二次冷却装置、铸造装置

    公开(公告)号:CN101808765B

    公开(公告)日:2013-06-19

    申请号:CN200880108571.X

    申请日:2008-09-19

    CPC classification number: B22D11/0611 B22D11/124 B22D30/00 H01F41/0253

    Abstract: 本发明提供一种能够慢冷铸造薄片的二次冷却装置和使用该二次冷却装置的铸造装置。在二次冷却装置(22)的容器(40)内配置梳齿装置(50),在梳齿装置(50)上层叠铸造薄片(71),在铸造薄片(71)上载置破碎细片(72),慢冷铸造薄片(71)和破碎细片(72)之后借助按压装置(60)破碎铸造薄片(71),使破碎细片(72)与底壁(42)的表面及冷却齿(511)、(512)、……、(51n)的侧面接触而进行快冷。能够借助慢冷进行富Nd相及富稀土相的退火处理,在借助快冷降温到破碎细片(72)的氧化温度以下后,能够取出到大气中。

    金属的精制方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102112638A

    公开(公告)日:2011-06-29

    申请号:CN200980130513.1

    申请日:2009-07-30

    CPC classification number: B22D27/02 B22D27/04 C01B33/037 C22B9/228 C22B61/00

    Abstract: 本发明的金属的精制方法,为对由金属形成的母材照射电子束使其熔解后,使该熔解的母材凝固,由此精制所述母材的金属的精制方法,该精制方法包括:对装填在水冷坩埚中的所述母材的表面的全部区域照射所述电子束,完全熔解所述母材的工序,其中,所述水冷坩埚配置在高真空气氛中;保持对所述熔解了的母材照射所述电子束的状态,并缓慢地减弱所述电子束的输出,从而使所述熔解了的所述母材由所述熔解了的母材的熔融金属底部向着所述电子束照射侧的熔融金属表面部缓慢地凝固的工序;和所述熔解了的母材的凝固进行至规定的比例之后,除去未凝固的熔融金属部的工序。

    二次冷却装置、铸造装置

    公开(公告)号:CN101808765A

    公开(公告)日:2010-08-18

    申请号:CN200880108571.X

    申请日:2008-09-19

    CPC classification number: B22D11/0611 B22D11/124 B22D30/00 H01F41/0253

    Abstract: 提供一种能够慢冷铸造薄片的二次冷却装置和使用该二次冷却装置的铸造装置。在二次冷却装置(22)的容器(40)内配置梳齿装置(50),在梳齿装置(50)上层叠铸造薄片(71),在铸造薄片(71)上载置破碎细片(72),慢冷铸造薄片(71)和破碎细片(72)之后借助按压装置(60)破碎铸造薄片(71),使破碎细片(72)与底壁(42)的表面及冷却齿(511)、(512)、……、(51n)的侧面接触而进行快冷。能够借助慢冷进行富Nd相及富稀土相的退火处理,在借助快冷降温到破碎细片(72)的氧化温度以下后,能够取出到大气中。

    硅精制方法
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102112394B

    公开(公告)日:2013-05-15

    申请号:CN200980130258.0

    申请日:2009-08-11

    CPC classification number: C01B33/037

    Abstract: 一种硅精制方法,至少具有对由金属硅构成的母材照射电子束(EB)以去除金属杂质的凝固精制工序,所述凝固精制工序为:准备要进行一次精制的所述母材(20a),将所述母材(20a)的一部分装填到水冷坩埚(10)中,对配置在高真空气氛中的所述装填的母材(20a)的一部分的全部区域照射所述电子束(EB)使所述母材(20a)的一部分全都熔融;缓慢地减弱所述电子束(EB)的输出,自熔融的所述母材(20a)的一部分的熔融金属底部向着熔融金属表面部缓慢凝固,进行凝固直至凝固的部分占所述母材(20a)整体之中的第一规定比例;在所述水冷坩埚(10)中进一步装填所述母材(20a)的剩余部分(20f),对所述母材的剩余部分(20f)的全部区域照射所述电子束(EB)使所述母材(20a)的剩余部分全都熔融;缓慢地减弱所述电子束(EB)的输出,自熔融金属部(20d)的底部向着熔融金属表面部缓慢凝固,进行凝固直至凝固的部分占所述熔融金属部(20d)整体之中的第二规定比例;去除未凝固的熔融金属部(20j)。

    硅精制方法
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102112394A

    公开(公告)日:2011-06-29

    申请号:CN200980130258.0

    申请日:2009-08-11

    CPC classification number: C01B33/037

    Abstract: 一种硅精制方法,至少具有对由金属硅构成的母材照射电子束(EB)以去除金属杂质的凝固精制工序,所述凝固精制工序为:准备要进行一次精制的所述母材(20a),将所述母材(20a)的一部分装填到水冷坩埚(10)中,对配置在高真空气氛中的所述装填的母材(20a)的一部分的全部区域照射所述电子束(EB)使所述母材(20a)的一部分全都熔融;缓慢地减弱所述电子束(EB)的输出,自熔融的所述母材(20a)的一部分的熔融金属底部向着熔融金属表面部缓慢凝固,进行凝固直至凝固的部分占所述母材(20a)整体之中的第一规定比例;在所述水冷坩埚(10)中进一步装填所述母材(20a)的剩余部分(20f),对所述母材的剩余部分(20f)的全部区域照射所述电子束(EB)使所述母材(20a)的剩余部分全都熔融;缓慢地减弱所述电子束(EB)的输出,自熔融金属部(20d)的底部向着熔融金属表面部缓慢凝固,进行凝固直至凝固的部分占所述熔融金属部(20d)整体之中的第二规定比例;去除未凝固的熔融金属部(20j)。

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