公开(公告)号：CN1257553C

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN01131028.6

申请日：2001-09-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 加藤刚久 ,  嶋田恭博

IPC: H01L27/04 ,  G11C11/21

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 本发明的半导体存储装置的驱动方法，其装置是由串联连接的铁电体电容器CF11、CF12、CF13、CF14和单元选择晶体管Q11、Q12、Q13、Q14构成的多个存储单元相互并联连接。第1共同节点N11与施加读出电压的第1置位线SET1连接，第2共同节点N12与第1复位线RST1和第1读出晶体管Q16的栅极连接。加到第1置位线SET1上的读出电压的大小设定为，在除去该读出电压时，读出数据的铁电体电容器的铁电体膜的极化偏移恢复到读出数据之前的偏移。在提高半导体存储装置的记忆特性的同时，谋求读出晶体管的动作的稳定性。

公开(公告)号：CN1211852C

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN00819001.1

申请日：2000-12-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 嶋田恭博

IPC: H01L21/8239 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L27/11502 ,  G11C11/22 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/11585 ,  H01L27/1159 ,  H01L28/55 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/6684 ,  H01L29/78391

Abstract: 一种非易失性存储装置具备：具有源区5、漏区6及栅电极4的MOS晶体管；在该晶体管的源区上通过绝缘膜3形成了的强电介质膜2；以及在该强电介质膜上形成了的电极1。一边消除在读出数据时的数据的破坏及干扰，一边能够利用少量的元件来构成存储单元。

公开(公告)号：CN1107345C

公开(公告)日：2003-04-30

申请号：CN97121332.1

申请日：1994-08-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 有田浩二 ,  藤井英治 ,  嶋田恭博 ,  上本康裕 ,  那须徹 ,  松田明浩 ,  长野能久 ,  井上敦雄 ,  松浦武敏 ,  大槻逹男

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/324 ,  H01L21/30 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/11585 ,  H01L27/1159 ,  H01L28/40 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60 ,  H01L28/75 ,  Y10S438/958

Abstract: 本发明提供一种在形成有集成电路的半导体基板上通过层间绝缘膜形成电容元件的半导体器件制造方法。本发明的半导体器件制造方法，在形成电极配线后还包括：形成覆盖所述电极配线的第二层间绝缘膜(59)的工序；除去位于所述电容元件上部的第二层间绝缘膜(59)的工序；热处理所述电容元件的工序；以及形成覆盖所述电极配线的保护膜(55)的工序。通过上述步骤，即便所增加的第二层间绝缘膜(59)中含氢等，也能够防止氢对电容元件造成不良影响。

公开(公告)号：CN1337717A

公开(公告)日：2002-02-27

申请号：CN01118761.1

申请日：2001-06-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 嶋田恭博 ,  加藤刚久

IPC: G11C11/40 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L29/516 ,  H01L27/11502 ,  H01L29/6684 ,  H01L29/78391 ,  H01L51/0504

Abstract: 一种半导体存储装置,包括:由场效应型晶体管和形成在该场效应型晶体管上的强电介质电容所构成的MFMIS型晶体管。在将数据存入该MFMIS型晶体管,并且强电介质膜为极化状态时,在上部电极和下部电极之间的电位差V、强电介质膜的表面电荷密度σ以及强电介质膜的极化电荷p与强电介质膜的厚度d以及真空的介电常数ε0之间成立的关系式V=(d/ε0)×(σ－p)中的(σ－p)的值,不随着时间的经过而发生实质性的变化。

公开(公告)号：CN1434982A

公开(公告)日：2003-08-06

申请号：CN00819001.1

申请日：2000-12-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 嶋田恭博

IPC: H01L21/8239 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L27/11502 ,  G11C11/22 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/11585 ,  H01L27/1159 ,  H01L28/55 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/6684 ,  H01L29/78391

Abstract: 一种非易失性存储装置具备：具有源区5、漏区6及栅电极4的MOS晶体管；在该晶体管的源区上通过绝缘膜3形成了的强电介质膜2；以及在该强电介质膜上形成了的电极1。一边消除在读出数据时的数据的破坏及干扰，一边能够利用少量的元件来构成存储单元。

