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公开(公告)号：CN114045468B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202111283138.3
申请日：2021-11-01
Applicant: 北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院)
Abstract: 本发明公开了一种薄膜沉积设备、物理气相沉积装置以及薄膜沉积方法，薄膜沉积设备包括用于提供薄膜沉积环境的薄膜沉积腔体，用于固定基片且可实现X、Y、Z三维移动，360度连续旋转并调整角度的样品架，用于在所述基片上沉积薄膜且可伸缩并调整角度的若干沉积模块，用于监测薄膜的生长过程和状态的反馈模块，以及用于接收所述反馈模块的反馈信息并根据所述反馈信息对所述沉积模块和/或样品架进行控制的控制模块。该薄膜沉积设备可实现薄膜沉积和反应参数的自动调整，对沉积条件进行优化，可以自动调节薄膜的生长调节和反应条件从而制备高质量的薄膜，并针对特点的材料选择最优的沉积条件，实现薄膜沉积过程的闭环控制，获得高性能沉积薄膜。
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公开(公告)号：CN114045468A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111283138.3
申请日：2021-11-01
Applicant: 北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院)
Abstract: 本发明公开了一种薄膜沉积设备、物理气相沉积装置以及薄膜沉积方法，薄膜沉积设备包括用于提供薄膜沉积环境的薄膜沉积腔体，用于固定基片且可实现X、Y、Z三维移动，360度连续旋转并调整角度的样品架，用于在所述基片上沉积薄膜且可伸缩并调整角度的若干沉积模块，用于监测薄膜的生长过程和状态的反馈模块，以及用于接收所述反馈模块的反馈信息并根据所述反馈信息对所述沉积模块和/或样品架进行控制的控制模块。该薄膜沉积设备可实现薄膜沉积和反应参数的自动调整，对沉积条件进行优化，可以自动调节薄膜的生长调节和反应条件从而制备高质量的薄膜，并针对特点的材料选择最优的沉积条件，实现薄膜沉积过程的闭环控制，获得高性能沉积薄膜。
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公开(公告)号：CN113846304B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111419111.2
申请日：2021-11-26
Applicant: 北京航空航天大学
Abstract: 本发明公开了一种靶头、磁控溅射靶枪及磁控溅射系统，靶头包括：烟囱，与供气管路相连通，烟囱设置有用于监测磁控溅射靶枪工作状态的监测结构；磁体结构，安装于烟囱内，磁体结构用于产生各种磁场，磁体结构的上方安装有靶材；烟囱包括：烟囱中段，为导电材料制成，靶材位于烟囱中段内；烟囱下段和烟囱上段，均为绝缘材料制成，烟囱下段和烟囱上段分别与烟囱中段的两端相连接。本发明的靶头，溅射出的靶材原子不会沉积到烟囱上段和烟囱下段的内壁面上，从而减小了由于靶材原子沉积到烟囱的内壁面上形成的薄膜与靶材接触而造成短路的风险，并且等离子体会集中在烟囱中段即靶材的周围，从而避免等离子体撞击靶头的其他部件，而造成其他部件被污染。
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公开(公告)号：CN119894353A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510055403.4
申请日：2025-01-14
Applicant: 北京航空航天大学
Abstract: 本发明公开了一种新型双自旋转移矩器件，所述器件自下而上依次包括：磁隧道结：包括由铁磁金属构成的底部参考层、由氧化物构成的势垒层和由铁磁金属构成的自由层；自旋阀结构：包括与磁隧道结共用的自由层、由间隔材料构成的间隔层和由铁磁金属构成的顶部参考层；所述顶部参考层的磁矩方向与自由层和底部参考层的磁矩方向正交，可有效提升数据写入初始阶段自旋转移矩的效率，降低自由层磁矩翻转的孵化延迟，且自旋阀结构不会对器件整体的隧穿磁阻产生显著影响。本发明可用于提高自旋转移矩磁隧道结的数据写入速度、降低数据写入功耗。
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公开(公告)号：CN113846304A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202111419111.2
申请日：2021-11-26
Applicant: 北京航空航天大学
Abstract: 本发明公开了一种靶头、磁控溅射靶枪及磁控溅射系统，靶头包括：烟囱，与供气管路相连通，烟囱设置有用于监测磁控溅射靶枪工作状态的监测结构；磁体结构，安装于烟囱内，磁体结构用于产生各种磁场，磁体结构的上方安装有靶材；烟囱包括：烟囱中段，为导电材料制成，靶材位于烟囱中段内；烟囱下段和烟囱上段，均为绝缘材料制成，烟囱下段和烟囱上段分别与烟囱中段的两端相连接。本发明的靶头，溅射出的靶材原子不会沉积到烟囱上段和烟囱下段的内壁面上，从而减小了由于靶材原子沉积到烟囱的内壁面上形成的薄膜与靶材接触而造成短路的风险，并且等离子体会集中在烟囱中段即靶材的周围，从而避免等离子体撞击靶头的其他部件，而造成其他部件被污染。
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