的电感图案与3D集成LC滤波器中的电感的位置对应；电容C1设置在预设图案的第二区域内，且电容C1的一端与电感图案位置处通过导线连接，电容C1与电感L1连通，电容C1的另一端接地。电感L1和电容C1形成的LC串联谐振陷波电路，通过测量LC串联谐振陷波电路的陷波频率，可以对3D集成LC滤波器多层基板的一致性进行分档，以解决现有技术中实际生成的集成在多层基板中的立体电感加工一致性不能满足3D集成LC滤波器电特性指标一致性的要求的问题。

公开(公告)号：CN111276443B

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202010084967.8

申请日：2020-02-10

申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所

发明人： 史光华 ,  常青松 ,  徐达 ,  要志宏 ,  王真 ,  闫妍 ,  张延青 ,  王雪敏 ,  杨阳阳 ,  李玲 ,  张慧芳 ,  任淑敏 ,  宋坤 ,  杨会娟

IPC分类号： H01L21/768

摘要： 本发明涉及微电子领域，特别涉及一种微波薄膜混合集成电路的制备方法。该方法包括：在衬底上打孔形成通孔；在器件正面和背面沉积种子层；其中，所述种子层覆盖器件正面、器件背面和通孔；通过临时填充层填充所述通孔；通过真空吸附的方法将器件固定，并在器件正面旋涂光刻胶；对器件正面进行光刻，在器件正面的预设区域形成光刻胶掩膜；其中，所述预设区域以外的区域所对应的种子层为电路图形；去除所述临时填充层；对器件进行电镀加厚处理，使所述电路图形加厚；去除所述光刻胶掩膜；去除预设区域的种子层。上述方法可以在涂覆光刻胶的步骤中使用真空吸附的方法固定器件，降低了工艺难度，且提高了成片的质量。

公开(公告)号：CN111106801A

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201911352260.4

申请日：2019-12-25

申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所

发明人： 周全 ,  陈南庭 ,  邓世雄 ,  陈书宾 ,  要志宏 ,  王磊 ,  王乔楠 ,  陈然 ,  张路洋 ,  武康 ,  郭尧 ,  张慧芳

IPC分类号： H03F1/26

摘要： 本发明属于低噪声放大器技术领域，涉及一种单片可重构砷化镓低噪声放大器及其制备方法。所述电路包括：片外输入匹配电路和砷化镓单片放大电路；片外输入匹配电路的输入端作为单片可重构砷化镓低噪声放大器的输入端，片外输入匹配电路的匹配端与砷化镓单片放大电路的输入端连接，砷化镓单片放大电路的输出端作为单片可重构砷化镓低噪声放大器的输出端；片外输入匹配电路与砷化镓单片放大电路进行阻抗匹配得到预设噪声系数的单片可重构砷化镓低噪声放大器。本发明将砷化镓单片放大电路的输入匹配网络从片上移至片外，实现了根据工作需求提高输入匹配网络的Q值，降低了低噪声放大器的噪声系数。

公开(公告)号：CN111175579B

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN201911388522.2

申请日：2019-12-30

申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所

发明人： 厉建国 ,  于亮 ,  李宏军 ,  王胜福 ,  杨亮 ,  王磊 ,  孙磊磊 ,  王伟 ,  任淑敏 ,  张慧芳 ,  宋坤 ,  杨会娟

IPC分类号： G01R27/28 ,  G01R23/02 ,  G01R31/28

摘要： 本发明适用于电感一致性检测技术领域，提供了一种3D集成LC滤波器多层基板制造一致性检测装置及系统，包括：电路板上具有预设图案，预设图案的第一区域中包括的电感图案与3D集成LC滤波器中的电感的位置对应；电容C1设置在预设图案的第二区域内，且电容C1的一端与电感图案位置处通过导线连接，电容C1与电感L1连通，电容C1的另一端接地。电感L1和电容C1形成的LC串联谐振陷波电路，通过测量LC串联谐振陷波电路的陷波频率，可以对3D集成LC滤波器多层基板的一致性进行分档，以解决现有技术中实际生成的集成在多层基板中的立体电感加工一致性不能满足3D集成LC滤波器电特性指标一致性的要求的问题。

公开(公告)号：CN210958283U

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201922355120.4

申请日：2019-12-25

申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所

发明人： 周全 ,  陈南庭 ,  邓世雄 ,  陈书宾 ,  要志宏 ,  王磊 ,  王乔楠 ,  陈然 ,  张路洋 ,  武康 ,  郭尧 ,  张慧芳

IPC分类号： H03F1/26

摘要： 本实用新型属于低噪声放大器技术领域，涉及一种单片可重构砷化镓低噪声放大器，主要包括：片外输入匹配电路和砷化镓单片放大电路；片外输入匹配电路的输入端作为单片可重构砷化镓低噪声放大器的输入端，片外输入匹配电路的匹配端与砷化镓单片放大电路的输入端连接，砷化镓单片放大电路的输出端作为单片可重构砷化镓低噪声放大器的输出端；片外输入匹配电路与砷化镓单片放大电路进行阻抗匹配得到预设噪声系数的单片可重构砷化镓低噪声放大器。本实用新型将砷化镓单片放大电路的输入端匹配网络从片上移至片外，实现了根据工作需求提高输入端匹配网络的Q值，降低了低噪声放大器的噪声系数。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利