公开(公告)号：CN1638146A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410097819.0

申请日：2000-08-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上本康裕 ,  山下胜重 ,  三浦孝

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/739 ,  H01L29/74

CPC classification number: H01L29/7812 ,  H01L21/76286 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/063 ,  H01L29/7394 ,  H01L29/7436 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78624 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/8611

Abstract: 一种SOI型半导体器件，夹置绝缘层地层积半导体衬底和作为有源层的第一半导体层，同时在第一半导体层的表面上，形成第二半导体层和有与该第二半导体层不同导电型的第三半导体层，在所述第一半导体层和所述绝缘层的界面上形成有与第一半导体层不同导电型的第四半导体层。该第四半导体层被这样设定，平均单位面积的杂质量大于3×1012/cm2，以便即使在第二和第三半导体层之间施加反向偏置电压，也不会完全耗尽。

公开(公告)号：CN1271720C

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN00131700.8

申请日：2000-08-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上本康裕 ,  山下胜重 ,  三浦孝

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/74

CPC classification number: H01L29/7812 ,  H01L21/76286 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/063 ,  H01L29/7394 ,  H01L29/7436 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78624 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/8611

Abstract: 一种SOI型半导体器件，夹置绝缘层地层积半导体衬底和作为有源层的第一半导体层，同时在第一半导体层的表面上，形成第二半导体层和有与该第二半导体层不同导电型的第三半导体层，在所述第一半导体层和所述绝缘层的界面上形成有与第一半导体层不同导电型的第四半导体层。该第四半导体层被这样设定，平均单位面积的杂质量大于3×1012/cm2，以便即使在第二和第三半导体层之间施加反向偏置电压，也不会完全耗尽。