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公开(公告)号：CN107832234A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201710666604.3
申请日：2017-08-07
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： G06F12/02
摘要： 一种用于NAND FLASH的日志块快速命中方法，首先在系统内存中创建LOPB，在向LOG块写数据的同时不断向LOPB中添加LPA，在读数据过程中，根据目标扇区的LBA地址LADDR，计算其页偏移地址，查找相应的LOPB的LPA，从某结点开始遍历，能够快速准确找到存放与目标LADDR相同页偏移地址的日志块中页地址，进一步根据找到的页冗余区的地址信息计算该页中是否命中目标LADDR。本发明方法降低系统内存的消耗同时能够快速命中日志块，提高系统响应速度，减少查找日志块的资源开销和时间消耗，提升了闪存处理器的性能，对系统内存资源较为宝贵的片上系统具有实际意义。
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公开(公告)号：CN103092766A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210595077.9
申请日：2012-12-28
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： G06F12/02
摘要： 本发明公开一种用于NAND FLASH的均衡损耗实现方法，该方法包括局部均衡实现方法及全局均衡实现方法，该方法根据NAND FLASH总块数及系统性能需求，按照分配为LOG块，针对每个LOG块的擦写次数，优先分配擦写次数最低的LOG块作为新数据的存储块以实现LOG块内的局部均衡实现方法；并通过将数据块中擦写次数相对较少的数据块记录到COLD-DATA-POOL中，判断比较等步骤实现全局均衡，本方法可有效避免因COLD-DATA导致的对NAND FLASH造成的擦除次数不均衡，可有效提高NAND FLASH的使用寿命。
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公开(公告)号：CN107832234B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201710666604.3
申请日：2017-08-07
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： G06F12/02
摘要： 一种用于NAND FLASH的日志块快速命中方法，首先在系统内存中创建LOPB，在向LOG块写数据的同时不断向LOPB中添加LPA，在读数据过程中，根据目标扇区的LBA地址LADDR，计算其页偏移地址，查找相应的LOPB的LPA，从某结点开始遍历，能够快速准确找到存放与目标LADDR相同页偏移地址的日志块中页地址，进一步根据找到的页冗余区的地址信息计算该页中是否命中目标LADDR。本发明方法降低系统内存的消耗同时能够快速命中日志块，提高系统响应速度，减少查找日志块的资源开销和时间消耗，提升了闪存处理器的性能，对系统内存资源较为宝贵的片上系统具有实际意义。
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公开(公告)号：CN105589767B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201510965336.6
申请日：2015-12-21
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
摘要： 种用于NAND FLASH的系统掉电保护实现方法,包括以下步骤:、将NAND FLASH内的所有块通过级表、二级表和三级表进行映射管理;二、系统上电,加载级表、二级表和三级表,恢复系统工作状态;三、依据表中数据,判断在数据更新过程中是否发生异常掉电;四、当NAND Flash存储的信息发生改变时,对级表、二级表和三级表进行更新。本发明在新级表、新二级表或新三级表被成功写入后,再擦除原级表、原二级表或原三级表,且这些表在可查的地址范围内,因此系统在掉电重新上电后,系统完整保留了各表中的数据,能够根据各表中的数据,对系统状态进行恢复。
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公开(公告)号：CN105930282B
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201610232327.0
申请日：2016-04-14
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： G06F12/0897
摘要： 一种用于NAND FLASH的数据缓存方法，首先将缓存区cache分为块级缓存、页级缓存，然后对数据进行数据读写时，如果块级缓存或者页级缓存是否存在当前数据，则直接完成数据读写，否则从FLASH中读取数据或者将数据缓存区中空闲空间分配给当前数据并写入FLASH，若缓存没有空闲空间，则通过替换算法确定替换块并将替换块中数据写入FLASH中，最后释放替换块，重新写入新的数据，进而完成数据缓存。本发明方法通过采用块缓存和页缓存结合的方法使得随机读写访问中缓存的命中率得到提高，并提出了一种高效替换算法，在减小缓存映射表大小的同时，还提高缓存区的空间利用率，具有较好的使用价值。
