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公开(公告)号：CN102245536B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN200980149760.6
申请日：2009-12-11
申请人： 株式会社村田制作所
IPC分类号： H01C7/02
CPC分类号： C04B35/638 , C04B35/4682 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3225 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3281 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/604 , C04B2235/6584 , C04B2235/72 , C04B2235/79 , C04B2235/85 , C04B2235/9661 , H01C7/025 , Y10T428/252
摘要： 本发明的半导体陶瓷，以具有由通式AmBO3表示的钙钛矿型结构的BamTiO3类组合物作为主成分，构成A位的Ba的一部分至少被碱金属元素、Bi以及稀土元素取代，并且A位与B位的摩尔比m为0.990≤m≤0.999(优选0.990≤m≤0.995)。另外，Ba的一部分用Ca取代，并且将构成A位的元素的总摩尔数设为1摩尔时的上述Ca的含量，以摩尔比换算为0.042～0.20(优选0.125～0.175)。PTC热敏电阻，部件基体(1)由该半导体陶瓷形成。由此，即使含有碱金属元素，也得到良好的上升特性。
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公开(公告)号：CN102224119A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN200980147310.3
申请日：2009-12-11
申请人： 株式会社村田制作所
CPC分类号： H01C7/025 , C04B35/4682 , C04B35/6262 , C04B35/62645 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3208 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3262 , C04B2235/3298 , C04B2235/6584 , C04B2235/79 , C04B2235/87 , Y10T428/256
摘要： 本发明的半导体陶瓷以用一般式AmBO3来表示的具有钙钛矿型构造的BamTiO3系组成物为主成分，按照A位和B位的摩尔比m成为1.001≤m≤1.01的方式来进行配制，并且，用Li以及Na内的至少一种元素、Bi、Ca、以及稀土类元素来置换构成A位的Ba的一部分，且，在设构成上述A位的元素的总摩尔数为1摩尔时，上述Ca的含有量换算为摩尔比是0.05～0.20(优选0.125～0.175)。PTC热敏电阻的部件基体(1)用该半导体陶瓷来形成。由此，能制作出实质不含铅的非铅系的半导体陶瓷，同时保持希望的PTC特性，并具有良好的可靠性。
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公开(公告)号：CN107001151B
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201580062450.6
申请日：2015-11-04
申请人： 株式会社村田制作所
IPC分类号： C04B35/468 , H01C7/02
摘要： 本发明提供一种室温电阻小、检测温度低、检测精度高的温度检测用正特性热敏电阻。半导体陶瓷(1)使用如下的钛酸钡类半导体陶瓷：含有包含Ba、Ca、Sr和Ti的钙钛矿类化合物作为主成分，还含有R(R选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的至少一种)、Mn和Si，在将该钛酸钡类半导体陶瓷溶解的情况下，将Ti定为100摩尔份时的Ca的含有摩尔份x、Sr的含有摩尔份y、Mn的含有摩尔份z为20≤x≤25、19≤y≤25、0.01≤z≤0.03，且在0.01≤z＜0.019时，y≥‑0.8x+37，在0.021＜z≤0.03时，y≤‑x+48。
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公开(公告)号：CN107001151A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580062450.6
申请日：2015-11-04
申请人： 株式会社村田制作所
IPC分类号： C04B35/468 , H01C7/02
摘要： 本发明提供一种室温电阻小、检测温度低、检测精度高的温度检测用正特性热敏电阻。半导体陶瓷(1)使用如下的钛酸钡类半导体陶瓷：含有包含Ba、Ca、Sr和Ti的钙钛矿类化合物作为主成分，还含有R(R选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的至少一种)、Mn和Si，在将该钛酸钡类半导体陶瓷溶解的情况下，将Ti定为100摩尔份时的Ca的含有摩尔份x、Sr的含有摩尔份y、Mn的含有摩尔份z为20≤x≤25、19≤y≤25、0.01≤z≤0.03，且在0.01≤z＜0.019时，y≥‑0.8x+37，在0.021＜z≤0.03时，y≤‑x+48。
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公开(公告)号：CN102245537A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200980149781.8
