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公开(公告)号：CN115255832A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210929314.4
申请日：2022-08-03
申请人： 中物院成都科学技术发展中心
摘要： 本发明属于薄膜传感器技术领域，尤其涉及一种用于制作薄膜传感器电极层的非晶态钎料箔带的加工工艺、非晶态钎料箔带、薄膜传感器的加工方法及薄膜传感器，所述加工工艺包括如下步骤：步骤11：将包括A l、Mg、S i、T i的钎料合金进行熔炼，得到母合金锭；步骤12：将母合金锭放入带喷嘴的恒压喷注炉内，对恒压喷注炉加热使母合金锭融化，形成液态合金钎料；步骤13：在惰性气体环境下控制恒压喷注炉内的液态合金钎料由喷嘴喷注到匀速转动的水冷铜辊上，得到非晶态钎料箔带。本发明解决了现有薄膜传感器生产效率低，工艺成本高的技术问题。
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公开(公告)号：CN105633200B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201410619912.7
申请日：2014-11-06
申请人： 中物院成都科学技术发展中心
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/032
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开了铜铟镓硒薄膜表面刻蚀的电化学处理方法，包括步骤：将铜铟镓硒薄膜硒化后放置在电化学工作站，仅Mo层连接工作电极，在无水乙醇中浸泡；处理溶液为盐、无机酸和去离子水的混合溶液，盐为钠盐、钾盐、镁盐、锌盐或铜盐的任一种，无机酸调节处理溶液的pH值为1～6；铜铟镓硒薄膜放入处理溶液，施加电信号，处理后取出用去离子水冲洗，高纯氮气吹干，电信号为循环伏安电信号、恒压电信号、恒流电信号、脉冲电压电信号或脉冲电流电信号的任一种。本发明的方法能够选择性溶解铜铟镓硒薄膜表面的二次相(CuxSe)，优化薄膜的表面质量，克服了腐蚀溶液体系对人体有害且不环保的缺点，利于工业化推广。
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公开(公告)号：CN105633205A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201410620743.9
申请日：2014-11-06
申请人： 中物院成都科学技术发展中心
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开了修饰铜锌锡硫薄膜太阳电池吸收层表面性质的电化学处理方法，包括步骤：铜锌锡硫薄膜材料在恒温管式退火炉中硒化(或硫化)后，放置在电化学工作站，衬底和Mo连接工作电极；铜锌锡硫薄膜材料放入处理溶液，处理溶液为0.001～1M/L盐、无机酸和去离子水的混合溶液；施加电信号，电信号为循环伏安电信号、恒压电信号、恒流电信号、脉冲电压电信号或脉冲电流电信号的任一种。本发明的方法，可以除去铜锌锡硫薄膜表面的高导电富铜相，优化太阳电池器件pn结的界面特性，提高电池的性能输出，且环境友好，成本降低。
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公开(公告)号：CN105633203A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201410620628.1
申请日：2014-11-06
申请人： 中物院成都科学技术发展中心
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开了一种无水电化学刻蚀铜锌锡硫薄膜材料表面的方法,具体包括将铜锌锡硫薄膜材料放在石英管式炉硒化或硫化后，将铜锌锡硫薄膜材料放置在电化学工作站，仅衬底和Mo连接工作电极；配制0.001～1M/L的无水氯盐和离子液的混合溶液，离子液为氯化胆碱与尿素按质量比1:0.1～3混合而成；加热处理溶液，施加电信号，处理1～600S后取出，电信号为循环伏安电信号、恒压电信号、恒流电信号、脉冲电压电信号或脉冲电流电信号的任一种。本发明的方法可对铜锌锡硫表面进行选择性腐蚀，不仅去除铜锌锡硫薄膜表面的铜硒二次相(CuxSe)，而且避免水溶液中化学刻蚀对吸收层表面腐蚀带来的不均匀现象，环境友好，操作简单。
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公开(公告)号：CN105633200A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201410619912.7
申请日：2014-11-06
申请人： 中物院成都科学技术发展中心
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/032
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开了铜铟镓硒薄膜表面刻蚀的电化学处理方法，包括步骤：将铜铟镓硒薄膜硒化后放置在电化学工作站，仅Mo层连接工作电极，在无水乙醇中浸泡；处理溶液为盐、无机酸和去离子水的混合溶液，盐为钠盐、钾盐、镁盐、锌盐或铜盐的任一种，无机酸调节处理溶液的pH值为1～6；铜铟镓硒薄膜放入处理溶液，施加电信号，处理后取出用去离子水冲洗，高纯氮气吹干，电信号为循环伏安电信号、恒压电信号、恒流电信号、脉冲电压电信号或脉冲电流电信号的任一种。本发明的方法能够选择性溶解铜铟镓硒薄膜表面的二次相(CuxSe)，优化薄膜的表面质量，克服了腐蚀溶液体系对人体有害且不环保的缺点，利于工业化推广。