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公开(公告)号：CN105930282A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610232327.0
申请日：2016-04-14
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： G06F12/0897
CPC分类号： G06F12/0897
摘要： 一种用于NAND FLASH的数据缓存方法，首先将缓存区cache分为块级缓存、页级缓存，然后对数据进行数据读写时，如果块级缓存或者页级缓存是否存在当前数据，则直接完成数据读写，否则从FLASH中读取数据或者将数据缓存区中空闲空间分配给当前数据并写入FLASH，若缓存没有空闲空间，则通过替换算法确定替换块并将替换块中数据写入FLASH中，最后释放替换块，重新写入新的数据，进而完成数据缓存。本发明方法通过采用块缓存和页缓存结合的方法使得随机读写访问中缓存的命中率得到提高，并提出了一种高效替换算法，在减小缓存映射表大小的同时，还提高缓存区的空间利用率，具有较好的使用价值。
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公开(公告)号：CN105589767A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201510965336.6
申请日：2015-12-21
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
CPC分类号： G06F11/1448 , G06F12/16
摘要： 一种用于NAND FLASH的系统掉电保护实现方法，包括以下步骤：一、将NAND FLASH内的所有块通过一级表、二级表和三级表进行映射管理；二、系统上电，加载一级表、二级表和三级表，恢复系统工作状态；三、依据表中数据，判断在数据更新过程中是否发生异常掉电；四、当NAND Flash存储的信息发生改变时，对一级表、二级表和三级表进行更新。本发明在新一级表、新二级表或新三级表被成功写入后，再擦除原一级表、原二级表或原三级表，且这些表在可查的地址范围内，因此系统在掉电重新上电后，系统完整保留了各表中的数据，能够根据各表中的数据，对系统状态进行恢复。
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公开(公告)号：CN103092766B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201210595077.9
申请日：2012-12-28
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： G06F12/02
摘要： 本发明公开一种用于NAND FLASH的均衡损耗实现方法，该方法包括局部均衡实现方法及全局均衡实现方法，该方法根据NAND FLASH总块数及系统性能需求，按照分配为LOG块，针对每个LOG块的擦写次数，优先分配擦写次数最低的LOG块作为新数据的存储块以实现LOG块内的局部均衡实现方法；并通过将数据块中擦写次数相对较少的数据块记录到COLD-DATA-POOL中，判断比较等步骤实现全局均衡，本方法可有效避免因COLD-DATA导致的对NAND FLASH造成的擦除次数不均衡，可有效提高NAND FLASH的使用寿命。
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公开(公告)号：CN101710309B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200910242497.7
申请日：2009-12-15
IPC分类号： G06F13/28
摘要： 本发明涉及一种基于海量数据传输的DMA控制器，通过对公共寄存器及字节计数器、块计数器以及子块数计数器的配置可实现字节数据传输、块数据传输和子块数据传输。字节数据传输和子块数据传输适用于数据源缓存区和数据目的缓存区不同的情况，块数据传输，适用于数据源缓存区与数据目的缓存区相同的情况，通过改变其逻辑地址就完成了传送过程。采用本发明的技术方案使数据源缓冲区与数据目的缓冲区数据可以在一个节拍内完成数据传输，大大加快了DMA传输的数据量，提高了传输效率。
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公开(公告)号：CN102541474A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110459238.7
申请日：2011-12-29
IPC分类号： G06F3/06
摘要： 本发明公开了一种USB读卡控制器，包括：数据缓冲区管理模块、实现设备的端点层的USB设备接口模块、对存储卡操作流程进行控制的存储卡接口模块、对数据进行读写控制的数据读写控制模块。采用本发明减小了USB读卡控制器的电路规模，并且提高了数据的传输速率。
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