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公开(公告)号:CN105453242A
公开(公告)日:2016-03-30
申请号:CN201380078836.7
申请日:2013-08-14
申请人: 株式会社日立制作所
IPC分类号: H01L21/66
CPC分类号: H01L22/12 , G01R31/265 , H01L22/20 , H01L22/24
摘要: 在本发明的半导体检查装置的半导体检查方法中,选择入射能量和负电位来进行控制,向晶圆的检查面扫描一次电子而检测二次电子,取得第一检查图像,通过基于预先确定的二次电子的信号量的阈值的图像处理,判别包含在第一检查图像中的宏观缺陷、层叠缺陷、基面位错和贯通位错。另外,选择入射能量和正电位来进行控制,向晶圆的检查面扫描一次电子而检测二次电子,取得第二检查图像,通过基于预先确定的二次电子的信号量的阈值的图像处理,判别包含在第二检查图像中的点形状图形的贯通螺旋位错。
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公开(公告)号:CN105453242B
公开(公告)日:2017-09-22
申请号:CN201380078836.7
申请日:2013-08-14
申请人: 株式会社日立制作所
IPC分类号: H01L21/66
CPC分类号: H01L22/12 , G01R31/265 , H01L22/20 , H01L22/24
摘要: 在本发明的半导体检查装置的半导体检查方法中,选择入射能量和负电位来进行控制,向晶圆的检查面扫描一次电子而检测二次电子,取得第一检查图像,通过基于预先确定的二次电子的信号量的阈值的图像处理,判别包含在第一检查图像中的宏观缺陷、层叠缺陷、基面位错和贯通位错。另外,选择入射能量和正电位来进行控制,向晶圆的检查面扫描一次电子而检测二次电子,取得第二检查图像,通过基于预先确定的二次电子的信号量的阈值的图像处理,判别包含在第二检查图像中的点形状图形的贯通螺旋位错。
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