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公开(公告)号：CN102053106B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200910198786.1
申请日：2009-11-09
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
Abstract: 本发明提出一种缺陷检测方法，该方法包括：在待测导电体上设置至少两个输出端，各输出端分别接相同电位，然后用带电粒子束按预先确定的检测点的移动路径检测，记录所有输出端的输出电流及相应检测点位置，计算各输出端的输出电流与总电流的比值，其定义为相对电流，然后建立各输出端相对电流与检测点之间的对应关系，通过对应关系判断检测点是否存在缺陷。
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公开(公告)号：CN102054722A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910198787.6
申请日：2009-11-09
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L21/768
Abstract: 本发明提出一种带电粒子束检测弯曲结构金属连线缺陷的方法，该方法包括：先把弯曲结构金属连线的首末端接相同电位，然后用带电粒子束横向检测弯曲结构金属连线的金属直线部分，并通过作出电流变化曲线确定缺陷的种类和位置范围，再通过纵向检测并分析电流变化曲线，最终确定弯曲结构金属连线缺陷的精确位置。该方法由于采用带电电子束或带电离子束进行检测，使检测的空间分辨率从微米级提高到纳米级，基本不受缺陷的材料的影响，能检测微小缺陷引起的很小的电阻变化，并通过横向检测缩短了弯曲结构金属连线缺陷的检测时间，极大地提高缺陷分析效率。
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公开(公告)号：CN102053106A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910198786.1
申请日：2009-11-09
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Abstract: 本发明提出一种缺陷检测方法，该方法包括：在待测导电体上设置至少两个输出端，各输出端分别接相同电位，然后用带电粒子束按预先确定的检测点的移动路径检测，记录所有输出端的输出电流及相应检测点位置，计算各输出端的输出电流与总电流的比值，其定义为相对电流，然后建立各输出端相对电流与检测点之间的对应关系，通过对应关系判断检测点是否存在缺陷。
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公开(公告)号：CN101399253B
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200710046486.2
申请日：2007-09-26
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L23/544 , H01L21/66 , H01L21/768 , G01R31/07
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种激光切割熔丝的测试结构，包括第一熔丝和第二熔丝，第一熔丝、第二熔丝间隔排列，第一熔丝电性连接形成串联熔丝链，第一熔丝、第二熔丝电性连接形成并联熔丝链。所述的测试结构还包括分别电性连接串联熔丝链两端的第一电极垫、第二电极垫，与并联熔丝链没有连接第一电极垫、第二电极垫的一端电性连接的第三电极垫。采用所述的测试结构对激光切割熔丝进行测试，能够预测激光对熔丝的切割效果，以此调整激光器的参数来产生可以准确切割熔丝的激光。本发明还公开了一种激光切割熔丝的测试方法、激光切割熔丝的方法及测试晶圆。
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公开(公告)号：CN101625904A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200810040356.2
申请日：2008-07-08
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: G11C29/04
Abstract: 本发明提供一种存储单元组合规律的验证方法，用于验证存储芯片存储单元组合规律的正确性，它包括以下步骤：1.在待验证的存储芯片上标记待损伤位置；2.采用聚焦离子束在待损伤位置制作损伤凹口；3.采用测试机测试存储芯片，标记测试机测试的存储单元失效位置；4.去除存储单元有源层表面的介质层和金属连线层，确定步骤2制作的损伤凹口的存储单元位置；5.比对步骤3测得的存储单元失效位置与步骤4确定的损伤凹口的存储单元位置进行存储单元组合验证。本发明存储单元组合的验证方法通过采用聚焦离子束制作损伤凹口和去除存储单元有源层表面介质层和金属连线层可有效解决传统验证方法存在的存储芯片易整体失效和精确性低的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101459044B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200710094554.2
