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公开(公告)号：CN117779011B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410199826.9
申请日：2024-02-23
申请人： 昆山一鼎工业科技有限公司
摘要： 本发明涉及化学镀技术领域，尤其涉及一种用于晶圆化学镀钨合金溶液、配制方法及化学镀方法。这种化学镀钨合金溶液包括以下浓度的组分：钨酸盐类70～560mmol/L、第一稳定剂7～56mmol/L、次磷酸类25～480mmol/L、镍盐类30～240mmol/L、添加剂0.2～1.6mmol/L。本发明采用添加添加剂的方法提高化学镀溶液的稳定性，可以使晶圆镀区沉积的钨合金镀层具有致密无晶态形貌，无针孔，无夹缝，表面平整光滑，可以有效防止因为针孔或者夹缝的缺陷导致信号传输不稳定、电阻大、功率损耗过多等存在的缺陷，进一步提高半导体晶圆芯片产品的稳定可靠性。
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公开(公告)号：CN118792717A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202411110736.4
申请日：2024-08-14
申请人： 昆山一鼎工业科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种选择性可控半导体器件电镀槽、电镀装置以及电镀方法，该电镀装置包括：电镀槽，挂具和控制系统；电镀槽的稳流板；变频泵浦，止流阀，上下镀区自动控制流量阀和上下镀区自动三通切换阀。控制系统通过变频泵浦调控电镀溶液总流量；自动三通切换阀自动切换电镀溶液的流向；自动控制流量阀选择控制电镀溶液流向不同镀区的电镀溶液分流量；实现同时处理具有不同电镀膜厚的不同区域的精密半导体器件电镀设备。本发明选择性可控电镀方法，对半导体器件选择性可控电镀效果优异、有利于实现高端半导体器件产品的精密电镀加工，提高生产效率，降低生产成本，满足半导体电子产业对高端精密电子材料不断增长的需求。
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公开(公告)号：CN117966225A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410363755.1
申请日：2024-03-28
申请人： 昆山一鼎工业科技有限公司
摘要： 本发明涉及电镀技术领域，公开了一种QFP粗铜电镀溶液、配制方法和电镀方法。这种QFP的镀粗铜溶液包括：铜盐200～1600mmol/L、导电盐90～720mmol/L、第一稳定剂5～26mmol/L、光亮剂10～220ppm、季铵盐35～105ppm、添加剂10～416ppm。本发明的稳定剂和添加剂能够提高和维持电镀溶液的长期生产稳定性、用于高速喷射精密电镀设备，实现对QFP单面进行电镀粗铜的功能，其提供的QFP单面粗铜表面，能够解决在封装工艺中，电路板树脂材料表面与QFP表面热压成型不牢固、开裂缺陷所导致的半导体芯片集成电路产品信号传输不稳定、功率损耗过多的技术难题，实现提高半导体晶圆芯片产品稳定可靠性、以及生产制造高性能和高精密半导体电子器件的目标。
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公开(公告)号：CN118639282A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202411087347.4
申请日：2024-08-09
申请人： 昆山一鼎工业科技有限公司
摘要： 本发明属于覆层的电解或电泳生产工艺方法、电铸领域，特别涉及一种锡喷镀溶液、其配制方法及其在喷镀工艺中的应用。提供一种镀锡溶液，其包括：稳定剂0.5~1.7 mmol/L、润湿剂2～5 mmol/L、整平剂0.6~1.8 mmol/L、锡盐900~2100 mmol/L和有机酸类1300~1900 mmol/L。其中，稳定剂包括多聚化合物类；整平剂包括含氮五元杂环类化合物。本发明通过优选特定稳定剂与整平剂并优化其配比，实现对高端精密半导体器件喷射电镀制造高品质镀锡产品的目标，可简单高效率地制造兼具高膜厚、高均匀性和优异致密性能的形状复杂的高端精密半导体器件。
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公开(公告)号：CN117966225B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410363755.1
申请日：2024-03-28
申请人： 昆山一鼎工业科技有限公司
摘要： 本发明涉及电镀技术领域，公开了一种QFP粗铜电镀溶液、配制方法和电镀方法。这种QFP的镀粗铜溶液包括：铜盐200～1600mmol/L、导电盐90～720mmol/L、第一稳定剂5～26mmol/L、光亮剂10～220ppm、季铵盐35～105ppm、添加剂10～416ppm。本发明的稳定剂和添加剂能够提高和维持电镀溶液的长期生产稳定性、用于高速喷射精密电镀设备，实现对QFP单面进行电镀粗铜的功能，其提供的QFP单面粗铜表面，能够解决在封装工艺中，电路板树脂材料表面与QFP表面热压成型不牢固、开裂缺陷所导致的半导体芯片集成电路产品信号传输不稳定、功率损耗过多的技术难题，实现提高半导体晶圆芯片产品稳定可靠性、以及生产制造高性能和高精密半导体电子器件的目标。