公开(公告)号：CN1345088A

公开(公告)日：2002-04-17

申请号：CN01117608.3

申请日：1995-11-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上本康裕 ,  藤井英治 ,  有田浩二 ,  长野能久 ,  嶋田恭博 ,  吾妻正道 ,  井上敦雄 ,  井筒康文

IPC: H01L21/70 ,  H01L21/283 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L28/40 ,  H01L28/56

Abstract: 本发明揭示一种集成电路用电容元件的其制造方法。该方法包括:在基片上形成钛膜的粘接层,在该粘接层表面形成氧化钛和扩散阻挡层,以及在该扩散阻挡层上依次形成下电极、强介质膜和上电极等工序。

公开(公告)号：CN1343008A

公开(公告)日：2002-04-03

申请号：CN01131028.6

申请日：2001-09-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 加藤刚久 ,  嶋田恭博

IPC: H01L27/04 ,  G11C11/21

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 本发明的半导体存储装置的驱动方法,其装置是由串联连接的铁电体电容器CF11、CF12、CF13、CF14和单元选择晶体管Q11、Q12、Q13、Q14构成的多个存储单元相互并联连接。第1共同节点N11与施加读出电压的第1置位线SET1连接,第2共同节点N12与第1复位线RST1和第1读出晶体管Q16的栅极连接。加到第1置位线SET1上的读出电压的大小设定为,在除去该读出电压时,读出数据的铁电体电容器的铁电体膜的极化偏移恢复到读出数据之前的偏移。在提高半导体存储装置的记忆特性的同时,谋求读出晶体管的动作的稳定性。

公开(公告)号：CN1335647A

公开(公告)日：2002-02-13

申请号：CN01120041.3

申请日：2001-07-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 嶋田恭博 ,  加藤刚久

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/105 ,  G11C11/34

CPC classification number: G11C11/22 ,  G11C11/223

Abstract: 一种半导体存储装置,存储单元包括利用强电介质膜的极化偏位来储存数据的强电介质电容器30,和与该强电介质电容器30并联连接的选择晶体管20。在沿位线方向连续连接多个强电介质电容器30的串联电路的一端侧上,连接通过检测所选择的强电介质电容器30的强电介质膜极化偏位来读出数据的读出晶体管10,利用多个强电介质电容器30、多个选择晶体管20以及1个读出晶体管10来构成存储单元部分。能提高半导体存储装置的保持特性。

公开(公告)号：CN1329360A

公开(公告)日：2002-01-02

申请号：CN01118832.4

申请日：2001-06-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 嶋田恭博 ,  加藤刚久

IPC: H01L21/82 ,  G11C11/34

CPC classification number: G11C11/22 ,  G11C11/223

Abstract: 一种半导体存储装置的驱动方法,该半导体存储装置包括:强电介质电容器30、串联连接强电介质电容器30的读出FET10、以及并联连接强电介质电容器30的选择FET20。当读出储存在强电介质电容器30中的数据时,把低于该强电介质电容器30的矫顽电压的读出电压外加到强电介质电容器30的上电极31上,当除去该读出电压时,能使强电介质膜33的极化偏位返回到读出数据前的偏位上。提高具有强电介质电容器的半导体存储装置的保持特性。

公开(公告)号：CN1303692C

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN03154304.9

申请日：2003-08-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 加藤刚久 ,  嶋田恭博 ,  山田隆善

IPC: H01L27/10 ,  G11C11/34 ,  H01L21/82

CPC classification number: G11C11/22 ,  G11C7/1048 ,  G11C7/12

Abstract: 本发明提供一种半导体存储装置及其制造方法和驱动方法。在将数据作为极化值进行存储的强电介质电容器的2个电极上施加读出电压，以增加读出极化值时的动作余量。半导体存储装置装备有具有将数据作为极化值进行存储的强电介质电容器(C0)、(C1)的多个存储器单元。在构成多个存储器单元中的作为读出数据的存储器单元的强电介质电容器(C0)、(C1)的2个电极之间施加读出电压，并通过检测强电介质电容器(C0)、(C1)的极化值来读出存储在强电介质电容器(C0)、(C1)的数据。强电介质电容器(C0)、(C1)的滞后曲线向与读出电压的极性相反的电压侧移动。