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    基于GaN纳米线三维结构的太阳能电池及其制备方法
    2.
    发明授权
    基于GaN纳米线三维结构的太阳能电池及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN104576803B

    公开(公告)日：2016-10-12

    申请号：CN201510030070.6

    申请日：2015-01-21

    申请人： 中电投西安太阳能电力有限公司

    发明人： 林瀚琪 ,  郭辉 ,  黄海栗 ,  苗东铭 ,  胡彦飞 ,  张玉明

    IPC分类号： H01L31/077 ,  H01L31/054 ,  H01L31/18 ,  B82Y40/00

    CPC分类号： Y02E10/52 ,  Y02P70/521

    摘要： 本发明公开了一种基于GaN纳米线三维结构的太阳能电池及其制备方法。其包括N型硅衬底(6)和背面电极(7)；在N型硅衬底(6)的上表面通过干法刻蚀形成梯形形状；该梯形上依次通过转移形成GaN纳米线绒面层(5)、通过沉积形成本征多晶硅层(4)和P型多晶硅层(3)、通过溅射形成ITO氧化铟锡透明导电薄膜(2)，最终得到三维倒梯形整体结构；该结构顶端采用电子束蒸发形成正面电极(1)。所述GaN纳米线绒面层中每根GaN纳米线直径为50‑100nm，长度为10‑20μm，该层具有强烈的陷光特性，能够降低硅衬底表面的光反射率。本发明提高了器件对光子的吸收和利用，改善了太阳能电池的转换效率，可用于光伏发电。

    基于硅纳米线三维结构的太阳能电池及其制备方法
    3.
    发明授权
    基于硅纳米线三维结构的太阳能电池及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN104576783B

    公开(公告)日：2016-08-17

    申请号：CN201510030000.0

    申请日：2015-01-21

    申请人： 中电投西安太阳能电力有限公司

    发明人： 吴翔 ,  郭辉 ,  黄海栗 ,  苗东铭 ,  胡彦飞 ,  张玉明

    IPC分类号： H01L31/0236 ,  H01L31/18

    CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521

    摘要： 本发明公开了一种基于硅纳米线三维结构的太阳能电池及其制备方法。其包括N型硅衬底(6)和背面电极(7)；在N型硅衬底(6)的上表面通过干法刻蚀形成梯形形状；该梯形上依次通过转移形成硅纳米线绒面层(5)、通过淀积形成本征多晶硅层(4)和P型多晶硅层(3)、通过磁控溅射形成ITO氧化铟锡透明导电薄膜(2)，最终得到三维倒梯形整体结构；在该结构顶端采用电子束蒸发形成正面电极(1)。所述硅纳米线绒面层(5)中硅纳米线直径为40?80nm，长度为20?40μm，该层具有强烈的陷光特性，能够降低硅衬底表面的光反射率。本发明提高了器件对光子的吸收和利用，改善了太阳能电池的转换效率，可用于光伏发电。

    N型IBC电池结构及其制备方法
    4.
    发明公开
    N型IBC电池结构及其制备方法 无效

    公开(公告)号：CN105576084A

    公开(公告)日：2016-05-11

    申请号：CN201610152526.0

    申请日：2016-03-17

    申请人： 西安电子科技大学 ,  中电投西安太阳能电力有限公司

    发明人： 董鹏 ,  郭辉 ,  屈小勇 ,  张玉明

    IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0216

    CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02168

    摘要： 本发明公开了一种IBC电池结构及其制作工艺方法，主要解决现有技术制作IBC电池工艺复杂，制造成本高昂的问题。该N型IBC电池，包括减反层、硅片基体、掺杂层、钝化层及金属电极，其特征在于：减反层设在硅片基体的正面，硅掺杂层包括n+重掺杂层和p+重掺杂层，该n+重掺杂层和p+重掺杂层平行设在硅片基体的背面，钝化层设在n+重掺杂层和p+重掺杂层的上面；在n+重掺杂层、p+重掺杂层上引出金属电极至钝化层背面。本发明采用SiNx膜或叠层膜的减反层和钝化层简化了现有电池结构，提高了生产效率，减低了生产成本。

    基于硅纳米线三维结构的太阳能电池及其制备方法
    5.
    发明公开
    基于硅纳米线三维结构的太阳能电池及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN104576783A

    公开(公告)日：2015-04-29

    申请号：CN201510030000.0

    申请日：2015-01-21

    申请人： 中电投西安太阳能电力有限公司

    发明人： 吴翔 ,  郭辉 ,  黄海栗 ,  苗东铭 ,  胡彦飞 ,  张玉明

    IPC分类号： H01L31/0236 ,  H01L31/18

    CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/1804

    摘要： 本发明公开了一种基于硅纳米线三维结构的太阳能电池及其制备方法。其包括N型硅衬底(6)和背面电极(7)；在N型硅衬底(6)的上表面通过干法刻蚀形成梯形形状；该梯形上依次通过转移形成硅纳米线绒面层(5)、通过淀积形成本征多晶硅层(4)和P型多晶硅层(3)、通过磁控溅射形成ITO氧化铟锡透明导电薄膜(2)，最终得到三维倒梯形整体结构；在该结构顶端采用电子束蒸发形成正面电极(1)。所述硅纳米线绒面层(5)中硅纳米线直径为40-80nm，长度为20-40μm，该层具有强烈的陷光特性，能够降低硅衬底表面的光反射率。本发明提高了器件对光子的吸收和利用，改善了太阳能电池的转换效率，可用于光伏发电。

