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公开(公告)号：CN118166316A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410198754.6
申请日：2024-02-22
申请人： 中国科学院近代物理研究所
摘要： 本发明涉及核物理技术领域，提供一种用于同位素核靶高效制备的重离子溅射装置，包括：真空腔；2.45GHz微波驱动离子源，用于产生单一电荷态的重离子强流束，2.45GHz微波驱动离子源与真空腔连通；聚焦电极系统，用于聚焦重离子强流束，形成高密度束流，高密度束流的束斑尺寸小于2mm；三维调节样品衬底，设置于真空腔内；旋转靶，用于承载三维调节样品衬底，且旋转靶旋转设置于真空腔内。本发明由于2.45GHz电子回旋共振离子源属于无极放电，能够产生高流强的离子束可在较大范围气压下长期稳定工作、重复性能好、离子种类广，没有寿命限制，也不会带来束流的污染电荷态单一、束流强度大、寿命长、运行稳定、离子溅射面积大且制靶效率高。
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公开(公告)号：CN109023504B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201811109294.6
申请日：2018-09-21
申请人： 中国科学院近代物理研究所
摘要： 本发明提供一种生长CsI(Tl)晶体的石英坩埚，属于核检测、国土安全、军事领域。本发明按照晶体生长方法中的自然淘汰原理，对晶体生长所用的石英坩埚的底部形状和整体外形进行整体设计，得到外部尺寸和内部尺寸都有特殊要求的大尺寸石英坩埚。本发明与传统方式相比，生产出的大尺寸CsI(Tl)/CsI闪烁晶体，成品率/良品率较高，与其他厂商使用的在坩埚内部喷涂一层特殊材料相比，方法工艺相对简单，成本较低。
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公开(公告)号：CN111638543A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010470530.8
申请日：2020-05-28
申请人： 中国科学院近代物理研究所
摘要： 本发明提供一种位置灵敏的晶体阵列探头制作工艺，属于核物理实验、医学成像、安全检查领域。本发明的CsI(Tl)晶体阵列耦合多阳极位置灵敏光电倍增管H8500C，并且结合高效、快速、经济的DCP桥电路设计的四路读出电路板，组成位置灵敏的探测器探头。经过测试证明，晶体像素尺寸为1.0×1.0×5.0mm3的CsI(Tl)晶体阵列其位置分辨率为：FWHMX＝0.58mm，FWHMY＝0.63mm，晶体像素条尺寸为2.0×2.0×10.0mm3的CsI(Tl)晶体阵列探测器其位置分辨率为：FWHMX＝0.86mm，FWHMY＝0.80mm；在医学成像，高分辨率相机研究等领域中具有一定的应用前景。
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公开(公告)号：CN109023504A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201811109294.6
申请日：2018-09-21
申请人： 中国科学院近代物理研究所
摘要： 本发明提供一种生长CsI(Tl)晶体的石英坩埚，属于核检测、国土安全、军事领域。本发明按照晶体生长方法中的自然淘汰原理，对晶体生长所用的石英坩埚的底部形状和整体外形进行整体设计，得到外部尺寸和内部尺寸都有特殊要求的大尺寸石英坩埚。本发明与传统方式相比，生产出的大尺寸CsI(Tl)/CsI闪烁晶体，成品率/良品率较高，与其他厂商使用的在坩埚内部喷涂一层特殊材料相比，方法工艺相对简单，成本较低。
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公开(公告)号：CN105425268A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510729346.X
申请日：2015-11-02
申请人： 中国科学院近代物理研究所
CPC分类号： G01T1/2012 , G01T1/167 , G01T1/202
