硅精制方法及硅精制装置

    公开(公告)号:CN102482105B

    公开(公告)日:2015-01-21

    申请号:CN201080039072.7

    申请日:2010-09-17

    IPC分类号: C01B33/037

    CPC分类号: C01B33/037 H05H1/44

    摘要: 本发明的硅精制方法中,使用至少具备填充金属硅的坩埚和等离子体喷枪的硅精制装置,填充在所述坩埚中的金属硅的熔融金属面与由所述等离子体喷枪喷射的等离子体气体形成的角被设定为20度以上80度以下的状态下,向着所述熔融金属面喷射所述等离子体气体,由此精制所述金属硅。

    二次冷却装置、铸造装置

    公开(公告)号:CN101808765A

    公开(公告)日:2010-08-18

    申请号:CN200880108571.X

    申请日:2008-09-19

    摘要: 提供一种能够慢冷铸造薄片的二次冷却装置和使用该二次冷却装置的铸造装置。在二次冷却装置(22)的容器(40)内配置梳齿装置(50),在梳齿装置(50)上层叠铸造薄片(71),在铸造薄片(71)上载置破碎细片(72),慢冷铸造薄片(71)和破碎细片(72)之后借助按压装置(60)破碎铸造薄片(71),使破碎细片(72)与底壁(42)的表面及冷却齿(511)、(512)、……、(51n)的侧面接触而进行快冷。能够借助慢冷进行富Nd相及富稀土相的退火处理,在借助快冷降温到破碎细片(72)的氧化温度以下后,能够取出到大气中。

    成膜方法和成膜装置以及永磁铁和永磁铁的制造方法

    公开(公告)号:CN101660127B

    公开(公告)日:2012-05-23

    申请号:CN200910170392.5

    申请日:2006-03-14

    摘要: 本发明涉及成膜方法和成膜装置以及永磁铁和永磁铁的制造方法,提供一种真空处理装置,具有:处理室,其可真空排气;加热手段,其加热所述处理室内;保持手段,其在所述处理室内分别保持散块体金属蒸发材料和被处理物;在所述处理室的减压状态下使所述加热手段动作,将处理室加热到至少使金属蒸发材料蒸发的温度在处理室内形成金属蒸汽气氛,所述蒸汽气氛中的金属原子附着到被加热的被处理物表面。所述金属蒸发材料至少包含Dy、Tb中的一种,所述被处理物为具有规定形状的铁-硼-稀土系烧结磁铁,可控制该烧结磁铁的加热温度使所述烧结磁铁表面附着的金属原子扩散到其晶界中。保持所述烧结磁铁及金属蒸发材料的保持部件由不与Dy或Tb反应的材料构成。

    真空蒸气处理装置
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101512036B

    公开(公告)日:2011-11-02

    申请号:CN200780033699.X

    申请日:2007-09-10

    CPC分类号: C23C14/24 H01F41/0293

    摘要: 本发明提供一种真空蒸气处理装置,其适于实施在处理室内形成金属蒸气气氛、该金属蒸气气氛中的金属附着到被处理物的表面,并且使附着到被处理物表面的金属原子扩散到其晶界内的处理。其具有处理炉11,设置在该处理炉内的至少一个处理箱,以及设置在处理炉内围绕该处理箱周围的加热手段2。当在处理箱内配置了被处理物S与金属蒸发材料V的状态下将其收容到处理炉中后,设置将处理炉和处理箱减压到规定压力并保持的真空排气手段,在减压状态下使加热手段动作,将被处理物加热到规定温度的过程中,一边升温一边使金属蒸发材料蒸发,并将该蒸发的金属原子提供到被处理物表面。

    永磁铁及永磁铁的制造方法

    公开(公告)号:CN101563738A

    公开(公告)日:2009-10-21

    申请号:CN200780047381.7

    申请日:2007-12-19

    摘要: 提供一种永磁铁的制造方法,使附着在包含润滑剂的烧结磁铁表面的Dy、Tb高效扩散到晶界相中,可以高生产效率制作出高磁特性的永磁铁;其包括:第一工序,使Dy、Tb中的至少一种,附着到包含润滑剂的铁-硼-稀土类系的合金原料粉末烧结而成的烧结磁铁表面的至少一部分中;第二工序,通过在规定温度下实施热处理,使附着在烧结磁铁表面上的Dy、Tb中中的至少一种扩散到烧结磁铁的晶界相中;此时,作为烧结磁铁使用的是平均结晶粒径在4μm~8μm范围内制作的磁铁。