微波薄膜混合集成电路的制备方法

    公开(公告)号:CN111276443A

    公开(公告)日:2020-06-12

    申请号:CN202010084967.8

    申请日:2020-02-10

    Abstract: 本发明涉及微电子领域,特别涉及一种微波薄膜混合集成电路的制备方法。该方法包括:在衬底上打孔形成通孔;在器件正面和背面沉积种子层;其中,所述种子层覆盖器件正面、器件背面和通孔;通过临时填充层填充所述通孔;通过真空吸附的方法将器件固定,并在器件正面旋涂光刻胶;对器件正面进行光刻,在器件正面的预设区域形成光刻胶掩膜;其中,所述预设区域以外的区域所对应的种子层为电路图形;去除所述临时填充层;对器件进行电镀加厚处理,使所述电路图形加厚;去除所述光刻胶掩膜;去除预设区域的种子层。上述方法可以在涂覆光刻胶的步骤中使用真空吸附的方法固定器件,降低了工艺难度,且提高了成片的质量。

    微波薄膜混合集成电路的制备方法

    公开(公告)号:CN111276443B

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202010084967.8

    申请日:2020-02-10

    Abstract: 本发明涉及微电子领域,特别涉及一种微波薄膜混合集成电路的制备方法。该方法包括:在衬底上打孔形成通孔;在器件正面和背面沉积种子层;其中,所述种子层覆盖器件正面、器件背面和通孔;通过临时填充层填充所述通孔;通过真空吸附的方法将器件固定,并在器件正面旋涂光刻胶;对器件正面进行光刻,在器件正面的预设区域形成光刻胶掩膜;其中,所述预设区域以外的区域所对应的种子层为电路图形;去除所述临时填充层;对器件进行电镀加厚处理,使所述电路图形加厚;去除所述光刻胶掩膜;去除预设区域的种子层。上述方法可以在涂覆光刻胶的步骤中使用真空吸附的方法固定器件,降低了工艺难度,且提高了成片的质量。

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