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公开(公告)号：CN113472345B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202110735947.7
申请日：2021-06-30
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
摘要： 本发明涉及一种可配置分数分频器，包括上升沿参考时钟选择电路、下降沿参考时钟选择电路、低电平控制电路、高电平控制电路、状态选择电路和输出电路，上升沿参考时钟选择电路和下降沿参考时钟选择电路采用相同的电路结构，低电平控制电路和高电平控制电路采用相同的电路结构；可配置分数分频器接收L个输入时钟CLKMP，通过配置信号控制输出时钟边沿翻转时刻和高低电平持续时间，产生所需频率的输出时钟CLKOUT；CLKMP需满足频率相同相位相差360°/L的要求。本发明的可配置分数分频器，采用加法器、减法计数器和简单的控制逻辑实现，电路复杂度低，减小了电路所需面积和功耗。
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公开(公告)号：CN105589767A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201510965336.6
申请日：2015-12-21
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
CPC分类号： G06F11/1448 , G06F12/16
摘要： 一种用于NAND FLASH的系统掉电保护实现方法，包括以下步骤：一、将NAND FLASH内的所有块通过一级表、二级表和三级表进行映射管理；二、系统上电，加载一级表、二级表和三级表，恢复系统工作状态；三、依据表中数据，判断在数据更新过程中是否发生异常掉电；四、当NAND Flash存储的信息发生改变时，对一级表、二级表和三级表进行更新。本发明在新一级表、新二级表或新三级表被成功写入后，再擦除原一级表、原二级表或原三级表，且这些表在可查的地址范围内，因此系统在掉电重新上电后，系统完整保留了各表中的数据，能够根据各表中的数据，对系统状态进行恢复。
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公开(公告)号：CN113472345A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110735947.7
申请日：2021-06-30
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
摘要： 本发明涉及一种可配置分数分频器，包括上升沿参考时钟选择电路、下降沿参考时钟选择电路、低电平控制电路、高电平控制电路、状态选择电路和输出电路，上升沿参考时钟选择电路和下降沿参考时钟选择电路采用相同的电路结构，低电平控制电路和高电平控制电路采用相同的电路结构；可配置分数分频器接收L个输入时钟CLKMP，通过配置信号控制输出时钟边沿翻转时刻和高低电平持续时间，产生所需频率的输出时钟CLKOUT；CLKMP需满足频率相同相位相差360°/L的要求。本发明的可配置分数分频器，采用加法器、减法计数器和简单的控制逻辑实现，电路复杂度低，减小了电路所需面积和功耗。
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公开(公告)号：CN107832234A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201710666604.3
申请日：2017-08-07
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： G06F12/02
摘要： 一种用于NAND FLASH的日志块快速命中方法，首先在系统内存中创建LOPB，在向LOG块写数据的同时不断向LOPB中添加LPA，在读数据过程中，根据目标扇区的LBA地址LADDR，计算其页偏移地址，查找相应的LOPB的LPA，从某结点开始遍历，能够快速准确找到存放与目标LADDR相同页偏移地址的日志块中页地址，进一步根据找到的页冗余区的地址信息计算该页中是否命中目标LADDR。本发明方法降低系统内存的消耗同时能够快速命中日志块，提高系统响应速度，减少查找日志块的资源开销和时间消耗，提升了闪存处理器的性能，对系统内存资源较为宝贵的片上系统具有实际意义。
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公开(公告)号：CN116148565A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211706610.4
申请日：2022-12-29
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
摘要： 本发明提供了一种高可靠低成本的低压大电流器件单粒子测试系统，采用定时刷新机制搭建可靠单粒子测试系统，且无需外加程控电源等供电设备，实现低压大电流复杂器件的电压和电流实时监控。系统包括上位机、主控系统、待测器件电源系统、待测系统。上位机负责试验过程控制和试验结果显示。主控系统负责接受上位机操作指令，监控待测器件电源系统，完成电压和电流监测，并控制待测系统完成单粒子效应评估。待测器件电源系统，由可回读输出电压和电流的电路构成，完成待测器件的供电。主控系统监控待测器件电源系统的输出电压和电流并判定和记录单粒子翻转、单粒子锁定和单粒子功能中断等，最终完成待测低压大电流复杂器件的单粒子效应评估。
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公开(公告)号：CN114968738A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210493910.2
申请日：2022-04-29
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
摘要： 一种FPGA高速串行收发器单粒子效应性能评估系统及方法，评估系统包括上位机、主控系统和待测系统。上位机负责试验过程控制和试验结果显示。主控系统负责接受上位机操作指令，控制待测系统完成单粒子效应评估。待测系统中FPGA，用部分暴露在粒子束下的方式，完成高速串行收发器单粒子试验。利用统计学方法定义单粒子翻转、可恢复单粒子功能中断和不可恢复单粒子功能中断，最终完成待测FPGA高速串行收发器的单粒子效应评估。本发明是一种系统级的单粒子效应评估方法，包含单粒子翻转、单粒子功能中断，有效的全面评估器件抗单粒子性能。
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公开(公告)号：CN107832234B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201710666604.3
申请日：2017-08-07
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： G06F12/02
摘要： 一种用于NAND FLASH的日志块快速命中方法，首先在系统内存中创建LOPB，在向LOG块写数据的同时不断向LOPB中添加LPA，在读数据过程中，根据目标扇区的LBA地址LADDR，计算其页偏移地址，查找相应的LOPB的LPA，从某结点开始遍历，能够快速准确找到存放与目标LADDR相同页偏移地址的日志块中页地址，进一步根据找到的页冗余区的地址信息计算该页中是否命中目标LADDR。本发明方法降低系统内存的消耗同时能够快速命中日志块，提高系统响应速度，减少查找日志块的资源开销和时间消耗，提升了闪存处理器的性能，对系统内存资源较为宝贵的片上系统具有实际意义。
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公开(公告)号：CN105589767B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201510965336.6
申请日：2015-12-21
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
摘要： 种用于NAND FLASH的系统掉电保护实现方法,包括以下步骤:、将NAND FLASH内的所有块通过级表、二级表和三级表进行映射管理;二、系统上电,加载级表、二级表和三级表,恢复系统工作状态;三、依据表中数据,判断在数据更新过程中是否发生异常掉电;四、当NAND Flash存储的信息发生改变时,对级表、二级表和三级表进行更新。本发明在新级表、新二级表或新三级表被成功写入后,再擦除原级表、原二级表或原三级表,且这些表在可查的地址范围内,因此系统在掉电重新上电后,系统完整保留了各表中的数据,能够根据各表中的数据,对系统状态进行恢复。
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