摘要： 本发明涉及测定待测样品中铀、钍、钾含量的测量方法及在核技术领域中的应用。一种快速测量盐湖卤水中铀、钍、钾含量的γ谱仪，其主要特点在于：探测器的输出信号经过甄别和成形电路后由反符合电路输出至幅度分析器的输入端，幅度分析器输出端连接MCU单片机的输入端，MCU单片机的输出端分别连接幅度分析器的阈调节端和窗调节端，MCU单片机的输出端还分别连接LCD液晶显示面板与键盘，MCU单片机的输出端还通过数据总线连接PC机。本发明具有高精度、能快速测量、方便携带、自动化程度高、实现功能多样性、数据处理智能化、体积小等优点，本发明主要用于测量地面、岩石中的天然铀、钍、钾的含量及分布数据资料，以便指导地质勘察工作。
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公开(公告)号：CN118308695A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410407748.7
申请日：2024-04-07
申请人： 中国科学院近代物理研究所
摘要： 本发明公开了一种重离子溅射制备高熔点同位素核靶的方法。采用重离子溅射的方式制备高熔点同位素核靶，其中，在重离子溅射设备的溅射点两侧均设置一转盘；转盘上设置有靶片；转盘与溅射点之间的距离为0～30mm。本发明采用了转盘的方式极大提高了同一块同位素靶厚度的均匀性，也提高了同一批八块同位素靶厚的均匀性，满足核物理实验的需求。本发明极大减小了靶片与溅射源之间的距离，提高了同位素靶的沉积速度，以减少镀膜时间，实现了大面积高熔点同位素靶的制备。本发明方法中每个转盘上可以安装四片靶片，一批可以完成八片同位素靶的制备。本发明提高了同位素材料的利用率，减少了制备一批核靶对同位素材料的用量。
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公开(公告)号：CN117702066A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311653066.6
申请日：2023-12-04
申请人： 中国科学院近代物理研究所
摘要： 本发明涉及一种高熔点同位素核靶安装底座及其安装方法，所述安装底座包括绝缘底座、高压电极盘和核靶座，绝缘底座设置为筒形，其侧壁顶部开设有外轨道槽，绝缘底座的侧壁上开设有通孔；高压电极盘设置为筒形，高压电极盘套设在绝缘底座中；高压电极盘的侧壁顶部开设有内轨道槽，高压电极盘的侧壁上开设有高压接头孔，高压接头穿过通孔插入高压接头孔内；核靶座用于安装核靶和石墨锅，核靶座通过外轨道槽和内轨道槽滑入安装在高压电极盘内；其核靶座可以沿外轨道槽和内轨道槽放入高压电极盘中或从高压电极盘中取出，从而便于安装同位素材料和核靶，减少同位素材料和核靶的安装工作量，简化操作，减少每批高熔点同位素核靶的制备周期。
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公开(公告)号：CN111638543B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202010470530.8
申请日：2020-05-28
申请人： 中国科学院近代物理研究所
摘要： 本发明提供一种位置灵敏的晶体阵列探头制作工艺，属于核物理实验、医学成像、安全检查领域。本发明的CsI(Tl)晶体阵列耦合多阳极位置灵敏光电倍增管H8500C，并且结合高效、快速、经济的DCP桥电路设计的四路读出电路板，组成位置灵敏的探测器探头。经过测试证明，晶体像素尺寸为1.0×1.0×5.0mm3的CsI(Tl)晶体阵列其位置分辨率为：FWHMX＝0.58mm，FWHMY＝0.63mm，晶体像素条尺寸为2.0×2.0×10.0mm3的CsI(Tl)晶体阵列探测器其位置分辨率为：FWHMX＝0.86mm，FWHMY＝0.80mm；在医学成像，高分辨率相机研究等领域中具有一定的应用前景。
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公开(公告)号：CN214458278U
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202120563462.X
申请日：2021-03-19
申请人： 中国科学院近代物理研究所
摘要： 本实用新型公开了一种能应用多种方法制备类金刚石薄膜的装置，包括真空腔室、磁控溅射源、电弧离子源和多弧离子源，其中，磁控溅射源、电弧离子源和多弧离子源设置于真空腔室上。本实用新型公开的能应用多种方法制备类金刚石薄膜的装置，为了获得类金刚石薄膜的特性和厚度，无需多台设备分别作业，设计合理，可行性和实用性强，提供了更多工艺的选择性，提高了制备效率，解决了目前制备类金刚石薄膜的设备适用方法单一存在的问题。
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