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公开(公告)号：CN1266269A
公开(公告)日：2000-09-13
申请号：CN00103732.3
申请日：2000-03-03
申请人： 株式会社村田制作所
CPC分类号： C04B35/4682 , H01C7/025
摘要： 一种由半导体陶瓷制成的单片电子元件,该元件包括交替堆叠的半导体陶瓷层与内部电极层组成的煅烧叠层以及形成于煅烧叠层上的外部电极,其中每层半导体陶瓷层包括半导体化煅烧钛酸钡,其包含下列物质:氧化硼;从钡、锶、钙、铅、钇和稀土元素中选择的至少一种金属的第一氧化物;以及从钛、锡、铬、铌、钨和锑中选择的至少一种金属的第二氧化物,注入的氧化硼数量按还原的原子硼计满足一定的关系。
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公开(公告)号：CN103708824A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310421383.5
申请日：2013-09-16
申请人： 株式会社村田制作所
发明人： 松永达也
IPC分类号： C04B35/468 , C04B35/622
摘要： 本发明提供一种居里点低、能够进行低温工作、并且室温电阻低、电阻-温度特性高的钛酸钡系半导体瓷器组合物以及使用其的PTC热敏电阻。在钛酸钡系半导体瓷器组合物中，将Ba位点和Ti位点的摩尔比设为0.985≤Ti位点／Ba位点，以7.0mol％≤Sr≤17.0mol％12.5mol％≤Ca≤19.0mol％0.035mol％≤Mn≤0.074mol％的比例含有Sr、Ca、以及Mn。此外，将Ba位点与Ti位点的摩尔比，设为0.985≤Ti位点／Ba位点≤1.005的范围。
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公开(公告)号：CN107001151B
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201580062450.6
申请日：2015-11-04
申请人： 株式会社村田制作所
IPC分类号： C04B35/468 , H01C7/02
摘要： 本发明提供一种室温电阻小、检测温度低、检测精度高的温度检测用正特性热敏电阻。半导体陶瓷(1)使用如下的钛酸钡类半导体陶瓷：含有包含Ba、Ca、Sr和Ti的钙钛矿类化合物作为主成分，还含有R(R选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的至少一种)、Mn和Si，在将该钛酸钡类半导体陶瓷溶解的情况下，将Ti定为100摩尔份时的Ca的含有摩尔份x、Sr的含有摩尔份y、Mn的含有摩尔份z为20≤x≤25、19≤y≤25、0.01≤z≤0.03，且在0.01≤z＜0.019时，y≥‑0.8x+37，在0.021＜z≤0.03时，y≤‑x+48。
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公开(公告)号：CN107001151A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580062450.6
申请日：2015-11-04
申请人： 株式会社村田制作所
IPC分类号： C04B35/468 , H01C7/02
摘要： 本发明提供一种室温电阻小、检测温度低、检测精度高的温度检测用正特性热敏电阻。半导体陶瓷(1)使用如下的钛酸钡类半导体陶瓷：含有包含Ba、Ca、Sr和Ti的钙钛矿类化合物作为主成分，还含有R(R选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的至少一种)、Mn和Si，在将该钛酸钡类半导体陶瓷溶解的情况下，将Ti定为100摩尔份时的Ca的含有摩尔份x、Sr的含有摩尔份y、Mn的含有摩尔份z为20≤x≤25、19≤y≤25、0.01≤z≤0.03，且在0.01≤z＜0.019时，y≥‑0.8x+37，在0.021＜z≤0.03时，y≤‑x+48。
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公开(公告)号：CN103403814B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201280010257.4
申请日：2012-02-21
申请人： 株式会社村田制作所
IPC分类号： H01C7/02
摘要： 本发明提供一种耐压性优异的正特性热敏电阻元件，其在半导体陶瓷的主要成分中不含有环境负荷物质。本发明所涉及的正特性热敏电阻元件(1)，其特征在于，其是具备含有BaTiO3(其中，Ba的一部分也可以用Ca、Sr、以及稀土元素中的至少1种元素置换)作为主要成分的半导体陶瓷(11)、和在半导体陶瓷(11)的两个主面形成的一对电极(12、13)的正特性热敏电阻元件(1)，半导体陶瓷(11)具有与一对电极(12、13)分别相接的一对外侧区域(15、16)、和被一对外侧区域(15、16)夹持的内侧区域(14)，外侧区域(15、16)的气孔含有率大于内侧区域(14)的气孔含有率。
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公开(公告)号：CN103889926B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201280051963.3
申请日：2012-10-03
申请人： 株式会社村田制作所
发明人： 松永达也
IPC分类号： C04B35/468 , H01C7/02
CPC分类号： H01C7/025 , C04B35/4682 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3262 , H01C17/06533 , H01C17/30
