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公开(公告)号：CN1447445A
公开(公告)日：2003-10-08
申请号：CN03120928.9
申请日：2003-03-21
CPC classification number: H01L31/02024 , H01L21/761 , H01L21/76202 , H01L21/763 , H01L27/0203 , H01L27/1446
Abstract: 在具有由第一导电类型半导体构成的表面层的下层衬底上形成第一层。第一层由电阻高于下层衬底表面层电阻的半导体构成。在第一层的部分表面区中形成第二导电类型的第一杂质扩散区。第一杂质扩散区没有到达下层衬底的表面。在第一层中设置第一导电类型的第二杂质扩散区且在面内方向上与第一杂质扩散区隔开一定的距离。第二杂质扩散区到达下层衬底的表面。在第一和第二杂质扩散区之间设置分隔区。分隔区包括在第一层中形成的沟槽和至少在沟槽部分内部区域中设置的介电材料。
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公开(公告)号：CN1238906C
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN03120928.9
申请日：2003-03-21
CPC classification number: H01L31/02024 , H01L21/761 , H01L21/76202 , H01L21/763 , H01L27/0203 , H01L27/1446
Abstract: 在具有由第一导电类型半导体构成的表面层的下层衬底上形成第一层。第一层由电阻高于下层衬底表面层电阻的半导体构成。在第一层的部分表面区中形成第二导电类型的第一杂质扩散区。第一杂质扩散区没有到达下层衬底的表面。在第一层中设置第一导电类型的第二杂质扩散区且在面内方向上与第一杂质扩散区隔开一定的距离。第二杂质扩散区到达下层衬底的表面。在第一和第二杂质扩散区之间设置分隔区。分隔区包括在第一层中形成的沟槽和至少在沟槽部分内部区域中设置的介电材料。
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公开(公告)号：CN100355077C
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN03122661.2
申请日：2003-03-11
CPC classification number: H01L31/1804 , H01L27/1443 , H01L31/02161 , H01L31/103 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种具有内置光接收元件的半导体器件的制造方法以及半导体器件和包含有该半导体器件的光学拾波器。该器件包括设置在衬底上的用于接收光信号和将光信号转换成电信号的光接收元件区域。该方法包括以下步骤：在衬底上的光接收元件区中形成防反射膜，和形成由多晶硅膜构成的保护膜，该保护膜用作后来刻蚀步骤中的刻蚀阻挡膜，在该保护膜上形成布线层间膜，在该布线层间膜上形成覆盖膜，在该光接收元件区域上，向下蚀刻除去该保护膜上的布线层间膜及覆盖层，形成光接收窗口，其中在该蚀刻之后该保护膜位于该光接收窗口的底部，从而该保护膜在蚀刻该光接收窗口期间保护该防反射膜免受蚀刻，以及之后在该防反射膜上完全去除该保护膜。
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公开(公告)号：CN1447441A
公开(公告)日：2003-10-08
申请号：CN03122661.2
申请日：2003-03-11
CPC classification number: H01L31/1804 , H01L27/1443 , H01L31/02161 , H01L31/103 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 提供了一种具有内置光接收元件的半导体器件的制造方法。该器件包括用于接收光信号和将光信号转换成电信号的光接收元件区域，该光接收元件区域设置在衬底上。该方法包括以下步骤：在衬底上的光接收元件区域中形成防反射膜，并形成保护膜，该保护膜用作后来刻蚀步骤中的刻蚀阻挡膜。
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公开(公告)号：CN109804472B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN201780060588.1
申请日：2017-06-12
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/107
Abstract: 雪崩光电二极管包括：第一导电型半导体层(2)，形成于第一导电型的半导体基板(1)内；第一第二导电型半导体层(3)，在俯视基板时以隔开间隔包围第一导电型半导体层(2)的方式形成；第二第二导电型半导体层(5)，以与第一导电型半导体层(2)的底部相接的方式形成在比第一导电型半导体层(2)深的位置；以及第三第二导电型半导体层(6)，以与第二第二导电型半导体层(5)的底部相接的方式形成在比第二第二导电型半导体层(5)深的位置。由第一导电型半导体层(2)与第二第二导电型半导体层(5)形成雪崩结。以使半导体基板(1)与第一导电型半导体层(2)电气分离的方式将第一、第三第二导电型半导体层(3、6)连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107078182B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201580057073.7