    基于GaN纳米线阵列的太阳能电池及其制备方法
    6.
    发明公开
    基于GaN纳米线阵列的太阳能电池及其制备方法 无效

    公开(公告)号：CN104638031A

    公开(公告)日：2015-05-20

    申请号：CN201510030218.6

    申请日：2015-01-21

    申请人： 中电投西安太阳能电力有限公司

    发明人： 宋志成 ,  郭辉 ,  黄海栗 ,  苗东铭 ,  胡彦飞 ,  张玉明

    IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/04 ,  H01L31/054 ,  H01L31/18

    CPC分类号： Y02E10/52 ,  Y02P70/521

    摘要： 本发明公开了一种基于GaN纳米线阵列的太阳能电池及其制备方法。其包括正电极(1)、ITO氧化铟锡透明导电薄膜(2)、第一掺杂层(3)、第二掺杂层(4)、硅衬底(5)和背电极(6)。其中第一掺杂层和第二掺杂层为宽禁带GaN材料且相互接触形成PN结；第二掺杂层表面为GaN纳米线阵列结构，每根GaN纳米线的直径为50-100nm，长度为2-6μm；该第一掺杂层和ITO氧化铟锡透明导电膜依次层叠在纳米线阵列结构表面，正电极设在纳米线阵列结构顶端。本发明具有良好的陷光效果，且能吸收从可见光到紫外光区的光子，有利于提高换能机构对光子的吸收和利用，改善太阳能电池的转换效率，可用于光伏发电。

    基于硅纳米线绒面的异质结太阳能电池及其制备方法
    7.
    发明授权
    基于硅纳米线绒面的异质结太阳能电池及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN104538476B

    公开(公告)日：2016-08-24

    申请号：CN201510030709.0

    申请日：2015-01-21

    申请人： 中电投西安太阳能电力有限公司

    发明人： 高鹏 ,  郭辉 ,  黄海栗 ,  苗东铭 ,  胡彦飞 ,  张玉明

    IPC分类号： H01L31/0747 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18

    CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521

    摘要： 本发明公开了一种基于硅纳米线绒面的异质结太阳能电池及其制备方法。其自上而下包括栅线电极(1)、ITO氧化铟锡透明导电薄膜(2)、P型非晶硅层(3)、正面本征非晶硅层(4)、N型硅衬底(6)、背面本征非晶硅层(7)、N型非晶硅层(8)、AZO氧化锌透明导电膜(9)和背电极(10)。其中在正面本征非晶硅层(4)与N型硅衬底(6)之间设有硅纳米线绒面层(5)，以降低硅衬底的光反射率。该硅纳米线绒面是通过溶液转移至N型硅衬底(6)上并经微刻蚀形成相互交叉堆叠的硅纳米线层，具有强烈的陷光特性。本发明提高了异质结太阳能电池对光子的吸收和利用，改善了太阳能电池的转换效率，可用于光伏发电。

    基于硅纳米线绒面的异质结太阳能电池及其制备方法
    9.
    发明公开
    基于硅纳米线绒面的异质结太阳能电池及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN104538476A

    公开(公告)日：2015-04-22

    申请号：CN201510030709.0

    申请日：2015-01-21

    申请人： 中电投西安太阳能电力有限公司

    发明人： 高鹏 ,  郭辉 ,  黄海栗 ,  苗东铭 ,  胡彦飞 ,  张玉明

    IPC分类号： H01L31/072 ,  H01L31/18

    CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/072 ,  H01L31/202

    摘要： 本发明公开了一种基于硅纳米线绒面的异质结太阳能电池及其制备方法。其自上而下包括栅线电极(1)、ITO氧化铟锡透明导电薄膜(2)、P型非晶硅层(3)、正面本征非晶硅层(4)、N型硅衬底(6)、背面本征非晶硅层(7)、N型非晶硅层(8)、AZO氧化锌透明导电膜(9)和背电极(10)。其中在正面本征非晶硅层(4)与N型硅衬底(6)之间设有硅纳米线绒面层(5)，以降低硅衬底的光反射率。该硅纳米线绒面是通过溶液转移至N型硅衬底(6)上并经微刻蚀形成相互交叉堆叠的硅纳米线层，具有强烈的陷光特性。本发明提高了异质结太阳能电池对光子的吸收和利用，改善了太阳能电池的转换效率，可用于光伏发电。

    基于硅纳米线阵列的太阳能电池及其制备方法
    10.
    发明公开
    基于硅纳米线阵列的太阳能电池及其制备方法 无效

    公开(公告)号：CN104538470A

    公开(公告)日：2015-04-22

    申请号：CN201510030922.1

    申请日：2015-01-21

    申请人： 中电投西安太阳能电力有限公司

    发明人： 张婷 ,  郭辉 ,  黄海栗 ,  苗东铭 ,  胡彦飞 ,  张玉明

    IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/18

    CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/202

    摘要： 本发明公开了一种基于硅纳米线阵列的太阳能电池及其制备方法。主要解决现有太阳能电池绒面结构光反射率高，载流子收集效率低的问题。其包括N背电极(6)和型硅衬底(5)，其中N型硅衬底(5)的上表面采用干法刻蚀形成纳米线阵列结构，在该纳米线阵列结构上表面依次采用等离子体化学气相淀积形成本征非晶硅层(4)和P型非晶硅层(3)，采用磁控溅射工艺形成ITO氧化铟锡透明导电膜(2)，在纳米线阵列结构的顶端采用电子束蒸发形成正电极(1)。本发明由于采用硅纳米线阵列结构，具有良好的陷光效果，且提高了载流子的收集效率，有利于提高换能机构对光子的吸收和利用，改善了太阳能电池的转换效率，可用于光伏发电。