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公开(公告)号：CN100355077C
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN03122661.2
申请日：2003-03-11
CPC classification number: H01L31/1804 , H01L27/1443 , H01L31/02161 , H01L31/103 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种具有内置光接收元件的半导体器件的制造方法以及半导体器件和包含有该半导体器件的光学拾波器。该器件包括设置在衬底上的用于接收光信号和将光信号转换成电信号的光接收元件区域。该方法包括以下步骤：在衬底上的光接收元件区中形成防反射膜，和形成由多晶硅膜构成的保护膜，该保护膜用作后来刻蚀步骤中的刻蚀阻挡膜，在该保护膜上形成布线层间膜，在该布线层间膜上形成覆盖膜，在该光接收元件区域上，向下蚀刻除去该保护膜上的布线层间膜及覆盖层，形成光接收窗口，其中在该蚀刻之后该保护膜位于该光接收窗口的底部，从而该保护膜在蚀刻该光接收窗口期间保护该防反射膜免受蚀刻，以及之后在该防反射膜上完全去除该保护膜。
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公开(公告)号：CN1447441A
公开(公告)日：2003-10-08
申请号：CN03122661.2
申请日：2003-03-11
CPC classification number: H01L31/1804 , H01L27/1443 , H01L31/02161 , H01L31/103 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 提供了一种具有内置光接收元件的半导体器件的制造方法。该器件包括用于接收光信号和将光信号转换成电信号的光接收元件区域，该光接收元件区域设置在衬底上。该方法包括以下步骤：在衬底上的光接收元件区域中形成防反射膜，并形成保护膜，该保护膜用作后来刻蚀步骤中的刻蚀阻挡膜。
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公开(公告)号：CN1238906C
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN03120928.9
申请日：2003-03-21
CPC classification number: H01L31/02024 , H01L21/761 , H01L21/76202 , H01L21/763 , H01L27/0203 , H01L27/1446
Abstract: 在具有由第一导电类型半导体构成的表面层的下层衬底上形成第一层。第一层由电阻高于下层衬底表面层电阻的半导体构成。在第一层的部分表面区中形成第二导电类型的第一杂质扩散区。第一杂质扩散区没有到达下层衬底的表面。在第一层中设置第一导电类型的第二杂质扩散区且在面内方向上与第一杂质扩散区隔开一定的距离。第二杂质扩散区到达下层衬底的表面。在第一和第二杂质扩散区之间设置分隔区。分隔区包括在第一层中形成的沟槽和至少在沟槽部分内部区域中设置的介电材料。
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公开(公告)号：CN1447445A
公开(公告)日：2003-10-08
申请号：CN03120928.9
申请日：2003-03-21
CPC classification number: H01L31/02024 , H01L21/761 , H01L21/76202 , H01L21/763 , H01L27/0203 , H01L27/1446
Abstract: 在具有由第一导电类型半导体构成的表面层的下层衬底上形成第一层。第一层由电阻高于下层衬底表面层电阻的半导体构成。在第一层的部分表面区中形成第二导电类型的第一杂质扩散区。第一杂质扩散区没有到达下层衬底的表面。在第一层中设置第一导电类型的第二杂质扩散区且在面内方向上与第一杂质扩散区隔开一定的距离。第二杂质扩散区到达下层衬底的表面。在第一和第二杂质扩散区之间设置分隔区。分隔区包括在第一层中形成的沟槽和至少在沟槽部分内部区域中设置的介电材料。
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公开(公告)号：CN100364100C
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200410063750.X
申请日：2000-09-06
Applicant: 夏普公司
CPC classification number: H01L27/1443 , H01L31/0352
Abstract: 一种光敏器件，包括：第一导电类型的半导体基底；在半导体基底上形成且与半导体基底相比具有较低杂质浓度的第一导电类型的半导体层；在第一导电类型的半导体层上形成的第二导电类型的半导体层；和至少一个第一导电类型的扩散层，用于将第二导电类型的半导体层分成多个第二导电类型的半导体区域，其中至少一个光电二极管部分是在多个第二导电类型的半导体区域中的至少一个和第一导电类型的半导体层之间的结合处形成的，以及其中第一导电类型的半导体层具有包含13μm至17μm的厚度和包含100Ωcm至1500Ωcm的电阻系数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1309427A
公开(公告)日：2001-08-22
申请号：CN00137264.5
申请日：2000-11-08
Applicant: 夏普公司
CPC classification number: H01L31/02024 , H01L27/144
Abstract: 一种半导体器件,包括:主要由第一导电类型的半导体多层结构与第二导电类型的第一半导体层之间的PN结构成的光敏部件;和把光敏部件分成多个区的隔离部分。第一导电类型的半导体多层结构包括第一导电类型的半导体衬底;第一导电类型的第一半导体层;和第一导电类型的第二半导体层。隔离部分包括从第二导电类型的第一半导体层伸到第一导电类型的第二半导体层的第一导电类型的第三半导体层。
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公开(公告)号：CN1163970C
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN00128434.7
申请日：2000-09-06
Applicant: 夏普公司
CPC classification number: H01L27/1443 , H01L31/0352
Abstract: 一种光敏器件包括：依次形成的第一导电类型的半导体基底；与半导体基底相比具有较低杂质浓度的第一导电类型的半导体层；第二导电类型的半导体层；和第一导电类型的扩散层，扩散层将第二导电类型的半导体层分成多个半导体区域。用于将光信号转化成电信号的光电二极管的至少一部分是在多个半导体区域中的至少一个和第一导电类型的半导体层之间的结合处形成的。当向至少一个发电二极管部分施加反向偏压时，其中第一导电类型的半导体层中形成的耗尽层的场强是约0.3V/μm或更多。
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公开(公告)号：CN1229875C
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN02160606.4
申请日：2002-10-31
Applicant: 夏普公司
CPC classification number: H01L31/103 , G11B7/13
Abstract: 光接收元件包括至少包括第一导电型半导体层的半导体结构；设在半导体结构中的第一导电型半导体层上的第一层第二导电型半导体层；杂质浓度低于第一层第二导电型半导体层的第二层第二导电型半导体层；设在第二层第二导电型半导体层上的第二层第一导电型半导体层，或设在第二层第二导电型半导体层中的第二层第一导电型半导体层。
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公开(公告)号：CN1419299A
公开(公告)日：2003-05-21
申请号：CN02160606.4
申请日：2002-10-31
Applicant: 夏普公司
CPC classification number: H01L31/103 , G11B7/13
Abstract: 光接收元件包括至少包括第一导电型半导体层的半导体结构；设在半导体结构中的第一导电型半导体层上的第一层第二导电型半导体层；杂质浓度低于第一层第二导电型半导体层的第二层第二导电型半导体层；设在第二层第二导电型半导体层上的第二层第一导电型半导体层，或设在第二层第二导电型半导体层中的第二层第一导电型半导体层。
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公开(公告)号：CN1328334A
公开(公告)日：2001-12-26
申请号：CN01121213.6
申请日：2001-06-06
Applicant: 夏普公司
CPC classification number: H01L27/14698 , H01L27/14609 , H01L27/14689
Abstract: 一种具有对短波长光具有高灵敏度和响应速度的、并能以高成品率制造的含电路的光检测器,包括:半导体衬底、形成于其上的半导体层以及形成于半导体层用于发送信号的导电掺杂区。在半导体层中,形成具有到达衬底的深度的沟道。在暴露在沟道底部的半导体衬底的表面上形成光检测器组件的掺杂区。在半导体层上形成用于处理来自光检测器的电信号的信号处理电路。形成用于发送来自光检测器组件的电信号的导电掺杂区。
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