申请日：2015-07-28
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供可实现紫外区域的灵敏度不均的降低以及可见光区域和红外光区域的噪声降低的受光器、便携式电子设备和受光器的制造方法。受光器(1)的第一受光元件(PD1)和第二受光元件(PD2)分别通过在第一导电型的P型衬底(P_sub)上形成第二导电型的N型势阱层(N_well)，在N型势阱层(N_well)内形成第一导电型的P型势阱层(P_well)，在P型势阱层(P_well)内形成第二导电型的N型扩散层(N)而形成。P型衬底P_sub、N型势阱层(N_well)和P型势阱层(P_well)在电气上为相同电位或者被短路。
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公开(公告)号：CN104586355B
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201410601756.1
申请日：2014-10-31
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供一种测定装置，其能够获得能将皮肤中含有的黑色素和血色素适当地分离的拍摄结果。该测定装置从照射部的光源对被摄体照射在蓝色和绿色的波段中具有由黑色素和血色素引起的吸收的影响度彼此不同的峰的光谱特性的光，测定装置利用摄像机对与透射RGB的滤光片的来自光源的光对应的被摄体的反射光进行摄像，利用输出部输出由摄像机摄像得到的RGB的摄像信号。
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公开(公告)号：CN105518875B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201480046696.X
申请日：2014-07-11
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/10 , G02B5/20 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L27/14
CPC classification number: H01L31/02162 , H01L27/1462 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/14629 , H01L27/14645 , H01L31/02164
Abstract: 本发明提供能够防止本来不透射的波长的光的异常透射、能够使光谱波形的半值宽度减小的光电转换装置及其制造方法。在基板(100)上形成第一光电转换元件(101)，在该第一光电转换元件(101)之上隔着绝缘膜(1、2、3)形成具有周期性或非周期性地配置的多个开口(41)的第一金属膜(31)。设置覆盖上述第一金属膜(31)的多个开口(41)的一部分的第二金属膜(32)。
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公开(公告)号：CN105518870B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201480048387.6
申请日：2014-09-16
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0232 , H01L27/146 , G01J3/51 , G01J3/02
CPC classification number: H01L27/14621 , G01J3/0259 , G01J3/513 , G02B5/008 , G02B5/20 , G02B5/204 , H01L31/02327
Abstract: 光电转换装置包括：由导电材料膜构成的第一光学滤光片(6a)，其包括周期性地具有多个结构(11)的第一图案，并且隔着绝缘膜(5)配置在第一光电转换元件(A)之上；和由导电材料膜构成的第一光学滤光片(6b)，其包括周期性地具有多个结构(12)的第二图案，并且隔着绝缘膜(5)配置在第二光电转换元件(B)之上。相互相邻的上述第一图案与第二图案的间隔(a)比第一图案的结构(11)的周期(P1)和第二图案的结构(12)的周期(P2)长。
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公开(公告)号：CN108369968B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201680070709.6
申请日：2016-06-23
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/107
Abstract: 雪崩光电二极管包括:形成于第一导电型的基板(1)的第一导电型的第一半导体层(3)；形成于第一半导体层(3)下并与第一导电型为相反的第二导电型的第二半导体层(2)；形成于基板(1)的第一半导体层(3)的浅的部分并与第一半导体层(3)的杂质浓度相比为高浓度的第一导电型的第三半导体层(7)；形成于第三半导体层(7)的正下方的第一半导体层(3)内的区域的第一导电型的第四半导体层(6)；与第一半导体层(3)电性地连接的第一接点(11)；与第二半导体层(2)电性地连接的第二接点(12)。第四半导体层(6)的杂质浓度高于第一半导体层(3)的杂质浓度,且低于第三半导体层(7)的杂质浓度。
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