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公开(公告)号:CN113884850A
公开(公告)日:2022-01-04
申请号:CN202111098043.4
申请日:2021-09-18
申请人: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 浙江大学绍兴微电子研究中心
发明人: 王异凡 , 龚金龙 , 宋琦华 , 孙明 , 王一帆 , 骆丽 , 王尊 , 刘黎 , 邵先军 , 王少华 , 陈虔 , 曾明全 , 李文燕 , 邓志江 , 张斌 , 林氦 , 郭清 , 陈少华
IPC分类号: G01R31/26
摘要: 本发明公开了一种功率半导体特性参数测试系统及方法,属于半导体特性参数测试技术领域。本发明的一种功率半导体特性参数测试系统,包括功率主回路、双脉冲测试电路、电感阻隔电路。本发明设置辅助功率半导体对待测功率半导体的导通时间以及电路通断进行控制,并在功率半导体两端设置吸收电容,能够有效阻隔母线电容到测试半桥之间的部分寄生电感;同时功率主回路采用叠层母排结构进行设置,通过较小的回路面积大大降低了杂散电感,能够以更低的电压实现高电流承载。进而本发明能够有效减小电压过冲叠加以及开关损耗,同时能有效避免电磁干扰,使得本发明特别适用于对第三代半导体高压SiC功率器件进行高精度的动态特性参数测试。
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公开(公告)号:CN112986782A
公开(公告)日:2021-06-18
申请号:CN202110202946.6
申请日:2021-02-23
申请人: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 国网浙江桐乡市供电有限公司
IPC分类号: G01R31/26
摘要: 本发明涉及功率半导体特性参数测试技术领域,提供了一种功率半导体特性参数测试系统,包括低压仪表设备单元、低压控制单元、高压仪表设备单元、高压控制单元、器件适配单元和测试主控单元;低压控制单元包括低压项目相关部件和继电器组;继电器组分别设于低压项目相关部件、低压仪表设备单元和待测功率器件之间并根据不同类型的低压参数测试项目预设对应的导通状态;继电器组按照预设导通状态使低压项目相关部件、低压仪表设备单元和待测功率器件之间切换连接状态以形成与测试项目对应的测试电路;将低压测试项目的测试电路整合到一起,通过继电器组,可以更改测试连接方式,自动实现不同测试项目的切换。
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公开(公告)号:CN112964926B
公开(公告)日:2022-05-13
申请号:CN202110155302.6
申请日:2021-02-04
申请人: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 国网浙江桐乡市供电有限公司
摘要: 本发明公开了一种大电流功率器件测试治具使用寿命管理方法,属于电力技术领域,目的在于克服现有测试治具寿命判定不准确的缺陷。测试治具使用寿命管理方法,当测试治具达成第一条件、第二条件和第三条件之一时,则判断测试治具寿命终止。本发明所提供的一种大电流功率器件测试治具使用寿命管理方法,通过预设三种条件,当其中一种条件满足时就判断测试治具寿命终止,其中第一条件为对接插件接插动作次数、通电次数和过流次数的综合考量,第二条件为对接插件阻抗增加程度的考量,第三条件为对接插件相邻两次阻抗变化率的考量,这样就提高了判断测试治具寿命终止的可靠性。
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公开(公告)号:CN112964926A
公开(公告)日:2021-06-15
申请号:CN202110155302.6
申请日:2021-02-04
申请人: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 国网浙江桐乡市供电有限公司
摘要: 本发明公开了一种大电流功率器件测试治具使用寿命管理方法,属于电力技术领域,目的在于克服现有测试治具寿命判定不准确的缺陷。测试治具使用寿命管理方法,当测试治具达成第一条件、第二条件和第三条件之一时,则判断测试治具寿命终止。本发明所提供的一种大电流功率器件测试治具使用寿命管理方法,通过预设三种条件,当其中一种条件满足时就判断测试治具寿命终止,其中第一条件为对接插件接插动作次数、通电次数和过流次数的综合考量,第二条件为对接插件阻抗增加程度的考量,第三条件为对接插件相邻两次阻抗变化率的考量,这样就提高了判断测试治具寿命终止的可靠性。
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公开(公告)号:CN112946448A
公开(公告)日:2021-06-11
申请号:CN202110111925.3
申请日:2021-01-27
申请人: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 浙江大学绍兴微电子研究中心
IPC分类号: G01R31/26
摘要: 本发明属于功率器件参数测试设备技术领域,具体涉及一种功率器件高低压测试设备。针对现有功率器件测试设备,或者需要手动切换连线,测试效率低,容易出错,或者体积大、成本高、使用寿命低、连接复杂、测试准确度不高的不足,本发明采用如下技术方案:一种功率器件高低压测试设备,包括:低压仪表设备单元;低压控制单元;高压仪表设备单元;高压控制单元;器件适配单元,所述器件适配单元包括器件组装连接器、适配连接器、位置控制器以及信号处理器;测试主控单元,所述测试主控单元根据测试需求发送指令。本发功率器件高低压测试设备的有益效果是:实现自动测试多种项目。
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公开(公告)号:CN110926762B
公开(公告)日:2021-08-27
