公开(公告)号：CN105680808B

公开(公告)日：2019-01-29

申请号：CN201610007141.5

申请日：2012-08-31

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 归山隼一

IPC分类号： H03F3/08 ,  H03F3/189 ,  H03F3/24 ,  H03F3/45 ,  H03K17/082 ,  H03K17/567 ,  H03K17/689 ,  H03K17/691 ,  H03K17/78 ,  H04B5/00 ,  H04L25/02 ,  H01L23/522 ,  H01L25/16

CPC分类号： G06F11/08 ,  G01R31/265 ,  G01R31/302 ,  G06K19/0723 ,  H01L23/5227 ,  H01L25/16 ,  H01L25/162 ,  H01L25/167 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H03F3/085 ,  H03F3/189 ,  H03F3/24 ,  H03F3/45475 ,  H03F3/45479 ,  H03F2203/45544 ,  H03F2203/45621 ,  H03K17/0828 ,  H03K17/567 ,  H03K17/689 ,  H03K17/691 ,  H03K17/78 ,  H03K2017/0806 ,  H04B5/0012 ,  H04B5/0075 ,  H04B5/0081 ,  H04L25/0266 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00012

摘要： 提供半导体集成电路，包括：第一发送电路，产生和输出反映第一数据信号的第一发送信号；第一接收电路，再产生第一数据信号；第一隔离元件，隔离第一发送电路与第一接收电路并发送第一发送信号；第二发送电路，产生和输出反映第二数据信号的第二发送信号；第二接收电路，再产生第二数据信号；第二隔离元件，隔离第二发送电路与第二接收电路并发送第二发送信号；第三发送电路，产生和输出反映第二数据信号的第三发送信号；第三接收电路，再产生第二数据信号；第三隔离元件，隔离第三发送电路与第三接收电路并发送第三发送信号；控制部，在确定再产生的第一数据信号和再产生的第二数据信号是相同的逻辑电平信号时与第一数据信号无关地输出停止信号。

公开(公告)号：CN102970009A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201210320608.3

申请日：2012-08-31

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 归山隼一

IPC分类号： H03K17/08

CPC分类号： G06F11/08 ,  G01R31/265 ,  G01R31/302 ,  G06K19/0723 ,  H01L23/5227 ,  H01L25/16 ,  H01L25/162 ,  H01L25/167 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H03F3/085 ,  H03F3/189 ,  H03F3/24 ,  H03F3/45475 ,  H03F3/45479 ,  H03F2203/45544 ,  H03F2203/45621 ,  H03K17/0828 ,  H03K17/567 ,  H03K17/689 ,  H03K17/691 ,  H03K17/78 ,  H03K2017/0806 ,  H04B5/0012 ,  H04B5/0075 ,  H04B5/0081 ,  H04L25/0266 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明提供一种半导体集成电路和包括半导体集成电路的驱动设备。在此公开了一种半导体集成电路，其能够检测可以在经由隔离元件的信号发送中引起故障的异常，并且向要控制的目标发出停止信号。该半导体集成电路包括：发送电路，其用于产生和输出用于反映从外部供应的发送数据的发送信号；接收电路，其用于基于接收信号而再产生发送数据；隔离元件，其用于将发送电路与接收电路隔离，并且发送作为接收信号的发送信号；异常检测部，其用于检测可以在经由隔离元件的信号发送中引起故障的异常；以及控制部，如果异常检测部检测到异常，则所述控制部输出停止信号，而与从外部向发送电路供应的发送数据无关。

公开(公告)号：CN107102246A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201610954344.5

申请日：2016-11-03

申请人： LS 产电株式会社

发明人： 金荣佑

IPC分类号： G01R31/26 ,  G01R19/165

CPC分类号： H03K17/08144 ,  G01R19/16571 ,  G01R31/263 ,  G01R31/265 ,  G01R31/3333 ,  G01R19/16504

摘要： 一种用于反并联晶闸管的故障检测器包括：功率供应单元，其被配置为将功率供应到第一晶闸管和第二晶闸管；第一电流传感器，其被配置为输出流过第一晶闸管的第一电流测量值；第二电流传感器，其被配置为输出流过第二晶闸管的第二电流测量值；以及检测器，其当第一电流测量值和第二电流测量值满足设定故障条件时通知晶闸管的故障。