申请日：2009-12-11
申请人： 株式会社村田制作所
CPC分类号： H01C7/025 , C04B35/46 , C04B35/4682 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3262 , C04B2235/3298 , C04B2235/6584 , C04B2235/79
摘要： 本发明的半导体陶瓷，以具有由通式AmBO3表示的钙钛矿型结构的BamTiO3类组合物作为主成分，构成A位的Ba的一部分被Na、Bi、Ca以及离子半径比所述Na小的稀土元素取代，同时将所述构成A位的元素的总摩尔数设为1摩尔时，所述稀土元素的含量以摩尔比换算计为0.0005～0.015，并且将所述构成A位的元素的总摩尔数设为1摩尔时，所述Ca的含量以摩尔比换算计为0.05～0.20(优选为0.125以上且0.175以下)。正特性热敏电阻，部件基体(1)用该半导体陶瓷形成。由此即使含有碱金属元素，也具有良好的可靠性。
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公开(公告)号：CN102224119B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN200980147310.3
申请日：2009-12-11
申请人： 株式会社村田制作所
CPC分类号： H01C7/025 , C04B35/4682 , C04B35/6262 , C04B35/62645 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3208 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3262 , C04B2235/3298 , C04B2235/6584 , C04B2235/79 , C04B2235/87 , Y10T428/256
摘要： 本发明的半导体陶瓷以用一般式AmBO3来表示的具有钙钛矿型构造的BamTiO3系组成物为主成分，按照A位和B位的摩尔比m成为1.001≤m≤1.01的方式来进行配制，并且，用Li以及Na内的至少一种元素、Bi、Ca、以及稀土类元素来置换构成A位的Ba的一部分，且，在设构成上述A位的元素的总摩尔数为1摩尔时，上述Ca的含有量换算为摩尔比是0.05～0.20(优选0.125～0.175)。PTC热敏电阻的部件基体(1)用该半导体陶瓷来形成。由此，能制作出实质不含铅的非铅系的半导体陶瓷，同时保持希望的PTC特性，并具有良好的可靠性。
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公开(公告)号：CN102245536A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200980149760.6
申请日：2009-12-11
申请人： 株式会社村田制作所
CPC分类号： C04B35/638 , C04B35/4682 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3225 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3281 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/604 , C04B2235/6584 , C04B2235/72 , C04B2235/79 , C04B2235/85 , C04B2235/9661 , H01C7/025 , Y10T428/252
摘要： 本发明的半导体陶瓷，以具有由通式AmBO3表示的钙钛矿型结构的BamTiO3类组合物作为主成分，构成A位的Ba的一部分至少被碱金属元素、Bi以及稀土元素取代，并且A位与B位的摩尔比m为0.990≤m≤0.999(优选0.990≤m≤0.995)。另外，Ba的一部分用Ca取代，并且将构成A位的元素的总摩尔数设为1摩尔时的上述Ca的含量，以摩尔比换算为0.042～0.20(优选0.125～0.175)。PTC热敏电阻，部件基体(1)由该半导体陶瓷形成。由此，即使含有碱金属元素，也得到良好的上升特性。
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公开(公告)号：CN102245535A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200980149759.3
申请日：2009-12-11
申请人： 株式会社村田制作所
CPC分类号： C04B35/4682 , C04B35/638 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3281 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/604 , C04B2235/6584 , C04B2235/72 , C04B2235/79 , C04B2235/85 , C04B2235/9661 , H01C7/025 , Y10T428/2993
摘要： 本发明的半导体陶瓷以具有通式AmBO3所示的钙钛矿型结构的BaTiO3系组合物作为主要成分，构成A位的Ba中的一部分被碱金属元素用Bi、Ca、Sr及稀土类元素取代，而且在构成所述A位的元素的总摩尔数设为1摩尔的情况下，所述Ca及Sr的含量以Ca的摩尔比设为x、所述Sr的摩尔比设为y计，满足0.05≤x≤0.20、0.02≤y≤0.12、及2x+5y≤0.7。PTC热敏电阻的部件基体1用该半导体陶瓷形成。并且由此可得到即便含有碱金属元素，Bi也不产生表面变色，即便长时间通电也可以抑制电阻值的经年劣化的可靠性的良好的非铅系的半导体陶瓷。
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