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公开(公告)号：CN105633199A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201410619896.1
申请日：2014-11-06
申请人： 中物院成都科学技术发展中心
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/032
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开了改善铜锌锡硫薄膜表面性质的电化学处理方法，包括步骤：铜锌锡硫薄膜材料在恒温管式退火炉中硒化或硫化，然后放置在电化学工作站，仅衬底和Mo背电极连接工作电极；置于无水乙醇中浸泡1～2min，除去表面颗粒杂质；铜锌锡硫薄膜材料放入处理溶液，处理溶液为0.001～1M/L乙基紫精二高氯酸盐、0.001～1M/L六氟磷酸四丁胺和有机溶剂的混合溶液；施加电信号，电信号为循环伏安电信号、恒压电信号、恒流电信号、脉冲电压电信号或脉冲电流电信号的任一种。本发明的方法，有效地去除铜锌锡硫薄膜表面的高导电二次相,降低薄膜表面的粗糙度,优化与窗口层接触的界面特性,环境友好，成本低廉。
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公开(公告)号：CN105633198A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201410619870.7
申请日：2014-11-06
申请人： 中物院成都科学技术发展中心
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开了铜锌锡硫薄膜太阳电池吸收层表面刻蚀的电化学处理方法：将铜锌锡硫薄膜硒化或硫化后放置在电化学工作站，仅Mo层连接工作电极，在无水乙醇中浸泡除去颗粒杂质；配制处理溶液，处理溶液为亚硫酸盐、金属硫化物和去离子水的混合溶液，pH值为8～14；施加电信号，1～600s后取出所述铜锌锡硫薄膜，用去离子水冲洗，高纯氮气吹干，电信号为循环伏安电信号、恒压电信号、恒流电信号、脉冲电压电信号或脉冲电流电信号的任一种。本发明的方法能有效溶解薄膜表面凸起的有害二次相，刻蚀薄膜表面的缺陷，降低界面处光生载流子对的复合率，且环境友好，利于工业推广。
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公开(公告)号：CN115435943B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202211139330.X
申请日：2022-09-19
申请人： 中物院成都科学技术发展中心
摘要： 本发明提供一种智能紧固件、智能紧固件监测系统及监测方法。其中，监测方法，包括：获取待监测智能紧固件的复合层薄膜传感器的固有频率；根据复合层薄膜传感器的固有频率生成对应的控制命令，以使第一脉冲电信号的频率与复合层薄膜传感器的固有频率相匹配；接收预紧力信息；根据预紧力信息计算紧固件的预紧力。通过本发明的提供的监测方法，实现了振动条件下紧固件预紧力的精准测量。
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公开(公告)号：CN116033819A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211505060.X
申请日：2022-11-28
申请人： 中物院成都科学技术发展中心
摘要： 本发明是关于一种多层内连式压电薄膜传感器及制备方法，属于薄膜传感器技术领域，压电薄膜传感器包括层叠设置的n层压电层和n+1层电极层，n≥2；压电层位于相邻的两层电极层之间；薄膜传感器还包括桥接部，桥接部位于相邻的两层压电层的内部，桥接部将相间的两层电极层相连，且位于相邻的两层压电层之间的电极层与桥接部之间设置绝缘区，以使相邻的两层压电层并联设置。本发明通过在压电薄膜传感器的内部设置桥接部，以从压电薄膜传感器的内部实现多个压电层的并联，无需外接引线，不改变薄膜传感器的外部形状，具有制备简单、易集成、大位移量的优点。
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公开(公告)号：CN115312657A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210929316.3
申请日：2022-08-03
申请人： 中物院成都科学技术发展中心
IPC分类号： H01L41/053 , H01L41/333 , H01L41/35 , G01D21/00
摘要： 本发明属于薄膜传感器技术领域，尤其涉及一种用于制作薄膜传感器的压印模具、加工工艺及薄膜传感器，所述压印模具包括模具本体，所述模具本体上设压印部，所述压印部包括压印面和形成在所述压印面上的环形压印槽；所述压印面用来压印形成所述薄膜传感器的绝缘保护层，所述环形压印槽用来压印形成所述薄膜传感器的掩膜环。本发明解决了现有的薄膜传感器生产效率低、工艺成本高的技术问题。
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