申请日：2007-12-13
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/66 , H01L23/544 , G01B7/34
Abstract: 化学机械抛光中凹陷现象检测单元、制作方法及检测方法，所述制作方法包括如下步骤：在经化学机械抛光后的图形衬底表面生长检测层；在检测层表面生长覆盖层；对覆盖层表面进行化学机械抛光处理，至除去图形衬底表面的图形边缘处对应的覆盖层；采用选择性刻蚀的方法，在图形衬底表面形成检测单元。本发明还提供了一种化学机械抛光中凹陷现象的检测方法。本发明提供的制作方法和检测方法，既适用于检测导电材料构成的图形衬底，又适用于检测绝缘材料构成的图形衬底，具有普适性。
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公开(公告)号：CN101459044A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200710094554.2
申请日：2007-12-13
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/66 , H01L23/544 , G01B7/34
Abstract: 化学机械抛光中凹陷现象检测单元、制作方法及检测方法，所述制作方法包括如下步骤：在经化学机械抛光后的图形衬底表面生长检测层；在检测层表面生长覆盖层；对覆盖层表面进行化学机械抛光处理，至除去图形衬底表面的图形边缘处对应的覆盖层；采用选择性刻蚀的方法，在图形衬底表面形成检测单元。本发明还提供了一种化学机械抛光中凹陷现象的检测方法。本发明提供的制作方法和检测方法，既适用于检测导电材料构成的图形衬底，又适用于检测绝缘材料构成的图形衬底，具有普适性。
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公开(公告)号：CN101373756A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200710045075.1
申请日：2007-08-21
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L23/544 , H01L21/66
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明揭示了一种金属制程工艺中凹陷现象的测试结构，其中待测金属层依次排列；该结构包括第一测试片，延伸出包括数个分支的第一测试导线；第二测试片，延伸出包括数个分支的第二测试导线；第二测试导线还连接到第三测试片；在第一测试片和第二测试片之间施加电压，根据测得的电流的大小测试是否存在引起桥接的凹陷现象；以及在第二测试片和第三测试片之间施加电压，根据测得的电阻的大小测试是否存在不足以引起桥接的凹陷现象。采用本发明的技术方案，能够方便地测试是否在金属层中存在金属凹陷的现象，以及是否存在严重到产生桥接的金属凹陷的现象。从而可以进行及时地修正，避免由于凹陷现象而产生的器件损坏。
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公开(公告)号：CN102054722B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN200910198787.6
申请日：2009-11-09
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L21/768
Abstract: 本发明提出一种带电粒子束检测弯曲结构金属连线缺陷的方法，该方法包括：先把弯曲结构金属连线的首末端接相同电位，然后用带电粒子束横向检测弯曲结构金属连线的金属直线部分，并通过作出电流变化曲线确定缺陷的种类和位置范围，再通过纵向检测并分析电流变化曲线，最终确定弯曲结构金属连线缺陷的精确位置。该方法由于采用带电电子束或带电离子束进行检测，使检测的空间分辨率从微米级提高到纳米级，基本不受缺陷的材料的影响，能检测微小缺陷引起的很小的电阻变化，并通过横向检测缩短了弯曲结构金属连线缺陷的检测时间，极大地提高缺陷分析效率。
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公开(公告)号：CN101373756B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200710045075.1
申请日：2007-08-21
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L23/544 , H01L21/66
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明揭示了一种金属制程工艺中凹陷现象的测试结构，其中待测金属层依次排列；该结构包括第一测试片，延伸出包括数个分支的第一测试导线；第二测试片，延伸出包括数个分支的第二测试导线；第二测试导线还连接到第三测试片；在第一测试片和第二测试片之间施加电压，根据测得的电流的大小测试是否存在引起桥接的凹陷现象；以及在第二测试片和第三测试片之间施加电压，根据测得的电阻的大小测试是否存在不足以引起桥接的凹陷现象。采用本发明的技术方案，能够方便地测试是否在金属层中存在金属凹陷的现象，以及是否存在严重到产生桥接的金属凹陷的现象。从而可以进行及时地修正，避免由于凹陷现象而产生的器件损坏。
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