电子射线装置的制造方法

    公开(公告)号:CN1770355A

    公开(公告)日:2006-05-10

    申请号:CN200510106382.7

    申请日:2005-09-22

    Inventor: 伊庭润 东尚史

    CPC classification number: H01J9/44 H01J31/127

    Abstract: 在电子射线发射元件的制造方法中,检测成为阴极基板上的不需要的电子发射部的杂散发射源的位置,在该检测位置上局部地赋予能量,从而除去杂散发射源。由此,提供没有因突发放电而导致的部件劣化、障碍的良好的电子射线装置。

    电子发射器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN101377992B

    公开(公告)日:2010-09-15

    申请号:CN200810212473.2

    申请日:2008-08-29

    CPC classification number: H01J1/316 H01J9/027 H01J2201/3165

    Abstract: 本发明公开了一种电子发射器件及其制造方法。根据本发明的电子发射器件的制造方法包括以下步骤:制备衬底和导电膜,所述衬底具有第一电极和第二电极,所述导电膜用于将所述第一电极与所述第二电极连接;以及通过将电压施加在所述第一电极与所述第二电极之间而在所述导电膜上形成间隙;其中,所述导电膜的平面形状具有在所述第一电极与所述第二电极之间的V形部分。

    电子射线装置的制造方法

    公开(公告)号:CN100530488C

    公开(公告)日:2009-08-19

    申请号:CN200510106382.7

    申请日:2005-09-22

    Inventor: 伊庭润 东尚史

    CPC classification number: H01J9/44 H01J31/127

    Abstract: 在电子射线发射元件的制造方法中,检测成为阴极基板上的不需要的电子发射部的杂散发射源的位置,在该检测位置上局部地赋予能量,从而除去杂散发射源。由此,提供没有因突发放电而导致的部件劣化、障碍的良好的电子射线装置。

    电子发射器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN101377992A

    公开(公告)日:2009-03-04

    申请号:CN200810212473.2

    申请日:2008-08-29

    CPC classification number: H01J1/316 H01J9/027 H01J2201/3165

    Abstract: 本发明公开了一种电子发射器件及其制造方法。根据本发明的电子发射器件的制造方法包括以下步骤:制备衬底和导电膜,所述衬底具有第一电极和第二电极,所述导电膜用于将所述第一电极与所述第二电极连接;以及通过将电压施加在所述第一电极与所述第二电极之间而在所述导电膜上形成间隙;其中,所述导电膜的平面形状具有在所述第一电极与所述第二电极之间的V形部分。

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