摘要： 提供一种使用了居里点较低而且可在室温附近的较低温度下动作、且室温电阻低、电阻温度特性高的钛酸钡系半导体陶瓷的PTC热敏电阻器。作为构成PTC热敏电阻器的半导体陶瓷，使用如下半导体陶瓷：含有钙钛矿型化合物、Mn、及半导体化剂，该钙钛矿型化合物包含Ba、Ti、Sr及Ca，且在将Ba、Sr、Ca及半导体化剂的合计含有摩尔部设为100时的Sr的含有摩尔部a、Ca的含有摩尔部b是在20.0≤a≤22.5时，12.5≤b≤17.5，在22.5≤a≤25.0时，12.5≤b≤15.0，在将Ti及Mn的合计含有摩尔部设为100时的Mn的含有摩尔部c是0.030≤c≤0.045。
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公开(公告)号：CN103459350A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201280015862.0
申请日：2012-03-16
申请人： 株式会社村田制作所
IPC分类号： C04B35/468 , H01C7/02
CPC分类号： C04B35/4682 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3262 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , H01C7/025
摘要： 本发明的目的在于提供一种耐压性优异的半导体陶瓷和使用该半导体陶瓷的正温度系数热敏电阻元件。构成正温度系数热敏电阻元件(1)的部件主体(11)的半导体陶瓷包含由通式(Ba1-(x+y+z)/100Cax/100Sry/100Smcz/100)TiO3表示的化合物(其中，Smc为半导体化剂)作为主要成分，相对于主要成分100摩尔份，以t摩尔份的比例含有Mn，x、y、t满足2.500≤x≤20.000、0.000≤y≤5.000、2.500≤x+y≤20.000、0.030≤t≤0.150的关系，z在由x、y、t确定的、表示半导体化剂Smc的量与比电阻之间的关系的曲线中的比电阻成为极小的半导体化剂Smc的量以上。
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公开(公告)号：CN103459350B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201280015862.0
申请日：2012-03-16
申请人： 株式会社村田制作所
IPC分类号： H01C7/02 , C04B35/468
CPC分类号： C04B35/4682 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3262 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , H01C7/025
摘要： 本发明的目的在于提供一种耐压性优异的半导体陶瓷和使用该半导体陶瓷的正温度系数热敏电阻元件。构成正温度系数热敏电阻元件(1)的部件主体(11)的半导体陶瓷包含由通式(Ba1-(x+y+z)/100Cax/100Sry/100Smcz/100)TiO3表示的化合物(其中，Smc为半导体化剂)作为主要成分，相对于主要成分100摩尔份，以t摩尔份的比例含有Mn，x、y、t满足2.500≤x≤20.000、0.000≤y≤5.000、2.500≤x+y≤20.000、0.030≤t≤0.150的关系，z在由x、y、t确定的、表示半导体化剂Smc的量与比电阻之间的关系的曲线中的比电阻成为极小的半导体化剂Smc的量以上。
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公开(公告)号：CN103889926A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201280051963.3
申请日：2012-10-03
申请人： 株式会社村田制作所
发明人： 松永达也
IPC分类号： C04B35/468 , H01C7/02
CPC分类号： H01C7/025 , C04B35/4682 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3262 , H01C17/06533 , H01C17/30
摘要： 提供一种使用了居里点较低而且可在室温附近的较低温度下动作、且室温电阻低、电阻温度特性高的钛酸钡系半导体陶瓷的PTC热敏电阻器。作为构成PTC热敏电阻器的半导体陶瓷，使用如下半导体陶瓷：含有钙钛矿型化合物、Mn、及半导体化剂，该钙钛矿型化合物包含Ba、Ti、Sr及Ca，且在将Ba、Sr、Ca及半导体化剂的合计含有摩尔部设为100时的Sr的含有摩尔部a、Ca的含有摩尔部b是在20.0≤a≤22.5时，12.5≤b≤17.5，在22.5≤a≤25.0时，12.5≤b≤15.0，在将Ti及Mn的合计含有摩尔部设为100时的Mn的含有摩尔部c是0.030≤c≤0.045。
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公开(公告)号：CN103403814A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201280010257.4
申请日：2012-02-21
申请人： 株式会社村田制作所
IPC分类号： H01C7/02
摘要： 本发明提供一种耐压性优异的正特性热敏电阻元件，其在半导体陶瓷的主要成分中不含有环境负荷物质。本发明所涉及的正特性热敏电阻元件(1)，其特征在于，其是具备含有BaTiO3(其中，Ba的一部分也可以用Ca、Sr、以及稀土元素中的至少1种元素置换)作为主要成分的半导体陶瓷(11)、和在半导体陶瓷(11)的两个主面形成的一对电极(12、13)的正特性热敏电阻元件(1)，半导体陶瓷(11)具有与一对电极(12、13)分别相接的一对外侧区域(15、16)、和被一对外侧区域(15、16)夹持的内侧区域(14)，外侧区域(15、16)的气孔含有率大于内侧区域(14)的气孔含有率。
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