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公开(公告)号：CN113176427B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202110436616.3
申请日：2021-04-22
Applicant: 北京航空航天大学
IPC: G01R1/073
Abstract: 本发明提供一种射频桥接探针，包括：微波传输结构以及分别对称连接于所述微波传输结构两端的两个探针组件；两个所述探针组件分别连接微带传输线；所述微波传输结构包括信号通道、屏蔽层以及中间介质；所述探针组件包括一第一探针和一第二探针；所述第一探针与所述微波传输结构的信号通道连接，所述第二探针与所述微波传输结构的屏蔽层连接。射频桥接探针，可用于连接两侧的微带传输线或共面波导结构，其极限带宽可以保证DC‑hGHz信号传输的完整性。
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公开(公告)号：CN113178220B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202110435404.3
申请日：2021-04-22
Applicant: 北京航空航天大学
Abstract: 本发明提供一种超快电脉冲发生与探测装置及其使用方法，该超快电脉冲发生与探测装置包括：激光器和电脉冲发生器。该电脉冲发生器包括：光电材料层，包括一光控开关区，所述光控开关区用于响应所述激光器产生的激发光；绝缘层，形成于所述光电材料层上，其中，所述绝缘层与所述光控开关区对应的位置存在一开关结构，使所述光控开关区部分暴露或完全暴露；传输线，形成于所述绝缘层上。本发明的超快电脉冲发生与探测装置通过飞秒激发光对光电材料的激励，可以产生低至3.7ps的电脉冲，实现hGHz的信号产生。
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公开(公告)号：CN114813624A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210235897.0
申请日：2022-06-21
Applicant: 北京航空航天大学
IPC: G01N21/3586 , G01N21/3581 , G01N21/01
Abstract: 本发明提供一种高分辨率近场太赫兹时域光谱系统及高精度层析成像方法，该系统包括：分别在第一脉冲激光和第二脉冲激光的触发下产生第一太赫兹脉冲和第二太赫兹脉冲的第一太赫兹源和第二太赫兹源；在第三脉冲激光的触发下接收经待测样品辐射产生的第三太赫兹脉冲和第四太赫兹脉冲的太赫兹探测器；第三太赫兹脉冲和第四太赫兹脉冲分别由待测样品对第一太赫兹脉冲和第二太赫兹脉冲辐射产生；传输第一脉冲激光、第二脉冲激光以及第三脉冲激光的脉冲激光光路；待测样品与第一太赫兹源、第二太赫兹源的距离以及太赫兹探测器三者之间的距离均小于太赫兹波长。本申请同时利用近场辐射技术和近场探测技术提高系统的分辨率，降低太赫兹传输损耗。
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公开(公告)号：CN113846304A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202111419111.2
申请日：2021-11-26
Applicant: 北京航空航天大学
Abstract: 本发明公开了一种靶头、磁控溅射靶枪及磁控溅射系统，靶头包括：烟囱，与供气管路相连通，烟囱设置有用于监测磁控溅射靶枪工作状态的监测结构；磁体结构，安装于烟囱内，磁体结构用于产生各种磁场，磁体结构的上方安装有靶材；烟囱包括：烟囱中段，为导电材料制成，靶材位于烟囱中段内；烟囱下段和烟囱上段，均为绝缘材料制成，烟囱下段和烟囱上段分别与烟囱中段的两端相连接。本发明的靶头，溅射出的靶材原子不会沉积到烟囱上段和烟囱下段的内壁面上，从而减小了由于靶材原子沉积到烟囱的内壁面上形成的薄膜与靶材接触而造成短路的风险，并且等离子体会集中在烟囱中段即靶材的周围，从而避免等离子体撞击靶头的其他部件，而造成其他部件被污染。
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公开(公告)号：CN106847684A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710017794.6
申请日：2017-01-11
Applicant: 北京航空航天大学
IPC: H01L21/265 , B32B43/00
CPC classification number: H01L21/265 , B32B43/006
Abstract: 本发明涉及一种离子注入辅助的超薄膜材料剥离方法：步骤一：采用一定的参数对体材料或厚度较厚的层状材料表面进行离子注入，调节离子注入参数，使掺杂原子集中在材料内部0.1nm～10mm深度范围。步骤二：受选用材料的晶格结构以及离子注入深度的影响，若薄膜材料在剥离过程中会出现破损，则进行以下步骤，否则进入步骤三：在材料待剥离表面加盖衬底作为加固层，对材料的注入表面和衬底进行活化处理，在升温、加压的条件下诱导材料注入表面与衬底键合。步骤三：对上一步骤得到的样品进行加热处理，诱导固体晶格中的原子扩散。本发明方法可实现原子级尺度的超薄膜材料剥离；可较好地保持薄膜材料的厚度均匀性、表面形貌；可以较好地保持材料的晶格结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104393169B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201410531733.8