公开(公告)号：CN105589231A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201610133230.4

申请日：2016-03-09

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥京东方光电科技有限公司

发明人： 徐敏 ,  俞健阳 ,  孙纬伟 ,  魏振

IPC分类号： G02F1/13

CPC分类号： G01R31/265 ,  G02F1/1303 ,  G02F1/1362 ,  G02F2001/136254 ,  H01L22/14 ,  H01L27/1214 ,  G02F1/1309

摘要： 本发明提供了一种非接触式探针信号加载装置。该非接触式探针信号加载装置包括：探针金属片，电性连接至信号载入端，其下部朝向待载入信号的信号接入金属片；其中，探针金属片与信号接入金属片形成信号传输电容，由该信号传输电容作为媒介，由探针金属片将载入的信号传输至信号接入金属片。本发明利用电容“隔直流，通交流”的特性设计非接触式探针，探针与TFT玻璃不直接接触，通过电容效应传递信号，避免了探针划伤TFT玻璃或是扎坏TFT玻璃导致碎点(Crack)的问题。

公开(公告)号：CN104347611A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410389342.7

申请日：2014-08-08

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 中村宏之

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L23/495 ,  H01L23/31

CPC分类号： G01R31/041 ,  G01R1/0491 ,  G01R19/0092 ,  G01R21/06 ,  G01R31/261 ,  G01R31/2623 ,  G01R31/265 ,  H01L23/495 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种能够简化配线作业的半导体装置。半导体装置PM1具有：半导体元件(绝缘栅型双极晶体管IGBT)(10a)，其具有发射极主电极(N)以及发射极感应电极(ES)；集成电路(IC1)，其具有检测用端子(CIN)；塑膜树脂体(PKG)，其对半导体元件(10a)以及集成电路(IC1)进行封装；以及引线(RD1)。引线(RD1)具有：内部引线部分(31)，其被塑膜树脂体(PKG)封装，并与发射极感应电极(ES)电气连接；内部引线部分(30)，其被塑膜树脂体(PKG)封装，并与发射极主电极(N)电气连接；以及外部引线部分(40)，其在塑膜树脂体(PKG)的外侧露出，一侧与内部引线部分(31)连接，另一侧与内部引线部分(30)连接。

公开(公告)号：CN105846972A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201510023215.X

申请日：2015-01-16

申请人： 联发科技股份有限公司

发明人： 陈俊良

IPC分类号： H04L1/24

CPC分类号： G06F11/0772 ,  G01R1/0466 ,  G01R1/0491 ,  G01R31/043 ,  G01R31/265 ,  G01R31/2868 ,  G01R31/2874 ,  G01R31/318511 ,  G06F11/00 ,  G06F11/0787 ,  G06F11/1492 ,  G06F11/22 ,  G11C11/00 ,  G11C29/00 ,  G11C29/023 ,  G11C29/028 ,  G11C29/44 ,  H04L1/00

摘要： 本发明实施例公开了一种发送校准方法和控制设备。其中，该发送校准方法包括：根据每一个训练参数集发送第一数据给存储设备，所述第一数据包括一校准数据和第一校验和；记录来自所述存储设备的多个错误指示符，所述多个错误指示符与所述多个训练参数集一一对应；根据与所述多个训练参数集一一对应的所述多个错误指示符，将所述多个训练参数集中的其中一个定义为预定参数集；其中，每一个错误指示符用于指示根据训练参数集发送的所述第一数据是否发送成功。本发明实施例可节省发送校准的时间。

