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公开(公告)号：CN112384141B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202080003919.X
申请日：2020-03-12
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明的伸缩性安装基板具备：伸缩性基材；伸缩性布线，配置在上述伸缩性基材的一个主面上；安装电极部，与上述伸缩性布线连接且含有铋及锡；焊料，与上述安装电极部连接且含有铋及锡；以及电子部件，经由上述焊料与上述安装电极部连接，上述安装电极部具有上述伸缩性布线侧的第一电极层和上述焊料侧的第二电极层，上述第一电极层中的铋的浓度比上述第二电极层中的铋的浓度低，并且沿着厚度方向为恒定。
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公开(公告)号：CN102164873B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN200980137962.9
申请日：2009-09-30
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 胜勇人
CPC classification number: H01C7/025 , C04B35/4682 , C04B2235/3201 , C04B2235/3213 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3262 , C04B2235/3298 , C04B2235/5436 , C04B2235/6584
Abstract: 本发明提供不含有Pb而可以提高居里点并且经时变化小、可靠性优异的钛酸钡系半导体陶瓷组合物及PTC热敏电阻。本发明的钛酸钡系半导体陶瓷组合物以组成式(Ba1-x-y-zSry(A1Bi)xA2z)TiO3表示，A1是碱金属元素，A2是稀土类元素，x、y、z满足：0.03≤x≤0.20、0.02≤y≤0.20、0.0005≤z≤0.015并且x-0.10≤y≤(5/4)·x的关系。此外，优选相对于100摩尔份的Ti，添加0.01摩尔份以上0.20摩尔份以下的Mn。
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公开(公告)号：CN102245537A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200980149781.8
申请日：2009-12-11
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01C7/025 , C04B35/46 , C04B35/4682 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3262 , C04B2235/3298 , C04B2235/6584 , C04B2235/79
Abstract: 本发明的半导体陶瓷，以具有由通式AmBO3表示的钙钛矿型结构的BamTiO3类组合物作为主成分，构成A位的Ba的一部分被Na、Bi、Ca以及离子半径比所述Na小的稀土元素取代，同时将所述构成A位的元素的总摩尔数设为1摩尔时，所述稀土元素的含量以摩尔比换算计为0.0005～0.015，并且将所述构成A位的元素的总摩尔数设为1摩尔时，所述Ca的含量以摩尔比换算计为0.05～0.20(优选为0.125以上且0.175以下)。正特性热敏电阻，部件基体(1)用该半导体陶瓷形成。由此即使含有碱金属元素，也具有良好的可靠性。
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公开(公告)号：CN116076158A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202280004105.7
申请日：2022-03-25
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H05K1/02
Abstract: 本发明提供一种伸缩性布线基板(100)，具备伸缩性基体材料(1)、设置于上述伸缩性基体材料(1)的伸缩性布线(2)以及设置于上述伸缩性基体材料(1)的保护层(3)，上述保护层(3)包含第一区域(4)和第二区域(5)，从上述伸缩性基体材料(1)的厚度方向观察，上述第一区域(4)与上述伸缩性布线(2)重叠，上述第二区域(5)不与上述伸缩性布线(1)重叠，在上述第二区域(5)，沿着上述伸缩性布线(2)配置有低伸缩部(6)，低伸缩部(6)的伸缩率比上述第一区域(4)中的伸缩率高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103906722A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201280053002.6
申请日：2012-08-03
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/468 , H01C7/02
CPC classification number: H01C7/008 , C04B35/468 , C04B35/4682 , C04B35/6261 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3244 , C04B2235/6025 , C04B2235/652 , C04B2235/656 , C04B2235/6567 , H01C7/021 , H01C7/025 , H01C7/18
Abstract: 本发明提供一种室温附近的比电阻低且耐电压高的、具有正电阻温度特性的钛酸钡系陶瓷及使用其的PTC热敏电阻。该钛酸钡系陶瓷是以通式BaTiO3表示且具有正电阻温度特性的钛酸钡系半导体陶瓷，其中，将部分Ti位以Zr置换，且将Zr的含有比率设为0.14～0.88mol％的范围。所述钛酸钡系半导体陶瓷设为含有选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的至少一种稀土元素的组成。使用上述钛酸钡系半导体陶瓷作为具有正电阻温度特性的热敏电阻基体而构成PTC热敏电阻。
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公开(公告)号：CN102245536B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN200980149760.6
申请日：2009-12-11
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01C7/02
CPC classification number: C04B35/638 , C04B35/4682 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3225 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3281 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/604 , C04B2235/6584 , C04B2235/72 , C04B2235/79 , C04B2235/85 , C04B2235/9661 , H01C7/025 , Y10T428/252
Abstract: 本发明的半导体陶瓷，以具有由通式AmBO3表示的钙钛矿型结构的BamTiO3类组合物作为主成分，构成A位的Ba的一部分至少被碱金属元素、Bi以及稀土元素取代，并且A位与B位的摩尔比m为0.990≤m≤0.999(优选0.990≤m≤0.995)。另外，Ba的一部分用Ca取代，并且将构成A位的元素的总摩尔数设为1摩尔时的上述Ca的含量，以摩尔比换算为0.042～0.20(优选0.125～0.175)。PTC热敏电阻，部件基体(1)由该半导体陶瓷形成。由此，即使含有碱金属元素，也得到良好的上升特性。
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公开(公告)号：CN118511655A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202280087545.3
申请日：2022-10-27
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本公开的目的在于提供一种即使在安装于生物体等具有柔软性、运动的对象物的情况下，也能够抑制断线的伸缩布线基板。本公开的伸缩布线基板具备主体部、和层叠于上述主体部的可伸缩的第一布线及第二布线，上述第一布线及第二布线相互连接，上述主体部中的剥离强度比上述第一布线与上述第二布线之间的剥离强度小。
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公开(公告)号：CN102224119A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN200980147310.3
申请日：2009-12-11
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01C7/025 , C04B35/4682 , C04B35/6262 , C04B35/62645 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3208 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3262 , C04B2235/3298 , C04B2235/6584 , C04B2235/79 , C04B2235/87 , Y10T428/256
Abstract: 本发明的半导体陶瓷以用一般式AmBO3来表示的具有钙钛矿型构造的BamTiO3系组成物为主成分，按照A位和B位的摩尔比m成为1.001≤m≤1.01的方式来进行配制，并且，用Li以及Na内的至少一种元素、Bi、Ca、以及稀土类元素来置换构成A位的Ba的一部分，且，在设构成上述A位的元素的总摩尔数为1摩尔时，上述Ca的含有量换算为摩尔比是0.05～0.20(优选0.125～0.175)。PTC热敏电阻的部件基体(1)用该半导体陶瓷来形成。由此，能制作出实质不含铅的非铅系的半导体陶瓷，同时保持希望的PTC特性，并具有良好的可靠性。
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