公开(公告)号：CN103988288B

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201280058807.X

申请日：2012-12-03

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 松木园广志

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F2001/134372 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L29/66969

Abstract: 具备薄膜晶体管(10a)的半导体装置(100a)具备：在基板(60)上形成的栅极电极(62)；在栅极电极上形成的栅极绝缘层(66)；在栅极绝缘层上形成的氧化物半导体层(68)；分别与氧化物半导体层电连接的源极电极(70s)和漏极电极(70d)；在氧化物半导体层、源极电极和漏极电极上形成的保护层(72)；在保护层上形成的氧供给层(74)；在氧供给层上形成的扩散防止层(78)；和在扩散防止层上形成的由非晶透明氧化物形成的透明电极(81)。

公开(公告)号：CN103262250A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201180059369.4

申请日：2011-12-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 守口正生 ,  神崎庸辅 ,  高西雄大 ,  楠见崇嗣 ,  松木园广志

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/312 ,  H01L21/336 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L27/15 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/46 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的半导体装置包括：形成在基板(60)上的薄膜晶体管(10)的栅极电极(62)和供氧层(64)；形成在栅极电极(62)和供氧层(64)之上的栅极绝缘层(66)；形成在栅极绝缘层(66)之上的薄膜晶体管(10)的氧化物半导体层(68)；和配置在栅极绝缘层(66)和氧化物半导体层(68)之上的薄膜晶体管(10)的源极电极(70S)和漏极电极(70d)。

公开(公告)号：CN101263604B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200680033915.6

申请日：2006-06-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 松木园广志 ,  宫本忠芳

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明提供一种能够进行低阈值动作并且具有高晶体管耐压的薄膜晶体管及其制造方法、以及使用该薄膜晶体管而得到的半导体装置、有源矩阵基板和显示装置。本发明的薄膜晶体管，通过在基板上依次叠层半导体层、栅极绝缘膜和栅电极而成，上述半导体层的截面具有顺圆锥形状，上述半导体层的上方和侧方被栅极绝缘膜覆盖，上述栅极绝缘膜具有在半导体层侧设置有氧化硅膜、在栅电极侧设置有由介电常数比氧化硅高的材料构成的膜的叠层结构，并且，当设上述半导体层的上方的膜厚为A、设上述半导体层的侧方的膜厚为B时，满足0.5≤B/A。

公开(公告)号：CN110730984B

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN201880037299.4

申请日：2018-06-04

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 武田悠二郎 ,  松木园广志 ,  织田明博 ,  村重正悟 ,  田中耕平

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明的实施方式的有源矩阵基板具备基板和支撑于基板的多个氧化物半导体TFT。各氧化物半导体TFT具有：下部栅极电极，其设置于基板上；栅极绝缘层，其覆盖下部栅极电极；氧化物半导体层，其配置于栅极绝缘层上；源极电极，其与氧化物半导体层的源极接触区域接触；漏极电极，其与氧化物半导体层的漏极接触区域接触；绝缘层，其覆盖氧化物半导体层、源极电极以及漏极电极；以及上部栅极电极，其设置于绝缘层上。当从基板的法线方向观看时，上部栅极电极与作为源极电极和漏极电极中的一方的第1电极不重叠，并且作为源极电极和漏极电极中的另一方的第2电极与下部栅极电极不重叠。

公开(公告)号：CN107636841B

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN201680032552.8

申请日：2016-06-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 松木园广志

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/14

Abstract: 有源矩阵基板(1001)具备：多个像素区域，其在基板(1)上在第1方向和第2方向上排列为矩阵状；多个栅极配线(G)，其在第1方向上延伸；以及多个源极配线(S)，其在第2方向上延伸，有源矩阵基板(1001)具有：显示区域(800)，其包含多个像素区域；以及非显示区域(900)，其位于显示区域的周边，各像素区域具备：薄膜晶体管(101)，其包含氧化物半导体层；以及像素电极(15)，其与漏极电极(9)一体地形成，栅极电极(3)和栅极配线(G)由第1透明导电膜形成，漏极电极(9)和像素电极(15)由第2透明导电膜形成，有源矩阵基板(1001)还具备：多个栅极信号线，其设置于非显示区域(900)，并且由金属膜形成；以及第1连接部，其将多个栅极配线(G)中的各栅极配线(G)连接到栅极信号线中的任意一个栅极信号线。

