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公开(公告)号：CN108345752B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN201810157646.9
申请日：2018-02-24
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号： G06F30/20 , G06F119/14
摘要： 本发明公开了一种晶圆级非易失性存储器的寿命特性评估方法。该方法是在被测试晶圆上选取一个或多个测试单元，所述测试单元包含多个非易失性存储器，将测试机的探针卡接入所述测试单元进行非易失性存储器的寿命特性评估。所述寿命特性评估包括数据保持能力评估和擦写能力评估。所述晶圆级非易失性存储器的寿命特性评估方法的测试时间短，效率高，而且可实现大量同测，便于数据收集统计分析。
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公开(公告)号：CN112731073A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011455731.7
申请日：2020-12-10
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 中国科学院微电子研究所 , 中国科学院大学
IPC分类号： G01R31/12
摘要： 本发明涉及芯片测试领域，提供一种用于经时击穿测试的探针卡以及经时击穿测试方法。所述用于经时击穿测试的探针卡包括：印制电路板以及设置于所述印制电路板的探针，所述印制电路板设有用于输入经时击穿测试信号的输入端，还包括限流元件，所述探针的第一端通过所述限流元件连接所述印制电路板的输入端，所述探针的第二端用于输出所述经时击穿测试信号。本发明通过限流元件吸收器件栅氧化层被击穿时的瞬间大电流，防止器件内部的其它结构被损坏(击穿)，这种情况下器件处于早期损坏，容易确定早期损坏故障点的位置，有助于确定可靠性失效的根本原因。
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公开(公告)号：CN112614536A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011452068.5
申请日：2020-12-09
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京航空航天大学
摘要： 本发明提供一种MRAM存储阵列温度自检测方法、存储控制方法和系统，属于存储器领域。所述方法包括：为第一存储阵列分区分配对应的写错误检测区域地址和读错误检测区域地址；生成多个随机数组，将多个随机数组中的每一个随机数组分别在写错误检测区域地址对应的第一存储阵列中执行一次读写操作，得到第一存储阵列的写错误率测量值；生成固定数组，将固定数组写入读错误检测区域地址对应的第二存储阵列中，执行多次读操作，得到第二存储阵列的读错误率测量值；根据写错误率基础值、读错误率基础值、写错误率测量值和读错误率测量值，判断第一存储阵列和第二存储阵列所属的第一存储阵列分区当前的温度范围。
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公开(公告)号：CN112581995A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011497059.8
申请日：2020-12-17
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 , 北京航空航天大学
IPC分类号： G11C11/16
摘要： 本发明提供一种磁性存储介质的数据处理方法、系统及装置，属于芯片技术领域。所述方法包括：获取磁性存储介质的设定位置处的磁感应强度；在确定所述磁感应强度小于等于配置的磁感应强度阈值时，保持所述磁性存储介质的工作状态；在确定所述磁感应强度大于所述磁感应强度阈值时，备份所述磁性存储介质中的存储数据至备用存储介质，其中，所述备用存储介质的磁场屏蔽值大于所述磁性存储介质的磁场屏蔽值。本发明可用于智能电表中磁性存储介质的数据防护。
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公开(公告)号：CN112234805B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202011025266.3
申请日：2020-09-25
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 西安交通大学 , 国网重庆市电力公司营销服务中心 , 国网信息通信产业集团有限公司
摘要： 本发明涉及集成电路技术领域，提供一种钳位源级驱动碳化硅半导体场效应管的电路，包括驱动芯片和碳化硅MOS管，所述驱动芯片内部集成驱动电路，所述驱动芯片还集成用于控制所述碳化硅MOS管的源极电压的硅MOS管；所述驱动芯片通过控制所述硅MOS管的导通和关断来实现所述碳化硅MOS管的导通和关断。本发明在SiC MOS的源极串联一个硅MOS管，通过控制硅MOS管的导通和关断即可控制SiC MOS的导通和关断，电路结构简单，避免复杂电路结构对其它器件的影响。通过在SiC MOS的栅极加一个固定的钳位电压，在硅MOS管关断时实现栅极与源极的负压差，采用钳位源级驱动结构实现稳定的负压输出，保证SiC MOS导通和关断的稳定性，提高了系统的稳定性。
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公开(公告)号：CN109147862B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201811003043.X
申请日：2018-08-30
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司南京供电分公司