申请日：2014-10-10
Applicant: 北京航空航天大学
Abstract: 一种无需外部磁场的自旋轨道动量矩磁存储器，该存储器SOT-MTJ基于垂直磁各向异性，除了包含有传统MTJ结构中的自由层、隧穿势垒层、参考层和反铁磁金属层，还额外添加了一层非铁磁金属层，并且优化了反铁磁金属层的材料，以及改进了隧穿势垒层的形状；该SOT-MTJ结构从下到上依次为底电极，非铁磁金属层，铁磁金属层一即自由层，楔形隧穿势垒层，铁磁金属层二即参考层，反铁磁金属层及顶电极共七层。本发明无需外部磁场即可进行写入操作，因而较之前的SOT-MRAM能耗更低，随工艺节点降低的等比微缩性也更优秀。
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公开(公告)号：CN105702853A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610124480.1
申请日：2016-03-04
Applicant: 北京航空航天大学
CPC classification number: H01L43/08 , H01L27/222 , H01L43/10
Abstract: 一种自旋转移矩磁存储单元，其特征是该磁存储单元的磁隧道结基于垂直磁各向异性(PMA)，在经典磁隧道结即自由层、参考层和隧穿势垒层的三层结构基础上，添加了一层缓冲层，一层顶部磁性层及一层顶部非磁性层。该磁存储单元的磁隧道结从下到上由参考层、隧穿势垒层、自由层、缓冲层、顶部磁性层及顶部非磁性层构成。本发明提供的新型磁隧道结将在有效提高数据存储热稳定性的同时保持翻转电流在较低水平。对提高磁存储单元稳定性，降低存储功耗，延长存储单元读写寿命作用明显。
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公开(公告)号：CN113359071B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202110436617.8
申请日：2021-04-22
Applicant: 北京航空航天大学
IPC: G01R33/12
Abstract: 本发明提供一种利用皮秒电脉冲的磁动力学测试系统，包括：电脉冲发生装置、射频传输装置以及时间分辨率磁光克尔子系统。其中，所述电脉冲发生装置用于产生皮秒级电脉冲；所述射频传输装置包括射频桥接探针，用于通过传输线接收所述电脉冲发生装置产生的皮秒级电脉冲，并将所述皮秒级电脉冲传输至待测样品；所述时间分辨率磁光克尔子系统，用于向所述待测样品发射激光信号，接收所述待测样品表面的反射信号，并根据所述反射信号判断所述待测样品当前的磁化状态。本发明的磁动力学测试系统可利用皮秒电脉冲探究更高时间精度的磁矩动力学行为；通过设置射频传输结构，可以实现电脉冲发生装置和待测样品的分离，便于对其它样品进行测试。
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公开(公告)号：CN103794715B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201410072318.0
申请日：2014-02-28
Applicant: 北京航空航天大学
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/1675
Abstract: 一种基于电压控制的磁存储器，该磁存储器的MTJ结构基于垂直磁各向异性即PMA，在经典MTJ结构即自由层、参考层和隧道势垒层的三层结构基础上，添加了一层隧穿势垒层；该磁存储器的MTJ结构从下到上由底电极，反铁磁金属混合层，铁磁金属一，氧化物一，铁磁金属二，氧化物二及顶电极共七层构成。本发明具有稳定的非易失性、高读写速度和无限读写次数等特点，由于其基于电压控制改变储存单元的磁化状态，改变存储单元的状态所需的电流较低，在保持高读写速度的同时，实现了低功耗以及高的功耗利用率。
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公开(公告)号：CN115275551B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202210924721.6
申请日：2022-08-02
Applicant: 北京航空航天大学
Abstract: 本申请公开了一种低损耗共面波导键合结构及其制造方法，涉及半导体技术领域。该低损耗共面波导键合结构包括：位于第一基底上的第一共面波导；位于第二基底上且与第一共面波导结构相同的第二共面波导；以及将第一共面波导和第二共面波导的导体一一对应连接的多个二维异质结构；所述二维异质结构包括用于传输信号的二维导电材料层，以及位于二维导电材料层下方的二维介电材料层。本申请通过使用二维导电材料键合共面波导，利用其高电导率的特性减小趋肤效应损耗。二维导电材料均匀覆盖在需要连接的导体表面，提高了键合部分传输线的均匀性，减少高频传输反射，保证传输带宽；且二维导电材料和金属之间无需形成焊点，避免造成金属电极损伤。
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