公开(公告)号：CN103794511B

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201310526469.4

申请日：2013-10-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普株式会社

Inventor： 肥塚纯一 ,  岛行德 ,  保坂泰靖 ,  冈崎健一 ,  松尾拓哉 ,  森重恭 ,  神崎庸辅 ,  松木园广志

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L27/3262

Abstract: 本公开涉及显示装置以及电子设备,本发明的目的之是抑制晶体管的电特性的变动并提高可靠性。本发明的个方式的显示装置包括:像素部104;以及设置在所述像素部的外侧的驱动电路部106,其中所述像素部包括:像素晶体管252;覆盖所述像素晶体管的包括无机材料的第绝缘膜124;设置在所述第绝缘膜上且包括有机材料的第二绝缘膜126;以及设置在所述第二绝缘膜上且包括无机材料的第三绝缘膜130,所述驱动电路部包括:对所述像素晶体管供应信号的驱动晶体管250;覆盖所述驱动晶体管的所述第绝缘膜;以及形成在所述第绝缘膜上的所述第二绝缘膜,并且,所述驱动电路部包括在所述第二绝缘膜上没有形成所述第三绝缘膜的区域或所述第二绝缘膜不被所述第三绝缘膜覆盖的区域。

公开(公告)号：CN106233196A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201580019855.1

申请日：2015-04-09

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 高丸泰 ,  金子诚二 ,  齐藤贵翁 ,  神崎庸辅 ,  井手启介 ,  松木园广志

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/1343

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/134363 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

Abstract: 液晶显示面板的TFT基板(100A)具有：覆盖TFT的有机层间绝缘层(24)；在有机层间绝缘层(25)；和覆盖第一透明导电层(25)，并且形成在有机层间绝缘层(24)的表面的与第一区域不同的第二区域的含有SiN的无机电介质层(26)，有机层间绝缘层(24)的表面的第一区域和第二区域的算术平均粗糙度Ra为3.45nm以上5.20nm以下。(24)的表面的第一区域形成的第一透明导电层

公开(公告)号：CN103492938B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201280017469.5

申请日：2012-04-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 松木园广志

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/1335

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/52

Abstract: 提供一种能够在抑制显示品质下降的同时提高薄膜晶体管的可靠性的液晶显示面板。漏极电极(125d)与G用像素电极(130g)连接的G用TFT(120g)，相对于该G用像素电极(130g)，配置于B用像素电极(130b)的相反侧。漏极电极(125d)与B用像素电极(130b)连接的B用TFT(120b)和该B用像素电极(130b)的距离，大于漏极电极(125d)与G用像素电极(130g)连接的G用TFT(120g)和该G用像素电极(130g)的距离。漏极电极(125d)与R用像素电极(130r)连接的R用TFT(120r)和B用像素电极(130b)的距离，大于与B用像素电极(130b)连接的B用TFT(120b)和该B用像素电极(130b)的距离。

公开(公告)号：CN103270601A

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：CN201180061376.8

申请日：2011-12-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 守口正生 ,  神崎庸辅 ,  高西雄大 ,  楠见崇嗣 ,  松木园广志

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/134372 ,  H01L23/564 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体装置（100）为具有薄膜晶体管（10）的半导体装置，包括：形成在基板（60）之上的薄膜晶体管（10）的栅极电极（62）；形成在栅极电极（62）之上的栅极绝缘层（66）；形成在栅极绝缘层（66）之上的氧化物半导体层（68）；和配置在氧化物半导体层（68）之上的源极电极（70s）和漏极电极（70d）；形成在氧化物半导体层（68）、源极电极（70s）和漏极电极（70d）之上的保护层（72）；形成在保护层（72）之上的供氧层（74）；和形成在供氧层之（74）之上的扩散防止层（78）。

公开(公告)号：CN109585456B

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN201811116011.0

申请日：2018-09-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 松木园广志

IPC: H01L27/12 ,  G02F1/1368

Abstract: 实现适合于具备氧化物半导体TFT和结晶质硅TFT这两者的有源矩阵基板的结构。本发明的实施方式的有源矩阵基板(100)具有：显示区域(DR)，其由按矩阵状排列的多个像素区域(P)规定；以及周边区域(FR)，其位于显示区域的周边。有源矩阵基板具备：基板(1)；第1TFT(10)，其支撑于基板，包括结晶质硅半导体层(11)；以及第2TFT(20)，其支撑于基板，包括氧化物半导体层(21)。第1TFT和第2TFT分别具有顶栅结构。氧化物半导体层位于比结晶质硅半导体层靠下层的位置。