申请号:CN201911157148.5
申请日:2019-11-22
申请人: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号: G01M11/02
摘要: 本发明公开了一种紫外成像仪带外抑制能力的检测系统及方法。本发明的检测系统,其包括光源、积分球、光功率计和计算控制系统;所述的积分球设有一个入光口和两个出光口,所述的入光口与光源连接,一个出光口用于与待测设备连接,另一个出光口与光功率计连接;所述的计算控制系统,其包括光源控制单元,光功率计数据采集、处理、显示单元和校验处理单元;所述的校验处理单元,通过分析待测设备光子数和光功率计的数据,选择光子数评价标准,评估待测设备的带外抑制能力。本发明检测系统构造简单,对检测环境要求低,对检测人员要求低,便于广泛普及应用。
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公开(公告)号:CN109557429B
公开(公告)日:2021-08-27
申请号:CN201811320158.1
申请日:2018-11-07
申请人: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
发明人: 王异凡 , 王一帆 , 龚金龙 , 刘江明 , 孙正竹 , 马涛 , 夏晓波 , 杜赟 , 楼钢 , 徐翀 , 朱亮 , 毛永铭 , 黄继来 , 周迅 , 盛骏 , 吴胥阳 , 吴尊东 , 汪桢毅 , 饶海伟
IPC分类号: G01R31/12
摘要: 本发明公开了一种基于改进小波阈值去噪的GIS局部放电故障检测方法。本发明的方法包括以下步骤:将特高频传感器检测到的数据进行小波变换,选用dB4母小波对传感器检测数据进行4层分解,得到各尺度下的小波系数;小波分解系数阈值量化,阈值选定后,去除小于阈值的小波系数,将大于阈值的小波系数进行阈值函数处理,进而得到阈值函数处理后的各层系数;通过小波逆变换将处理后的各层系数进行信号重构,从而实现小波去噪。本发明与传统的软、硬阈值降噪算法相比,降噪后不仅进一步提高了信噪比,而且降低了方差,使得处理后的信号波形更为逼近原始局部放电信号,有利于后续进行放电缺陷类型的识别。
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公开(公告)号:CN109799072A
公开(公告)日:2019-05-24
申请号:CN201910068951.5
申请日:2019-01-24
申请人: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC分类号: G01M11/02
摘要: 本发明公开了一种多光谱紫外成像光学性能检测系统和检测方法。目前尚未有成熟的关于双光路、多光谱光学系统光学性能检测的设备和方法。本发明的一种多光谱紫外成像光学性能检测系统,包括一个多谱段光源、一个平行光管和一个多维度转台,所述的多谱段光源包含紫外、可见和红外波段的光;所述的平行光管内部采用折返式光学系统,用于实现折返式光路,所述的折返式光学系统包括位于平行光管内部两侧的多面曲率不同反光镜,多谱段光源发出的光线进入平行光管内,经折返式光路后平行射出;所述的多维度转台置于平行光管前端,实现多维度转动。本发明可在同一系统中实现多光谱光学系统的光学性能检测,为多光谱光学系统性能检测提供方案。
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公开(公告)号:CN109444781A
公开(公告)日:2019-03-08
申请号:CN201811058539.7
申请日:2018-09-11
申请人: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司 , 华北电力大学
发明人: 王异凡 , 王一帆 , 龚金龙 , 刘江明 , 孙正竹 , 马涛 , 夏晓波 , 杜赟 , 楼钢 , 徐翀 , 朱亮 , 毛永铭 , 黄继来 , 周迅 , 盛骏 , 吴胥阳 , 吴尊东 , 汪桢毅 , 饶海伟 , 唐志国
IPC分类号: G01R35/00
摘要: 本发明公开了一种基于信号传播特性的GIS局放特高频灵敏度校验方法。针对不同电压等级、不同结构的GIS、不同的传感器安装方式,局部放电特高频信号具有不同的衰减特性,而现有校验方法未能给出具体有效的注入信号电平确定方法。本发明采用的技术方案包括步骤:1)根据不同UHF传感器安装方式来确定UHF传感器的注入效率,即辐射电场注入脉冲电压的变换曲线;2)建立典型GIS结构UHF信号传播衰减数据库;3)确定现场校核脉冲注入量。本发明针对典型结构和电压等级GIS信号传播衰减特性建库,有效解决了现场局放检测系统灵敏度校核中信号注入的问题。
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公开(公告)号:CN117497497B
公开(公告)日:2024-05-10
申请号:CN202311842265.1
申请日:2023-12-29
申请人: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 浙江大学
IPC分类号: H01L23/373 , H01L23/473 , H01L23/49
摘要: 本发明属于半导体器件技术领域,具体涉及一种功率模块液冷散热封装结构。针对现有碳化硅功率模块散热效率较低的不足,本发明采用如下技术方案:一种功率模块液冷散热封装结构,包括DBC陶瓷基板;功率芯片;内铜层,形成流经功率芯片的内冷却通道;外铜层,形成外冷却通道;冷却液,在内冷却通道和外冷却通道流动;引线,一端连接功率芯片,另一端经内铜层、DBC陶瓷基板引出;DBC陶瓷基板、内铜层、功率芯片、外铜层沿厚度方向层叠分布并连接为一个整体。本发明的有益效果是:提高了散热效率,降低了不同面的温度差,提升功率芯片工作可靠性;相比现有的双面水冷散热结构,外铜层可以直接形成封装结构的外表面。
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