公开(公告)号：CN102970009B

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201210320608.3

申请日：2012-08-31

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 归山隼一

IPC分类号： H03K17/08

CPC分类号： G06F11/08 ,  G01R31/265 ,  G01R31/302 ,  G06K19/0723 ,  H01L23/5227 ,  H01L25/16 ,  H01L25/162 ,  H01L25/167 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H03F3/085 ,  H03F3/189 ,  H03F3/24 ,  H03F3/45475 ,  H03F3/45479 ,  H03F2203/45544 ,  H03F2203/45621 ,  H03K17/0828 ,  H03K17/567 ,  H03K17/689 ,  H03K17/691 ,  H03K17/78 ,  H03K2017/0806 ,  H04B5/0012 ,  H04B5/0075 ,  H04B5/0081 ,  H04L25/0266 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明提供一种半导体集成电路和包括半导体集成电路的驱动设备。在此公开了一种半导体集成电路，其能够检测可以在经由隔离元件的信号发送中引起故障的异常，并且向要控制的目标发出停止信号。该半导体集成电路包括：发送电路，其用于产生和输出用于反映从外部供应的发送数据的发送信号；接收电路，其用于基于接收信号而再产生发送数据；隔离元件，其用于将发送电路与接收电路隔离，并且发送作为接收信号的发送信号；异常检测部，其用于检测可以在经由隔离元件的信号发送中引起故障的异常；以及控制部，如果异常检测部检测到异常，则所述控制部输出停止信号，而与从外部向发送电路供应的发送数据无关。

公开(公告)号：CN103364638A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310119658.X

申请日：2013-04-08

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 亚历山大·沃罗诺夫 ,  李奭浩 ,  郑志宪 ,  许京会 ,  韩圭完

IPC分类号： G01R27/02 ,  G01N27/20

CPC分类号： G01R31/26 ,  G01R31/2648 ,  G01R31/265

摘要： 本发明公开一种硅薄膜的电导率测量方法、缺陷检测方法及缺陷检测设备。通过硅薄膜的电导率测量方法，以在传感器和样品之间具有气隙的方式将电容式传感器放置在硅薄膜样品的上方，在关闭激发光源组件的同时，利用电容式传感器测量气隙的大小，通过开启激发光源组件，使激发光照射到硅薄膜样品上，其中激发光是紫外光，利用电容式传感器测量硅薄膜样品的电导率变化，以及通过基于气隙大小的测量结果使电导率变化归一化，来消除由于气隙的偏差而导致的测量误差。

公开(公告)号：CN102105806A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200980129201.9

申请日：2009-06-24

申请人： 法国国家太空研究中心

发明人： P·佩迪

IPC分类号： G01R31/302 ,  G01R31/315 ,  G01R31/265

CPC分类号： G01R31/302 ,  G01R31/265 ,  G01R31/315

摘要： 本发明涉及一种用于测试电子装置的方法和机器，其中由单向测量探头(46)测量所发射的磁场，其特征在于：由探头(46)测量沿轴ZZ’的磁场分量Bz的第一值(Bz1)并对其进行记录，然后通过绕着与所述轴ZZ’正交的轴XX’根据小于90°的角幅度相对枢转使所述探头(46)和所述电子装置彼此相对移动，同时针对轴ZZ’的每个位置(x，y)保持在同一距离d0处，由探头(46)测量沿轴ZZ’的磁场分量Bz的第二值(Bz2)并对其进行记录，然后基于已经获得的第一值Bz1和第二值Bz2确定所述磁场沿着与所述轴ZZ’和XX’正交的轴YY’的分量By的值并对其进行记录。

公开(公告)号：CN105453242B

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201380078836.7

申请日：2013-08-14

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 木村嘉伸 ,  津野夏规 ,  太田洋也 ,  山田廉一 ,  滨村浩孝 ,  大野俊之 ,  冲野泰之 ,  毛利友纪

IPC分类号： H01L21/66

CPC分类号： H01L22/12 ,  G01R31/265 ,  H01L22/20 ,  H01L22/24

摘要： 在本发明的半导体检查装置的半导体检查方法中，选择入射能量和负电位来进行控制，向晶圆的检查面扫描一次电子而检测二次电子，取得第一检查图像，通过基于预先确定的二次电子的信号量的阈值的图像处理，判别包含在第一检查图像中的宏观缺陷、层叠缺陷、基面位错和贯通位错。另外，选择入射能量和正电位来进行控制，向晶圆的检查面扫描一次电子而检测二次电子，取得第二检查图像，通过基于预先确定的二次电子的信号量的阈值的图像处理，判别包含在第二检查图像中的点形状图形的贯通螺旋位错。