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公开(公告)号：CN117779130B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410199526.0
申请日：2024-02-23
申请人： 昆山一鼎工业科技有限公司
摘要： 本发明涉及晶圆技术领域，公开了一种晶圆电镀钨合金溶液、配制方法和电镀方法。这种晶圆电镀钨合金溶液包括：钨酸盐类120～960mmol/L、第一稳定剂5.6～87.5 mmol/L、镍盐类90～720 mmol/L、亚磷酸类130～2234 mmol/L、添加剂类0.35～1.5 mmol/L、溶剂为去离子水。本发明中添加剂能够提高电镀溶液稳定性，可以使晶圆镀区沉积的钨合金镀层具有致密无晶态形貌，无针孔，无夹缝，表面平整光滑，可以有效防止因为针孔或者夹缝的缺陷导致信号传输不稳定、电阻大、功率损耗过多等存在的技术难题，进一步提高半导体晶圆芯片产品的稳定可靠性。
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公开(公告)号：CN118126675A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410532741.8
申请日：2024-04-30
申请人： 昆山一鼎工业科技有限公司
IPC分类号： C09J183/07 , C09J11/08 , C09J11/06 , C25D3/02 , C25D7/12
摘要： 本发明涉及晶圆电镀技术领域，公开了一种用于晶圆电镀的RTV胶及其调制方法和模具电镀方法。这种RTV胶包括以下浓度的组分：A组分832～856g/kg和B组分144～168g/kg；上述组分混合后，将其充填到晶圆电镀产品构造的模具中，通过调制硅胶压膜生产制造技术，制备用于晶圆电镀的精密RTV胶的电镀治具产品。本发明采用调节控制RTV胶的硬度参数和改性交联剂的添加比例，获取具有优异弹性模量范围的加工条件，提高调制晶圆电镀的RTV胶膜的精密度和稳定性，使其具有更为优异的力学强度和弹性，确保晶圆镀区的封闭结构具有优异的密封效果，阻止电镀溶液对镀区以外领域的渗漏和渗镀金属沉积的发生。
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公开(公告)号：CN117779130A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202410199526.0
申请日：2024-02-23
申请人： 昆山一鼎工业科技有限公司
摘要： 本发明涉及晶圆技术领域，公开了一种晶圆电镀钨合金溶液、配制方法和电镀方法。这种晶圆电镀钨合金溶液包括：钨酸盐类120～960mmol/L、第一稳定剂5.6～87.5 mmol/L、镍盐类90～720 mmol/L、亚磷酸类130～2234 mmol/L、添加剂类0.35～1.5 mmol/L、溶剂为去离子水。本发明中添加剂能够提高电镀溶液稳定性，可以使晶圆镀区沉积的钨合金镀层具有致密无晶态形貌，无针孔，无夹缝，表面平整光滑，可以有效防止因为针孔或者夹缝的缺陷导致信号传输不稳定、电阻大、功率损耗过多等存在的技术难题，进一步提高半导体晶圆芯片产品的稳定可靠性。
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公开(公告)号：CN118668195A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202411154637.6
申请日：2024-08-22
申请人： 昆山一鼎工业科技有限公司
IPC分类号： C23C18/44 , H01L21/3205
摘要： 本发明属于晶圆化学镀铂技术领域，特别涉及一种化学镀铂溶液、其配制方法及其在晶圆化学镀铂中的应用。本发明的化学镀铂溶液包括：环状铂盐、还原剂、络合剂、导电盐、缓冲剂、pH调节剂和超纯水；环状铂盐的浓度为，以铂计，1~15 g/L；环状铂盐：还原剂：络合剂的质量比为1：（0.7~1.9）：（1.9~4.4）；还原剂为二氧化硫脲；络合剂为能够与铂（II）形成环状络合物的二氨基化合物；导电盐为羧酸铵类化合物；缓冲剂为多元羧酸盐类化合物；pH调节剂被配置为：在化学镀时，调节所述化学镀铂溶液pH值为9.5~10.5；在不需要化学镀时，调节所述化学镀铂溶液pH值为7。
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公开(公告)号：CN118515979A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410727668.X
申请日：2024-06-06
申请人： 昆山一鼎工业科技有限公司
IPC分类号： C08L83/07 , C08K7/26 , C08K5/5419 , C08K9/06 , C25D7/12
摘要： 本发明属于半导体器件电镀领域，特别是涉及用于半导体器件电镀的硅胶皮带、调制方法及其电镀应用。该硅胶复合皮带包括：按照重量百分数计，A母基胶75～76.6％、抗拉强度促进剂1.7～3.3％、铂络合物催化剂1～2.5％、B母基胶15.2～16.8％、气相法白炭黑0.9～2.5％和固化剂1.2～3.2％；A母基胶和B母基胶为甲基乙烯基硅橡胶；抗拉强度促进剂为环多硅氧烷化合物。本发明的硅胶复合皮带兼具适宜硬度、抗拉强度、弹性形变、耐化学腐蚀性能，更好满足了半导体电镀过程中实现密封和遮蔽功能的使用需求，获得了综合性能优异的半导体器件电镀产品，阻止电镀溶液对镀区以外领域渗镀的发生。
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