IPC分类号： G11C29/56
摘要： 本发明公开了一种NVM测试加速方法及系统，该NVM测试加速方法包括如下步骤：通过测试命令打入第一NVM操作指令，其中，第一NVM操作指令包括数据和地址信息；对第一NVM操作指令进行解码和处理以提取出数据和地址信息；基于第一NVM操作指令，产生满足NVM存储器擦、写以及读操作时序信息的第一控制信号，其中，基于第一NVM操作指令，第一控制信号被选择为并行控制多个NVM存储器；基于第一控制信号，并根据数据和地址，进行NVM存储器的对应操作并生成输出数据；以及基于第一NVM操作指令，对输出数据进行比较处理，并输出代表比较结果的失败信号。本发明的NVM测试加速方法能够大幅降低测试时间，从而降低测试成本，并显著提升测试效率。
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公开(公告)号：CN112234805A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202011025266.3
申请日：2020-09-25
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 西安交通大学 , 国网重庆市电力公司营销服务中心 , 国网信息通信产业集团有限公司
摘要： 本发明涉及集成电路技术领域，提供一种钳位源级驱动碳化硅半导体场效应管的电路，包括驱动芯片和碳化硅MOS管，所述驱动芯片内部集成驱动电路，所述驱动芯片还集成用于控制所述碳化硅MOS管的源极电压的硅MOS管；所述驱动芯片通过控制所述硅MOS管的导通和关断来实现所述碳化硅MOS管的导通和关断。本发明在SiC MOS的源极串联一个硅MOS管，通过控制硅MOS管的导通和关断即可控制SiC MOS的导通和关断，电路结构简单，避免复杂电路结构对其它器件的影响。通过在SiC MOS的栅极加一个固定的钳位电压，在硅MOS管关断时实现栅极与源极的负压差，采用钳位源级驱动结构实现稳定的负压输出，保证SiC MOS导通和关断的稳定性，提高了系统的稳定性。
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公开(公告)号：CN112187057B
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202010980785.9
申请日：2020-09-17
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号： H02M3/335 , H02M7/487 , H02M7/5387 , H02M1/088
摘要： 本发明实施例提供一种用于二极管箝位混合三电平DAB变流器的控制方法及装置，属于DC‑DC高频隔离变换技术领域。所述方法包括：测量高频电感的电流iL、输入电压vin和输出电压vout；根据输入电压vin、输出电压vout、和高频隔离变压器的变比N来计算电压传输比M；根据输出电压vout、自适应控制器参数计算自适应控制器输出x；根据vin、vout、高频电感的电流iL、变比N计算电容电荷裕量因子δ1,a；根据电压传输比M、自适应控制器输出x、电容电荷裕量因子δ1,a，确定移向控制量；以及根据移向控制量驱动全控开关器件S1～S6和全控开关器件Q1～Q4。通过引入电容电荷裕量因子，实现零电压开通、零电流关断，其能够降低开关损耗与导通损耗，提高能源路由器直流电压转换的效率。
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公开(公告)号：CN112187057A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202010980785.9
申请日：2020-09-17
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号： H02M3/335 , H02M7/487 , H02M7/5387 , H02M1/088
摘要： 本发明实施例提供一种用于二极管箝位混合三电平DAB变流器的控制方法及装置，属于DC‑DC高频隔离变换技术领域。所述方法包括：测量高频电感的电流iL、输入电压vin和输出电压vout；根据输入电压vin、输出电压vout、和高频隔离变压器的变比N来计算电压传输比M；根据输出电压vout、自适应控制器参数计算自适应控制器输出x；根据vin、vout、高频电感的电流iL、变比N计算电容电荷裕量因子δ1,a；根据电压传输比M、自适应控制器输出x、电容电荷裕量因子δ1,a，确定移向控制量；以及根据移向控制量驱动全控开关器件S1～S6和全控开关器件Q1～Q4。通过引入电容电荷裕量因子，实现零电压开通、零电流关断，其能够降低开关损耗与导通损耗，提高能源路由器直流电压转换的效率。
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公开(公告)号：CN108922861A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810456357.9
申请日：2018-05-14
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司 , 国网河北省电力有限公司 , 中国电力科学研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于红外成像定位法的集成电路修补装置及方法。该集成电路修补装置包括红外成像定位单元和集成电路修补单元。红外成像定位单元用于对被测的集成电路进行失效点定位。集成电路修补单元用于对所述失效点进行电路修补。所述基于红外成像定位法的集成电路修补装置及方法能够对集成电路无损伤地进行失效点的快速精准定位且能够观察到集成电路的内部结构，提高失效定位成功率以及修补效率。
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